30aRD-2 バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面電子状態の高感度観測(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
小林 研介
京大化研
-
知京 豊裕
物材機構
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
上田 茂典
物材機構
-
山下 良之
物材機構
-
吉川 英樹
物材機構
-
小林 啓介
物材機構
-
吉川 英樹
科学技術庁無機材質研究所
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
-
大毛利 健治
早大ナノテク研
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
-
知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
-
大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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