大毛利 健治 | 早稲田大学ナノ理工学研究機構

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概要

• 同名の論文著者
• 早稲田大学ナノ理工学研究機構の論文著者

関連著者

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 白石 賢二

  筑波大学

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 櫻井 蓉子

  筑波大院数物

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 知京 豊裕

  物材機構:comet-nims:科技機構戦略

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 櫻井 蓉子

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 大毛利 健治

  筑波大院数物

• 山田 啓作

  筑波大院数物

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• Nara Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• AKASAKA Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• NARA Y.

  Selete

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 大毛利 健治

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 渡邉 孝信

  早稲田大学 理工学術院

• 山部 紀久夫

  筑波大学数理物質科学研究科

• 大毛利 健治

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• AHMET P.

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 渡部 平司

  大阪大学

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• 上田 茂典

  物材機構

• 山下 良之

  物材機構

• 吉川 英樹

  物材機構

• 小林 啓介

  物材機構

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 吉川 英樹

  科学技術庁無機材質研究所

• 中山 恒義

  北大院工

• 渡邉 孝信

  早稲田大学工学部

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 山部 紀久夫

  筑波大学

• 杉田 義博

  半導体先端テクノロジーズ

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 大毛利 健治

  早大ナノテク研

• SHIRAISHI K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• YAMABE K.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• YAMADA K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• UMEZAWA N.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• OHMORI K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• CHIKYOW T.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  「応用物理」 編集委員会

• Ahmet P.

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  物質材料研究機構 半導体材料研究センター

• 中山 隆史

  干葉大理

• 吉武 道子

  金材技研

• 角嶋 邦之

  東京工業大学

• Yamabe K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究料

• Umezawa N.

  Advanced Electronic Materials Center National Institute For Materials Science

• Shiraishi K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• 神岡 武文

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 今井 裕也

  早稲田大学理工学術院

• 渡邉 孝信

  早稲田大学理工学術院:jst-crest

• Akasaka Y.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• 今井 裕也

  早稲田大学 理工学術院

• 神岡 武文

  早稲田大学 理工学術院

• 小林 研介

  京大化研

• 金光 義彦

  京大化研

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院 先端物質科学研究科

• 赤坂 泰志

  Selete

• 奈良 安雄

  Selete

• 太野垣 健

  京大化研

• Miyazaki Seiichi

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University

• 細井 卓治

  大阪大学

• 足立 哲也

  物質・材料研究機構

• 石川 大

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 吉武 道子

  (独)物質・材料研究機構半導体材料研究センター

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 大野 垣健

  京大院理

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 中塚 理

  名古屋大学

• 赤坂 泰志

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 中岡 高司

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 中村 源治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 太田 晃生

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ

• 名取 研二

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 中島 清美

  物質・材料研究機構

• 石川 恵子

  物質・材料研究機構

• 佐藤 創志

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 角嶋 邦之

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• AHMET Parhat

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 網中 敏夫

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• Miyazaki S

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• Miyazaki Seiichi

  Dept. Of Electrical Engineering Hiroshima University

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学 大学院 数理物質科学研究科

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• Miyazaki Seiichi

  Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 太野 垣健

  京大院理

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• NAKAMURA G.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• KADOSHIMA M.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• WATANABE H.

  Graduate School of Engineering, Osaka University

• OHMORI K.

  Nanotechnology Research Laboratories, Waseda University

• OHJI Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• INUMIYA S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• MIYAZAKI S.

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima Univ.

• UEDONO A.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• HASUNUMA R.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• MOMIDA H.

  Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

• OHNO T.

  Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

• SHIRAISHI K.

  University of Tsukuba

• YAMABE K.

  University of Tsukuba

• WATANABE H.

  Osaka University

• AKASAKA Y.

  Selete

• NAKAJIMA K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• YOSHITAKE M.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• NAKAYAMA T.

  Chiba University

• KAKUSHIMA K.

  Tokyo Institute of Technology

• IWAI H.

  Tokyo Institute of Technology

• YAMADA K.

  Waseda University

• Murakami H.

  Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University

• 鎌倉 良成

  大阪大学 工学部

• 吉武 道子

  金属材料技術研究所

• 吉武 道子

  科学技術庁金属材料技術研究所

• Miyazaki S

  Department Of Electrical Engineering Hiroshima University

• Murakami H

  Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University

• Uedono A.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Inumiya S.

  Semicondutor Leading Edge Technologies Inc.

• 諸岡 哲

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• Miyazaki S

  Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University

• 佐藤 創志

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 宮崎 誠一

  広島大学大学院

• 松木 武雄

  早稲田大学:jst-crest

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究料

• 町田 義明

  千葉大学理学研究料

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• Hasunuma R.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Nakaoka T.

  Chiba University

• 野村 晋太郎

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• Ahmet Parhat

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 大毛利 健治

  筑波大学 大学院数理物質科学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学 大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学 大学院数理物質科学研究科

• 太野垣 健

  京大化研:JSTさきがけ

• 大毛利 健治

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 大毛利 健治

  筑波大学数理物質系

• 図師 知文

  早稲田大学理工学術院

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著作論文

• 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
• キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 30aRD-2 バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面電子状態の高感度観測(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTD-2 硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
• Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
• Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
• Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors
• Extraction of additional interfacial states of silicon nanowire field-effect transistors
• Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 (シリコン材料・デバイス)
• ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Effects of corner angle of trapezoidal and triangular channel cross-sections on electrical performance of silicon nanowire field-effect transistors with semi gate-around structure
• 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Electrical characteristics of asymmetrical silicon nanowire field-effect transistors
• 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション (シリコン材料・デバイス)
• 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討
• 26pCJ-6 Siナノレイヤーの発光寿命の膜厚依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 : 1/f(低周波)から熱雑音(100MHz超)まで(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MOSFETの雑音特性を計測する新手法を開発
• Photoluminescence characterization in silicon nanowire fabricated by thermal oxidation of nano-scale Si fin structure
• Impact of Random Telegraph Noise Profiles on Drain-Current Fluctuation During Dynamic Gate Bias
• 25pDD-3 Siナノレイヤー中電子正孔凝縮状態の膜厚依存性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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