小森 文夫 | 東大物性研

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概要

• 同名の論文著者
• 東大物性研の論文著者

関連著者

• 小森 文夫

  東大物性研

• 中辻 寛

  東大物性研

• 飯盛 拓嗣

  東大物性研

• 金沢 育三

  東学大・物理

• 小森 文夫

  東京大学物性研究所

• 伊藤 泰男

  東京大学原子力研究総合センター

• 伊藤 泰男

  東大原総セ

• 金沢 育三

  東学大物理

• 富松 宏太

  東大物性研

• 小林 俊一

  東大理

• 伊藤 泰男

  東大 原子力研総セ

• 岩本 哲

  東学大物理

• 村田 好正

  東大生産研

• 吉本 芳英

  東大物性研

• 寺島 孝武

  東学大物理:(現)阪大産研

• 矢治 光一郎

  京大院理:jst Crest

• 小森 文夫

  東大理

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 矢治 光一郎

  東大物性研

• 寺島 孝武

  東学大物理

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  東学大物理

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  阪大院工

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  東大物性研

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  東大物性研

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  九大院工

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  産総研

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  阪大院工

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  理研

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  東大生研

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  東大生産研

• 村田 好正

  電通大

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  東京学芸大物理

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  電総研

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  電総研

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  東大物性研

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  東大理

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  九大院工

• 雨宮 健太

  東大理

• 河村 紀一

  NHK放送技研

• 松田 巌

  東大物性研

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  東大物性研

• 水野 清義

  九大院総理工

• 新井 亮太郎

  東学大物理

• 金沢 育三

  東京学芸大.物

• 金沢 育三

  東京学芸大学教育学部

• 木村 昭夫

  広大理

• 今田 真

  阪大基礎工

• 武市 泰男

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 石井 晃

  鳥取大学大学院工学研究科

• 松村 大樹

  原子力機構

• 脇田 高徳

  岡山大院自然:jst-crest

• 脇田 高徳

  Jasri

• 横山 利彦

  分子研

• 田代 睦

  東学大物理

• 奈良 裕樹

  東大物性研

• 高木 康多

  理研 SPring-8

• 金沢 育三

  東京学芸大

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 安藤 陽一

  阪大産研

• 福谷 克之

  東大生研

• 太田 俊明

  東大理

• 西出 聡悟

  東大物性研

• 奥田 太一

  広大放射光セ

• 木下 豊彦

  東大物性研

• 小林 俊一

  東大・理

• 木下 豊彦

  NEDO

• 和田 輝雄

  東京学芸大学物理

• 和田 輝雄

  東学大物理

• 室 隆桂之

  JASRI

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  阪大産研

• 吉信 淳

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• 原田 慈久

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• 水谷 五郎

  北陸先端大マテリアル

• 石川 哲也

  理研 SPring-8

• 高田 恭孝

  理研 SPring-8

• 竹内 智之

  JASRI, SPring-8

• 石川 哲也

  理化学研究所

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 大門 寛

  奈良先端大

• 石川 哲也

  独立行政法人理化学研究所播磨研究所

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 竹内 智之

  理研 SPring-8

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 高田 恭孝

  東大新領域:理研:spring8

• 徳島 高

  理研:spring8

• 竹内 智之

  Jasri Spring-8

• 服部 賢

  奈良先端大物質創成

• 石川 哲也

  理化学研究所放射光科学総合研究センター

• Lu Bin

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  東北大院理

• 徳島 高

  理研 Spring-8

• 原田 慈久

  理研 SPring-8

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• 金沢 育三

  東学大

• 福谷 克之

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• 辛 埴

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  奈良先端大物質

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• 中村 昭彦

  東大理

• 高橋 春美

  東学大物理

• 山田 廉一

  東大理

• 辛 埴

  理研 SPring-8

• 向井 孝三

  東大物性研

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 福田 共和

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• 柿崎 明人

  東京大学物性研究所

• 山上 浩志

  京産大院理

• 橋本 治

  東大核研

• 野村 亨

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• 佐野 陽之

  北陸先端大材料

• 村田 好正

  東大物性研

• 池田 伸夫

  東大核研

• 野村 亨

  東大核研

• 太田 俊明

  立命館大学SRセンター

• 林 賢二郎

  九大院総理工

• 馬渡 健児

  東北大院理

• 中條 晃伸

  東学大物理

• 服部 梓

  奈良先端大物質創成

• 首藤 健一

  東京大学・物性研究所

• 山上 浩志

  京都産業大理

• 後藤 貴行

  東大理

• 大石 陽次郎

  東京学芸大学物理

• 金沢 育三

  東京学芸大学物理

• 野沢 清和

  東京大学物性研究所

• 大石 陽次郎

  東学大物理

• 小泉 知也

  東学大

• 佐野 陽之

  石川高専

• 駒形 栄一

  東学大

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 薫雄

  琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科

• 石坂 香子

  東大物性研

• 日比野 浩樹

  NTT物性科学基礎研

• 栃原 浩

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• 佐藤 公法

  東京学芸大学環境科学分野

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• 石坂 香子

  東京大学物性研究所

• 鈴木 良一

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• 佐藤 公法

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• 竹内 伸

  東理大・基礎工

• 田代 睦

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• 常行 真司

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• 木村 真一

  分子研uvsor:総研大物理

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• 何 珂

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• 伊藤 孝寛

  名大工院

• 木村 真一

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• 鈴木 寛之

  東学大・物理

• 中村 昭彦

  東大・理

• 田中 虔一

  東大物性研

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• 片山 哲夫

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• 常行 真司

  東大理

• 栃原 浩

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• 室隆 桂之

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• 長谷川 哲也

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• 小宇佐 友香

  慶応義塾大学理工学部化学科

• 原沢 あゆみ

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• 水野 清義

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• 村尾 美紀

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• 下山田 篤史

  東大物性研

• 伊藤 孝寛

  東北大院理

• 室 隆佳之

  JASRI

• NIIKURA R.

  東大物性研

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  九大院工

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  九大院工

• 日比野 浩樹

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  千葉大院自然

• 谷治 光一郎

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• 堂山 昌男

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• 佐々木 健

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• 小嗣 真人

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• 吉村 雅満

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• 栃原 浩

  北大触媒研

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• 栃原 浩

  物性研

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  総研大

• 坂本 一之

  千葉大院・融合

• Rossei Federico

  東大物性研

• Eriksson P.E.J.

  Linkoping大学

• Uhrberg R.I.G.

  Linkoping大学

• 松田 巌

  東大理

• 山下 良之

  東大物性研

• 八幡 健司

  東学大物理

• 水野 浩伸

  東学大物理

• Wolf W.

  マテリアルデザイン

• Podloucky R.

  ウイーン大

• 木村 薫

  東大・工

• 高石 隼人

  東学大

• 本田 慈

  東学大

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著作論文

• 21pPSA-1 Co/N/Cu(001)微傾斜面からの非線形光の観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGQ-1 Au/Ge(001)表面に形成される一次元構造のSTM観察II(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27a-ZB-3 アルミニウム微粒子膜と臨界面抵抗II
• 31p-Y-4 アルミニウム微粒子膜とh/4e^2
• 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
• 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
• 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTG-9 窒素吸着銅(001)表面上のスズの表面構造と電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXB-8 窒素吸着銅(001)表面上のC_吸着構造 II(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pZA-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光II(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
• 26aYH-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aYH-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXB-6 Ni 表面における再放出陽電子への吸着水素の効果
• 29pXJ-14 陽電子誘起イオン脱離測定装置の評価
• 18aTH-2 陽電子誘起脱離イオン測定装置の開発
• 27pXC-10 陽電子を用いたNi表面からのイオン脱離
• 25aYK-3 陽電子誘起イオン脱離検出器の開発
• 22pZL-7 陽電子誘起イオン脱離を用いたNi表面の研究
• 24aYA-5 陽電子誘起イオン脱離によるNi表面の評価
• 28a-XJ-9 低速陽電子によるNi表面からの陽電子誘起イオン脱離
• 29a-A-5 陽電子消滅誘起イオン脱離装置開発の現状
• 27pYG-4 銅(001)基板上のc(2x2)-窒化ニッケル単原子層の構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aXB-11 低速陽電子を用いた水素吸着Ni(111)表面の水素吸着量の違いによる比較(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-4 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出特性(領域10,領域9合同格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20pTG-1 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出陽電子(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTH-3 水素雰囲気下において作成した金属薄膜の低速陽電子ビームによる測定と評価
• 25pY-11 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の空孔型欠陥の評価
• 25aYL-4 金属薄膜の低速陽電子ビームを用いた欠陥評価
• 28a-XJ-10 低速陽電子ビーム法による金属薄膜の欠陥評価
• 29a-ZA-8 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の欠陥評価
• 26a-K-7 低速陽電子ビームを用いたイメージングプレートによる陽電子の検出とその特性
• 25a-K-9 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜非晶質化の研究
• 30a-YC-8 低速陽電子寿命法による金属薄膜Fe,Hfの研究
• 21pPSA-14 Rh/N/Cu(001)面の構造(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31a-YK-10 低速陽電子ビーム法による金属多層膜Fe/Hf
• 6a-X-5 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜(Fe/Hf)の研究
• 5p-S-9 低速陽電子ビームを用いたFe金属薄膜の研究
• 29a-A-6 低速陽電子ビームによる磁性人工格子の研究と再放出偏極陽電子
• 28a-E-6 低速陽電子ビームによる金属多層膜Fe/Hfの固相反応の研究
• 低速陽電子ビームを用いた金属薄膜(Fe, Hf)及び金属多層膜(Fe/Hf)の研究
• 陽電子消滅誘起イオン脱離装置の開発II
• 金属多層膜Fe/Hfの作製と低速陽電子ビームによる評価
• 31p-M-13 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜Hf/Feの研究
• 18aTB-1 Si(111)1×1,2×2-Feの界面強磁性(領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
• 31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
• 30p-YT-4 陽電子消滅寿命測定法及び低速陽電子ビームによる準結晶AIPdReの研究
• 24aTK-5 N/Cu(001)表面上のCoナノドットの電子状態(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
• 28aYB-5 Co/N/Cu(001)表面の電子状態(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGQ-5 Ge(111)√×√-Au表面の電子状態(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 窒素吸着Cu(001)表面に形成されたナノサイズCo島の電子状態
• 27aYG-1 Au/Ge(001)及び(111)表面の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-5 Ge(001)表面における局所ホール注入によるGeダイマーの振動励起(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-51 Au/Ge(001)表面に形成される1次元構造のSTM観察(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-44 Ge(001)表面擬1次元系に埋め込まれた不純物IV族元素の散乱ポテンシャル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-43 Cu(001)面上の窒素吸着ドメイン間に形成されるCu細線の構造モデル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-42 強磁性金属を混入したMnN/Cu(001)超構造の構造変化(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-39 表面歪みにより誘起される局所仕事関数の変化(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28a-Q-1 NbSe2表面微小不純物相近傍の超伝導近接効果
• 東大物性研における静電型低速陽電子ビームの開発
• 5a-B1-8 スズのジョセフソンネットワークにおける臨界面抵抗
• 19pPSB-13 Ge(001)面上の銀薄膜の成長 : 価電子帯光電子分光
• 12p-DF-2 銅微粒子膜における電荷KT転移
• 26p-P-10 微粒子膜とクーロン閉塞
• 29pYC-5 水素雰囲気中において作成したFe単層膜の低速陽電子ビームによる評価
• 23pYH-11 水素雰囲気下におけるFe単層膜の作成と低速陽電子ビームによる測定
• 5a-B1-9 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性
• 22aXA-2 Au/Ge(001)表面の電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26p-ZB-13 Al微小トンネル接合の帯電効果
• Al微小トンネル接合のI-V特性
• 6a-ZE-10 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性III
• 18aTB-1 Si(111) 1×1, 2×2-Feの界面強磁性(18aTB 領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-7 STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-21 In蒸着Ge(001)表面のSTM・RHEED観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 14aXG-6 Ag/Ge(001) 表面における表面合金形成過程 II(表面界面電子物性, 領域 9)
• 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 : 表面磁性)(領域9)
• 28pWP-9 Ge(001)清浄面のバイアス電圧パルスによる局所的構造変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27aWP-2 Ag/Ge(001)表面における表面合金形成過程(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 表面磁性)(領域3)
• 20aPS-63 窒素飽和吸着銅 (001) 表面上におけるコバルトドットの XAS と MCD
• 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 5p-B2-7 銅微粒子中における核スピン緩和の異常
• 28a-R-1 アルミニウム微粒子の超伝導と久保効果
• 22pPSB-10 スズ吸着銅(001)表面のSTM観測II(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXB-2 STMによるGe(001)ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の実時間測定(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-10 Cu(001)表面上のMnN超構造の成長過程(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-5 スズ吸着銅(001)表面の構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pTD-1 3/8原子層スズ吸着した銅(001)表面の構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXL-1 STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXK-7 スズ吸着銅(001)表面の電子状態の研究(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-24 スズ吸着銅(001)表面の蒸着量依存構造変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aWX-1 Ge(111)√×√-Au表面の電子状態II(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28p-YM-13 c(2x2)-N/Cu(100)面上のCo薄膜のSTM観察
• 26pYC-5 低温Cu(100)表面における酸素分子の吸着過程(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aYC-1 Cu(001)表面の非線形光学応答の第一原理計算(24aYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-168 Co/N/Cu(001)からのSH光観察(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-67 窒素吸着した Cu(001) 表面の SHG 観察(領域 9)
• 28pPSB-58 合金ドットの磁性
• Cu(100)-c(2×2)N基板上への磁性金属ドットの作製
• 先端追跡
• 25aWS-4 Cu(001)面上への窒素吸着に伴う応力の2種類の緩和機構(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWS-3 Rh/N/Cu(001)面の構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pWS-1 Ge(001)表面上の不純物ダイマーにおける振動励起(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-94 窒素吸着したCu(001)表面からのSH光の観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 7a-PS-12 光照射下Si(111)面のSTMを用いた観察
• 29a-PS-64 光電子分光による塩素吸着Si(111)表面の電子刺激脱離
• 31aZF-6 Cu ポイントコンタクトの伝導性
• 20aWD-9 STM探針操作による鉄原子架橋の構造と磁性制御
• 21aXJ-7 スズ吸着銅(001)表面のSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aYH-7 スズ吸着銅(001)表面の構造と熱処理による変化(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 格子歪が誘起する金属表面の電子状態変化
• 23pYC-4 格子歪によるCu(100)ショックレー状態の変化(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXJ-3 格子歪のある酸素吸着Cu(100)表面の光電子分光(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pXF-7 Cu(100)表面電子状態の応力依存性II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15pXE-9 Cu(100) 表面電子状態の応力依存性(表面界面電子物性, 領域 9)
• 14pXF-6 Co/N/Cu(001) 表面の格子歪みによる吸着窒素原子の析出(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
• 25aXD-2 局所歪みのあるCu(001)表面におけるIn/Cu構造のSTM観察(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-38 ガス吸着による表面パターンの制御(領域 9)
• 30pYE-1 窒素飽和吸着銅(001)表面におけるCoドット成長のSTM観察(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
• 20aYE-8 Cu(111)上のFeナノアイランドの磁性(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-159 鉄ポイントコンタクトのナノ物性II(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aYF-9 Si(001)におけるFe原子の吸着・侵入経路の第一原理計算(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 13aXG-5 Cu(111) 上の磁性薄膜の電気伝導性(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
• 13aXG-1 鉄ポイントコンタクトのナノ物性(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
• 30aWP-7 磁性ポイントコンタクトのナノ物性(ナノ構造量子物性)(領域9)
• 27pPSA-62 Cu(111)上の磁性薄膜における磁気異方性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 20pYE-6 銅表面上の鉄ナノワイヤーにおける伝導性 II
• 20pYE-3 原子移動に伴うポイントコンタクトの量子伝導性の変化
• 31aZF-1 銅表面上の鉄ナノワイヤーにおける伝導性
• 24aYH-9 銅(001)面上の窒化マンガン規則ナノ構造形成(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-7 Ge(001)表面電子状態へのトンネルキャリアー注入による非局所構造変化(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25a-ZB-9 永続光伝導体における超伝導近接効果
• 27pYB-7 窒素吸着銅(001)表面上のスズ原子配列のSTM観測(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aTA-3 Co ドットの X 線吸収スペクトル
• 31aZE-8 Co/N/Cu(001) 表面・界面における XAS・MCD
• 20aRE-11 酸素欠陥のあるTiO_2の電気的特性と欠陥移動
• 30pYE-9 Cu(001)表面における窒素・酸素共吸着ナノパターン形成(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
• 22aYE-6 Cu(001) 表面における窒素・酸素の共吸着
• 31pZF-2 N/Cu(001) と Fe/N/Cu(001) 表面における酸素吸着
• 28aWD-5 窒素吸着により Cu(001) 微斜面上に形成されるナノパターン : モデル
• 28aWD-4 窒素吸着により Cu (001) 微斜面上に形成されるナノパターン : STM 観察
• 17pWD-10 Ge(001)面上の銀薄膜の成長: 内殻光電子ピークの観察
• 30pYQ-5 Ge(001)表面上のAg薄膜の電子状態
• 28aXE-3 C(2×2)-N/Cu(001)表面における遷移金属超薄膜の成長
• 21aPS-16 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態III(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWB-6 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14aXG-5 Ge(001)c(4×2) 清浄表面の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 21aWH-3 STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aYH-4 STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移II(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYB-4 STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-64 酸素吸着銅(001)表面上のコバルト超薄膜の成長と磁性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYB-4 酸素吸着銅(001)表面上のコバルト超薄膜の初期成長(領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYB-4 酸素吸着銅(001)表面上のコバルト超薄膜の初期成長(領域3,領域9合同,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pPSB-22 Pt(111)表面上のFe_3O_4(111)薄膜の成長とバンド構造
• 22aXC-11 Fe_3O_4(111)薄膜のスピン分解光電子分光
• 27a-PS-65 強磁性超薄膜の磁気光学効果の測定
• 22pPSB-12 Cu(001)表面における酸素の解離吸着(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-11 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(3)(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXJ-4 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(2)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aTG-3 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• STM探針からの電子・正孔注入による電子輸送制御
• 24pPSA-9 5d遷移金属/Ge(001)表面の電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pYJ-7 STMによる1次元電子状態スイッチ(領域9シンポジウム主題:探針型プローブ-表面間相互作用の新展開,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30p-TB-15 永続的光伝導による金属絶縁体転移IV
• 6p-B1-2 AlGaAsの永続光伝導による金属・非金属転移III
• 6a-B1-10 無電極リングのAAS効果
• 17pWD-9 Ge(001)表面におけるAg初期吸着過程の低温STM観察
• メゾスコピック系と超伝導
• 量子力学と摩擦--電気抵抗のあるジョセフソン効果
• 28a-Q-2 AlGaAsの永続光伝導による金属非金属転移 II
• 固体表面におけるナノ磁性体の実験
• 29pPSA-4 銅(001)面上のコバルト超薄膜磁性のセシウム吸着効果
• 24aE-9 窒素吸着Cu(001)面上のCo微小ドット2次元配列の磁性
• 26aPS-16 N-Cu(001)表面におけるFe、Co、Niの超薄膜構造
• 24aZ-5 N/Cu(001)面上のコバルト微細構造の強磁性測性
• 29a-PS-42 コバルト超薄膜の磁気光学効果の測定
• トンネルキャリア注入とその伝播によるナノスケール遠隔原子操作
• 27pYB-5 Ge(001)表面のトンネルキャリアー注入による構造変化II(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-6 境界移動で観測したGe(001)表面状態伝導の解析(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXD-9 Ge(001)清浄表面でのバイアス電圧パルスによるc(4×2), p(2×2)構造の境界の移動(II)(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-10 Ge(001) 清浄表面でのバイアス電圧パルスによる c(4×2), p(2×2) 構造の境界の移動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 31aWD-7 STM による Ge(001) 清浄面の超構造制御
• 17aWD-12 Cu(001)面上のCo超薄膜磁性のCs吸着構造と磁性
• 24aPS-11 セシウム吸着による遷移金属超薄膜の磁性の変化
• 18aWA-13 Cs吸着fccCo(001)薄膜の磁気異方性変化
• 30aPS-10 酸素欠陥を含むルチル型TiO_2(110)からの光第二高調波発生(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-30 Ge(001)表面におけるSn dimer配列の温度依存性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXD-10 Sn吸着Ge(001)表面のSTM観察(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 29a-PS-41 Kikuchi electron holographyによるGe表面の研究

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