山下 良之 | 物材機構
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概要
関連著者
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山下 良之
物材機構
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吉川 英樹
物材機構
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吉川 英樹
科学技術庁無機材質研究所
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上田 茂典
物材機構
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小林 啓介
物材機構
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向井 孝三
東大物性研
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吉信 淳
東大物性研
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小林 研介
京大化研
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吉信 淳
東京大学物性研究所
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山下 良之
東大物性研
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島田 賢也
広大放射光
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生天目 博文
広大放射光
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生天目 博文
広大放射光セ
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谷口 雅樹
広大放射光セ
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島田 賢也
広大放射光セ
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内海 有希
広大院理
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佐藤 仁
広大放射光セ
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三村 功次郎
阪府大院工
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小口 和博
東大物性研
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今村 真幸
神戸大工
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保田 英洋
神戸大工
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三村 功治郎
大阪府大工
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谷口 雅樹
広大院理
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姜 健
広大院理
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Namatame Hirofumi
広大放セ
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紅谷 篤史
東大物性研
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Namatame H.
Hsrc Hiroshima Univ.
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YAMASHITA Yoshiro
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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Namatame Hirofumi
Department Of Materials Science Facalty Of Science Hiroshima University
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NISHIDA Jun-ichi
Department of Electronic Chemistry, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, To
-
YAMASHITA Yoshiro
Department of Electronic Chemistry, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, To
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有田 将司
広大放射光セ
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東口 光晴
広大院理
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石井 廣義
首都大理工
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宮原 恒〓
首都大院理工
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魚住 孝幸
阪府大院工
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本並 哲
阪府大院工
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光田 暁弘
九大院理
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田口 幸広
阪府大院工
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平戸 康晴
首都大院理工
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石井 廣義
首都大院理工
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上田 茂典
物質・材料研究機構 SPring-8
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山下 良之
物質・材料研究機構 SPring-8
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吉川 英樹
物質・材料研究機構 SPring-8
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小林 啓介
物質・材料研究機構 SPring-8
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TAGUCHI Munetaka
RIKEN/SPring-8
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魚住 孝幸
大阪府大工
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豊田 太郎
電気通信大学
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Namatame Hirofumi
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
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Shimada K.
広大放セ
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藤正 修司
神戸大工
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中村 純
神戸大工
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宮原 恒★〓
都立大院理
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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豊田 太郎
電通大
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豊田 太郎
電気通信大学 電気通信学部 量子・物質工学科
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利田 祐麻
東大物性研
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沈 青
電通大量子・物質工:jstさきがけ
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Shen Qing
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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宮原 恒〓
日本女子大学理学部数物科学科
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豊田 太郎
電通大量子・物質工
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藤森 伸一
原子力機構放射光
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竹田 幸治
原子力機構放射光
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斎藤 祐児
原子力機構放射光
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齋藤 智彦
東理大理
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原田 慈久
東大院工
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知京 豊裕
物材機構
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浅井 吉蔵
電通大
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高畠 敏郎
広大院先端
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末國 晃一郎
広大院先端物
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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仲武 昌史
広大放射光
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斉藤 祐児
原子力機構
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宮尾 智章
首都大理工
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奥村 修一
首都大理工
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西村 淳一
東理大理
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小林 義彦
東医大
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浜田 典昭
東理大理工
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姜 健
広大放射光
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奥村 修一
首都大院理工
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宮尾 智章
首都大院理工
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田村 聡
電通大量子物質
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田中 克昇
広島大放射光セ
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斉藤 祐児
原研 SPring-8
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島田 賢也
広島大・放射光
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沈 青
電通大・量子物質
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豊田 太郎
電通大・量子物質
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生天目 博文
広島大・放射光
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谷口 雅樹
広島大・放射光
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竹田 幸治
原子力機構
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和田 裕文
九大院理
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山本 達
東京大学物性研究所
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小林 義彦
東京医大物理
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高畠 敏郎
Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University:institute For Advanced Materials Research Hir
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末國 晃一郎
広大院先端物質
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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和田 裕文
九大理
-
小林 義彦
東京医大医
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和田 裕文
九州大
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徳島 高
理研:spring8
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田中 章順
神戸大院工
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斎藤 祐児
Jaeri
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徳島 高
理研 Spring-8
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原田 慈久
理研 SPring-8
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山本 達
東大物性研
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武田 幸治
広大放射光セ
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今村 真幸
神戸大院自然科
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北川 孝信
神戸大院工
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村瀬 祥彰
神戸大院自然科
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根岸 雄一
分子研
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佃 達哉
北大触媒化セ
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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斎藤 祐児
原子力機構
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齋藤 祐児
原研
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浅井 吉藏
電通大
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宮原 恒〓
都立大・院理
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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Tanaka Akinori
Department Of Physics Graduate School Of Science Tohoku University
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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Wadati H.
Department Of Physics And Astronomy University Of British Columbia
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Tanaka A
Adsm Hiroshima University
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大毛利 健治
早大ナノテク研
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川田 翔
阪府大院工
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KOJIMA Takahiro
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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Kojima Takahiro
Department of Cardiology, Juntendo University School of Medicine
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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大川 万里生
東大物性研
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辛 埴
東大物性研
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山下 哲朗
名工大工
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古橋 匡幸
東大物性研
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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浅井 吉蔵
電気通信大学
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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奈良 安雄
Selete
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小島 健一
広大院総合
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Avila M.
広大院先端物質
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Avila M.A.
広大院先端物質
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飛田 尚寿
広大院理
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小嗣 真人
JASRI SPring-8
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谷口 雅樹
広大理
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小森 文夫
東大物性研
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飛松 浩明
広大院理
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間曽 寛之
広大院理
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平岡 耕一
愛媛大院理工
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吉川 秀樹
物材機構
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石津 貴彦
阪府大院工
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島田 賢也
広島大放射光セ
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沈 青
電通大量子物質
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豊田 太郎
電通大量子物質
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吉田 征央
電通大量子物質
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姜 健
広島大放射光セ
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生田目 博文
広島大放射光セ
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谷口 雅樹
広島大放射光セ
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田村 聡
電通大・量子物質
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大川 万里夫
東大物性研
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片山 哲夫
東大物性研
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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TOKUSHIMA Takashi
RIKEN/SPring-8
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Arita M
Hokkaido Univ. Sapporo
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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田村 直義
富士通研究所
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大村 彩子
新潟大超域
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ARAI Masatoshi
Japan Atomic Energy Agency
-
小嗣 真人
Jasri
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犬宮 誠治
Selete
-
杉田 義博
Selete
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幸 埴
東大物性研
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野平 博司
武蔵工大
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服部 健雄
武蔵工大
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小林 啓介
広大放射光
-
中武 昌史
広大放射光セ
-
保田 英洋
神戸大院工
-
田中 章順
神戸大院自然科
-
保田 英洋
神戸大院自然科
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佃 達哉
分子研
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Avila Marcos
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
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長谷川 敦司
情通機構
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Arita M.
広大放セ
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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関場 大一郎
東大物性研
-
関場 大一郎
東京大学物性研究所
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
Arita M
Japan Atomic Energy Agency
-
大村 彩子
東北大学金属材料研究所
-
犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
田中 克昇
広島大・放射光
-
姜 健
広島大・放射光
-
小林 啓介
(独)物質・材料研究機構
-
大村 彩子
東大物性研
-
平岡 耕一
愛媛大学工学部機能材料工学科
-
Yoshida M
Department Of Chemistry And Chemical Engineering Niigata University
-
MATSUMOTO Shigeru
Department of Astronomy, The University of Tokyo
-
YAMASHITA Yoshiyuki
Department of Chemical Engineering, Tohoku University
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新井 伸英
電通大量子・物質工
-
斎藤 祐二
大阪大学基礎工学部
-
平岡 耕一
広島大理
-
長尾 昌志
東大物性研
-
Avila M.
広大院先端物
著作論文
- 21aPS-12 価数転移を示すEuPd_2Si_2の硬X線光電子スペクトルの温度依存性(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aTG-7 Ba_8Ga_Sn_単結晶の軟X線・硬X線光電子分光 II(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pTH-5 Ba_8Ga_Sn_単結晶の軟X線・硬X線光電子分光(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aTK-4 鉄隕石由来L1_0型FeNi相の電子状態観測(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
- 21aPS-44 硬X線光電子分光によるYbXCu_4(X=Cd,In,Sn)の電子状態の研究(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aRG-9 二重ペロブスカイト型Co酸化物の光電子分光(コバルト酸化物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 28pPSA-1 CdSe量子ドット増感太陽電池電極の電子構造の硬XPS研究II(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aPS-17 CdSe量子ドット増感太陽電池電極の電子構造の硬X線光電子分光研究(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-24 有機分子表面修飾Siナノ粒子の光学特性評価(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 20pHK-10 有機分子保護Siナノクラスターにおける発光と電子構造の相関(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 26pxA-3 硬X線光電子分光による有機分子表面修飾Siナノ粒子の電子状態の研究(光電子分光(表面・薄膜・低次元物質II),領域5,光物性)
- 26aPS-51 デンドリマー-Au複合ナノクラスターの精密調製と分光学的評価III(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-17 デンドリマー-Au複合ナノクラスターの精密調製と分光学的評価II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-5 CdSe量子ドットを吸着したナノ構造TiO_2電極の硬X線光電子分光II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-59 硬X線光電子分光によるEuPtPの温度誘起価数転移の研究(23pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aRD-2 バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面電子状態の高感度観測(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-2 硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYC-5 低温Cu(100)表面における酸素分子の吸着過程(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXA-11 Si(111)表面に化学吸着したアルキル分子単層膜の電気伝導特性と絶縁破壊(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTE-4 エチレン終端Si(100)基板におけるF_4-TCNQのSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-9 Rh(111)における親水性・疎水性水単層上での氷成長(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aXJ-6 Si(100)非対称ダイマーへの不飽和炭化水素の環化付加反応 : マルコフニコフ則は成り立つのか?(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXD-11 Si(100)における単一有機分子のSTS : 負性微分抵抗の観測(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 22aXK-8 エチレン終端Si(100)基板とF_4-TCNQの相互作用 : △Φと価電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-11 Rh(111)における水分子の付着確率と脱離キネティクス(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pYH-9 極低温Rh(111)における水分子の過渡的表面拡散とダイマー形成(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pYC-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF4-TCNQの電子状態(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-11 Si(100)c(4x2)表面における有機アミンの吸着状態 : 光電子分光による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-6 Rh(111)表面における水単分子層の構造(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 軟X線吸収発光分光法によるSi02/Si界面電子状態のサイト選択的観測 (第24回表面科学講演大会論文特集(3))
- Fault Detection in Chemical Processes Using Discriminant Analysis and Control Chart
- Organic Field-Effect Transistors Based on π-Extended Dibenzotetrathiafulvalene Analogues with Thiophene Spacers
- New n-Type Field-effect Transistors Based on Pyrimidine-containing Compounds with (Trifluoromethyl)phenyl Groups
- Development of Organic Electronic Devices Using Boronate Esters and Related Heterocycles
- Preparation, Characterization, and Field-effect Transistor Performance of Benzo[1,2-d:4,5-d']bisthiazole Derivatives
- デバイス動作下硬X線光電子分光法による最先端材料の物性解明 (第30回表面科学学術講演会特集号(1))
- Si(100)表面へのエチレンの環化付加反応における前駆状態の直接観測
- デバイス動作下硬X線光電子分光法による最先端材料の物性解明
- 23aPS-74 EuNi_2X_2(X=Si,P,Ge)の硬X線光電子分光(23aPS 領域8ポスターセッション(磁性(f電子系)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pGB-6 光電子分光法による二重ペロブスカイト型Co酸化物の電子構造(23pGB コバルト酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pGC-3 硬X線光電子分光によるYbNi_3X_9(X=Al,Ga)の電子状態の研究(22pGC 価数揺動,少数キャリア等,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pXD-8 エチレン/Si(100)の前駆状態から化学吸着状態への光誘起反応(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 25pXD-10 低温Si(100)における吸着1,4-シクロヘキサジエンの前駆状態 : UPSによる研究(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))