大毛利 健治 | 早稲田大学

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概要

• 同名の論文著者
• 早稲田大学の論文著者

関連著者

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 白石 賢二

  筑波大学

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物材機構:comet-nims:科技機構戦略

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 名取 研二

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 佐藤 創志

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 角嶋 邦之

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• AHMET Parhat

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 渡部 平司

  大阪大学

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 細井 卓治

  大阪大学

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 石川 大

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 中山 恒義

  北大院工

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 中塚 理

  名古屋大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 諸岡 哲

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 中山 隆史

  干葉大理

• 佐藤 創志

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 松木 武雄

  早稲田大学:jst-crest

• 角嶋 邦之

  東京工業大学

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究料

• 町田 義明

  千葉大学理学研究料

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究料

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著作論文

• キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 (シリコン材料・デバイス)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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