大毛利 健治 | 早稲田大学
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概要
関連著者
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大毛利 健治
早稲田大学
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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白石 賢二
筑波大院数物
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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白石 賢二
筑波大学
著作論文
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 (シリコン材料・デバイス)
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))