片山 哲夫 | 東大物性研
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概要
関連著者
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吉信 淳
東大物性研
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片山 哲夫
東大物性研
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向井 孝三
東大物性研
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吉信 淳
東京大学物性研究所
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吉本 真也
東大物性研
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古橋 匡幸
東大物性研
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坂口 裕二
東大物性研
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向井 孝三
東京大学物性研究所
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辛 埴
東大物性研
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山下 良之
物材機構
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宮脇 淳
理研
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辛 埴
理研
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小森 文夫
東大物性研
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宮脇 淳
理研:spring-8
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山下 良之
東大物性研
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小口 和博
東大物性研
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小板谷 貴典
東大物性研
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筒井 琢仁
東大物性研
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近藤 寛
慶應大理工化学
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近藤 寛
慶応大理工
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高田 恭考
理研
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深澤 愛子
名古屋大理
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山口 茂弘
名古屋大理
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山口 茂弘
名古屋大学大学院理学研究科
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近藤 寛
慶応大学
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関場 大一郎
東大物性研
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関場 大一郎
東京大学物性研究所
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紅谷 篤史
東大物性研
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大久保 悠
東大物性研
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近藤 寛
慶應義塾大学
著作論文
- 21aGL-9 2-メチルプロペン終端Si(100)基板とF4-TCNQの相互作用(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGL-10 F4-TCNQ/Cu(100)の振動と電子状態(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aRD-6 DBP-S/Cu(100)の吸着状態と配向変化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXA-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF_4-TCNQの電子状態 : NEXAFSと内殻光電子分光による研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYC-5 低温Cu(100)表面における酸素分子の吸着過程(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))