岩井 洋 | 東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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概要
関連著者
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工業大学
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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大見 俊一郎
東京工業大学
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大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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角嶋 邦之
東工大総理工
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角嶋 邦之
東京工業大学
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筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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宋 在烈
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
宋 在烈
東京工業大学フロンティア研究センター
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
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パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
京大
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知京 豊裕
物材機構
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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白石 賢二
筑波大院数物
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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高橋 健介
武蔵工大工
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高橋 健介
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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中山 恒義
北大院工
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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知京 豊裕
物質材料機構
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勝又 康弘
(株)東芝セミコンダクタ社
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中塚 理
名古屋大学
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中山 隆史
千葉大学理学部
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大毛利 健治
早稲田大学
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア研究機構
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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白石 賢二
筑波大学
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大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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白石 貴義
武蔵工業大学工学部
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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柏木 郁未
東京工業大学総合理工学研究科
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大島 千鶴
東京工業大学フロンティア研究所
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城森 慎司
京都大学大学院工学研究科
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社
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五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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Faynot Olivier
Cea-leti
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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AHMET P.
東京工業大学フロンティア研究センター
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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中山 隆史
干葉大理
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
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五月女 真一
千葉大学理学研究料
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Hartmann Jean-michel
Cea-leti Minatec
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Casse Mikael
CEA-LETI, MINATEC
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Barraud Sylvain
CEA-LETI, MINATEC
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Dupre Cecilia
CEA-LETI, MINATEC
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Hubert Alexandre
CEA-LETI, MINATEC
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Vulliet Nathalie
STMicroelectronics
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Faivre Marie-Emmanuelle
CEA-LETI, MINATEC
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Vizioz Christian
CEA-LETI, MINATEC
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Carabasse Catherine
CEA-LETI, MINATEC
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Delaye Vincent
CEA-LETI, MINATEC
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Cristoloveanu Sorin
グルノーブル工科大学
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Ernst Thomas
CEA-LETI, MINATEC
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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町田 義明
千葉大学理学研究料
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Faynot Olivier
Cea-leti Minatec
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Dupre Cecilia
Cea-leti Minatec
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Ernst Thomas
Cea-leti Minatec
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Barraud Sylvain
Cea-leti Minatec
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Vulliet Nathalie
Stmicroelectronics:東京工業大学フロンティア研究機構
-
Casse Mikael
Cea-leti Minatec
-
Delaye Vincent
Cea-leti Minatec
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財満 鎭明
名古屋大学
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百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
Hubert Alexandre
Cea-leti Minatec
-
Vizioz Christian
Cea-leti Minatec
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中山 隆史
千葉大学理学研究料
-
Carabasse Catherine
Cea-leti Minatec
-
Faivre Marie-emmanuelle
Cea-leti Minatec
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服部 健雄
武蔵工業大学
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大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
著作論文
- 微細化の末法時代とは : シリコンデバイスの重要性とその行方
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィ技術
- 微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
- 希土類酸化物La_2O_3膜を用いたGe MOSデバイスの特性改善のための極薄界面層の検討
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 直径10nmナノワイヤCMOSにおけるキャリア輸送に関する研究(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))