高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 : 1/f(低周波)から熱雑音(100MHz超)まで(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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MOSFETにおいて、低周波数帯域では1/f雑音が顕在化し、高周波帯域では熱雑音が支配的となる。その境であるコーナー周波数は、微細化により益々高周波へとシフトしている。我々は、広帯域に亘る雑音計測のためのプローブを独自開発し、オンウェーハのMOSFETに対して100MHzまでの雑音計測を可能にした。本講演では、高周波帯域雑音プローブの作製とそれによる評価結果を紹介する。
- 2012-11-08
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