吉信 淳 | 東京大学物性研究所

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概要

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関連著者

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 吉信 淳

  東大物性研

• 向井 孝三

  東大物性研

• 山下 良之

  物材機構

• 吉本 真也

  東大物性研

• 山下 良之

  東大物性研

• 向井 孝三

  東京大学物性研究所

• 紅谷 篤史

  東大物性研

• 古橋 匡幸

  東大物性研

• 片山 哲夫

  東大物性研

• 小口 和博

  東大物性研

• 小板谷 貴典

  東大物性研

• 近藤 寛

  慶応大理工

• 近藤 寛

  慶応大学

• 近藤 寛

  慶應義塾大学

• 小森 文夫

  東大物性研

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 坂口 裕二

  東大物性研

• 赤木 和人

  東大院理

• 赤木 和人

  東北大

• 清水 皇

  東京大学物性研究所

• 吉本 真也

  東京大学物性研究所

• 利田 祐麻

  東大物性研

• 亀島 一輝

  東大物性研

• 清水 皇

  東大物性研

• 辛 埴

  東大物性研

• 松田 巌

  東大物性研

• 原田 慈久

  東大院工

• 武市 泰男

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 西出 聡悟

  東大物性研

• 奥田 太一

  広大放射光セ

• 中辻 寛

  東大物性研

• 山本 達

  東京大学物性研究所

• 山上 浩志

  京産大院理

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 徳島 高

  理研:spring8

• 山上 浩志

  京都産業大理

• 徳島 高

  理研 Spring-8

• 原田 慈久

  理研 SPring-8

• 山本 達

  東大物性研

• BERTRAN F.

  SOLEIL/LURE

• FEVRE P.

  SOLEIL/LURE

• TALEB-IBRAHIMI A.

  SOLEIL/LURE

• 奥田 太一

  広島大学放射光科学研究センター

• 塚原 規志

  東京大学 大学院新領域創成科学研究科

• 吉信 淳

  東京大学 物性研究所

• 山上 浩志

  京都産業大

• 山下 良之

  東京大学物性研究所

• 松田 巌

  東大物性研究所

• 徳島 高

  理化学研究所

• 奥田 太一

  広大放射光セ・先端計測

• 奥田 太一

  広大放射光

• 川合 真紀

  理化学研究所

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 奈良 安雄

  Selete

• 常行 真司

  東大院理

• 宮脇 淳

  理研

• 辛 埴

  理研

• 小森 文夫

  東京大学物性研究所

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 森脇 太郎

  理化学研究所

• 柿崎 明人

  東京大学物性研究所

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• TOKUSHIMA Takashi

  RIKEN/SPring-8

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 田村 直義

  富士通研究所

• 宮脇 淳

  理研:spring-8

• 大村 彩子

  新潟大超域

• 犬宮 誠治

  Selete

• 杉田 義博

  Selete

• 幸 埴

  東大物性研

• 野平 博司

  武蔵工大

• 服部 健雄

  武蔵工大

• 筒井 琢仁

  東大物性研

• 近藤 寛

  東大院理

• 近藤 寛

  慶應大理工化学

• 森 文夫

  東大物性研

• 高田 恭考

  理研

• 深澤 愛子

  名古屋大理

• 山口 茂弘

  名古屋大理

• 山口 茂弘

  名古屋大学大学院理学研究科

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 奥山 弘

  京都大学大学院理学研究科

• 関場 大一郎

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• 関場 大一郎

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• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 常行 真司

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• 大村 彩子

  東北大学金属材料研究所

• 大久保 悠

  東大物性研

• 犬宮 誠治

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 古橋 匡幸

  阪大産研

• 大村 彩子

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• 赤木 和人

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• 長尾 昌志

  東大物性研

• Nohira Hiroshi

  Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology

• 田村 直義

  富士通研

• Nakazawa Hiroshi

  New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University

• 幸 埴

  東大物性研:理研 Spring-8

• 梅山 裕史

  東京大学物性研究所

• 長尾 昌志

  分子科学研究所

• 村瀬 加内江

  東大物性研

• 紅谷 篤史

  東京大学物性研究所

• 梅山 裕史

  東大物性研

• 服部 健雄

  東京工大 フロンティア研究機構

• 原田 慈久

  東京大学

• 則武 宏幸

  東京大学物性研究所

• 小板谷 貴典

  東京大学物性研究所

• 奥山 弘

  京都大学大学院埋学研究科

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著作論文

• 23aGP-9 水銀とシリコン基板に挟まれた自己組織化単層膜の赤外反射吸収分光(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGL-9 2-メチルプロペン終端Si(100)基板とF4-TCNQの相互作用(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGL-10 F4-TCNQ/Cu(100)の振動と電子状態(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
• 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
• 吸着分子の動的振舞を記述する : 吸着ポテンシャルエネルギー面と表面素反応過程
• 23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYB-2 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aRD-6 DBP-S/Cu(100)の吸着状態と配向変化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-3 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着状態とCH伸縮振動ソフトモード(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aRD-8 Rh(111)表面における氷単層膜形成の微視的過程 : STM,IRASによる研究(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-10 水素原子で修飾したRh(111)表面における水分子の吸着(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aRL-6 水素終端Si(111)表面に吸着したF_4-TCNQの電荷移動と配向(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pWX-5 水素修飾Rh(111)表面における吸着シクロヘキサンの超構造形成(23pWX 表面界面電子物性(有機分子),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aRL-5 表面赤外分光によるPt(997)表面におけるTTFの多様な電荷移動状態の観測(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF_4-TCNQの電子状態 : NEXAFSと内殻光電子分光による研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYC-5 低温Cu(100)表面における酸素分子の吸着過程(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Horiba-ISSP International Symposium on "Hydrogen and water in condensed matter physics"
• 25pZK-2 化学修飾半導体表面に吸着したアクセプター分子の電荷移動(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Pt(997)表面におけるNO分子の吸着状態と拡散過程
• 固体表面におけるアクセプター分子の電子状態と表面ドーピング
• 23aXA-11 Si(111)表面に化学吸着したアルキル分子単層膜の電気伝導特性と絶縁破壊(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aRJ-5 N/Rh(111)表面でのNOダイマーの形成(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTE-4 エチレン終端Si(100)基板におけるF_4-TCNQのSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 極低温赤外反射吸収分光(IRAS)による固体表面における分子の吸着状態と表面拡散の研究
• シリコン表面における環化付加反応
• 21aXJ-9 Rh(111)における親水性・疎水性水単層上での氷成長(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aXJ-6 Si(100)非対称ダイマーへの不飽和炭化水素の環化付加反応 : マルコフニコフ則は成り立つのか?(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXK-8 エチレン終端Si(100)基板とF_4-TCNQの相互作用 : △Φと価電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-11 Rh(111)における水分子の付着確率と脱離キネティクス(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pYH-9 極低温Rh(111)における水分子の過渡的表面拡散とダイマー形成(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pYC-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF4-TCNQの電子状態(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-11 Si(100)c(4x2)表面における有機アミンの吸着状態 : 光電子分光による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXF-6 Rh(111)表面における水単分子層の構造(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 氷表面の物性と化学反応 : 振動分光をプローブとして
• Si(100)表面へのエチレンの環化付加反応における前駆状態の直接観測
• 26pTH-4 エチレン終端Si(100)基板に吸着したF_4-TCNQの電子状態と配向 : 高分解能XPSとNEXAFSによる研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• OME2000-54 原子レベルで制御されたハイブリッド構造の創成と物性探索
• 28pTN-10 独立駆動型4探針装置によるペンタセン薄膜のトランジスタ特性測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTN-9 化学修飾したSi(100)表面におけるペンタセンの薄膜成長とエネルギーレベルアラインメント(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 遷移金属表面における水の単分子層
• 24pYC-6 半導体表面に結合した単一分子系の電子状態と伝導実験(24pYC 領域9,領域7合同シンポジウム:単一分子伝導研究の現状と課題,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS)による表面分析
• 28pYB-4 遷移金属表面の単層水分子(28pYB 領域9シンポジウム:制限された場における水分子の科学,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aHA-3 Pt(997)表面上におけるTTFの吸着状態に関するHREELSおよびHRXPSによる研究(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXK-7 CO/Pt(997)系におけるステップ近傍の電荷移動挙動 : 高分解能X線光電子分光による研究(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))

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