小板谷 貴典 | 東大物性研
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概要
関連著者
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吉信 淳
東大物性研
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向井 孝三
東大物性研
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吉本 真也
東大物性研
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小板谷 貴典
東大物性研
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向井 孝三
東京大学物性研究所
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吉信 淳
東京大学物性研究所
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塩澤 佑一朗
東大物性研
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原田 洋介
東大物性研
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清水 皇
東大物性研
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古橋 匡幸
東大物性研
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片山 哲夫
東大物性研
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赤木 和人
東北大WPI
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坂口 裕二
東大物性研
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筒井 琢仁
東大物性研
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赤木 和人
東大院理
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紅谷 篤史
東大物性研
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赤木 和人
東北大
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亀島 一輝
東大物性研
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村瀬 加内江
東大物性研
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藤巻 和貴
東大物性研
著作論文
- 21aGL-9 2-メチルプロペン終端Si(100)基板とF4-TCNQの相互作用(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aYH-3 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着状態とCH伸縮振動ソフトモード(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aXB-10 水素原子で修飾したRh(111)表面における水分子の吸着(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pWX-5 水素修飾Rh(111)表面における吸着シクロヘキサンの超構造形成(23pWX 表面界面電子物性(有機分子),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pTH-4 エチレン終端Si(100)基板に吸着したF_4-TCNQの電子状態と配向 : 高分解能XPSとNEXAFSによる研究(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aHA-6 Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着構造に関する同位体効果(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aHA-10 エチレン終端Si(100)表面とペンタセン薄膜に挟まれたF_4-TCNQの電子状態(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHA-9 化学修飾によって制御されたSi(100)基板とF_4-TCNQの相互作用・電子状態(20aHA 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pFN-4 Cu(997)に吸着したCO_2におけるFano形状振動ピークの観測(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXZA-7 F_4-TCNQ分子を用いたホールドーピングによる自然酸化Si(111)表面の電気伝導度変化(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXZA-2 Rh(111)におけるシクロヘキサンのエネルギー準位アラインメント:界面双極子と終状態効果(27pXZA 表面界面電子物性・有機分子,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJA-9 Si(111)表面にアンカーさせたフェニル化合物の構造と電気伝導(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aJB-2 Cu(111)表面におけるギ酸分解反応のキネティクス(表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))