小森 文夫 | 東京大学物性研究所

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概要

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関連著者

• 小森 文夫

  東京大学物性研究所

• 小森 文夫

  東大物性研

• 中辻 寛

  東大物性研

• 飯盛 拓嗣

  東大物性研

• 新倉 涼太

  東大物性研

• 山田 正理

  東大物性研

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院

• 田中 悟

  九大院工

• 森田 康平

  九大院工

• 金沢 育三

  東学大・物理

• 金沢 育三

  東京学芸大学物理

• 福谷 克之

  東京大学生産技術研究所

• 金沢 育三

  東京学芸大

• 岩崎 悠真

  東大物性研

• 柴田 祐樹

  東大物性研

• 野沢 清和

  東京大学物性研究所

• 野沢 清和

  東大物性研

• 吉村 継生

  東大物性研

• 松田 巌

  東大物性研

• 伊藤 泰男

  東京大学原子力研究総合センター

• 大石 陽次郎

  東京学芸大学物理

• 金沢 育三

  東京学芸大.物

• 金沢 育三

  東京学芸大学教育学部

• 福谷 克之

  東大生産技術研

• 広田 幸二

  東京学芸大学物理

• 中西 寛

  大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 中辻 寛

  東京大学物性研究所

• 元村 勇也

  東大物性研

• 上原 直也

  九大院工

• 松田 巌

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• 中辻 寛

  東工大院理工

• Taskin Alexey

  阪大産研

• 安藤 陽一

  阪大産研

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  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 笠井 秀明

  大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻

• 笠井 秀明

  大阪大学大学院工学研究科

• 岸 智弥

  大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 岸 智弥

  阪大工

• 大野 真也

  横国大

• 岸 智弥

  大阪大学大学院工学研究科

• 栗栖 悠輔

  九大院工

• Kasai Haruo

  Department Of Electronics Chiba University

• 水野 清義

  九大院総理工

• 村田 好正

  東大生産研

• 村田 好正

  東大生研

• 松田 巌

  東大理

• 富松 宏太

  東大物性研

• 河村 紀一

  NHK放送技研

• 近藤 寛

  慶応大理工

• DINO Wilson

  大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 近藤 寛

  慶応大学

• 吉本 芳英

  東京大学物性研究所

• 高木 康多

  理化学研究所播磨研究所

• 近藤 寛

  慶應義塾大学

• 中村 史一

  東大物性研究所

• 奥田 太一

  広大放射光セ・先端計測

• 中村 史一

  東大院理

• 西出 聡悟

  東大物性研

• 奥田 太一

  広大放射光セ

• 鈴木 寛之

  東学大・物理

• 小宇佐 友香

  慶応義塾大学理工学部化学科

• 柿崎 明人

  東京大学物性研究所

• 内田 鳩子

  東京学芸大学物理

• 村田 好正

  東京大学生産技術研究所

• 大野 真也

  横国大工

• 有井 新之助

  東京学芸大学物理

• 大澤 麻衣子

  東京学芸大学物理

• 鈴木 寛之

  東京学芸大学物理

• 安藤 陽一

  大阪大学産業科学研究所

• 高木 康多

  理化学研究所・播磨研究所

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  広島大学放射光科学研究センター

• 関場 大一郎

  東京大学物性研究所

• 飯盛 拓嗣

  東京大学物性研究所

• 鈴木 宣之

  東学大・物理

• 服部 賢

  奈良先端大

• 小宇佐 友香

  慶応理工

• 近藤 寛

  慶応理工

• 吉本 芳英

  東大物性研:(現)鳥取大工応数

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• 内田 鳩子

  東京学芸大物理

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• 服部 賢

  東京大学物性研究所

• 奥田 太一

  広大放射光

• 中村 史一

  東大物性研

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  東大物性研

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• 木村 真一

  分子研uvsor:総研大物理

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• 木村 真一

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• 渡部 俊太郎

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• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 白澤 徹郎

  東大物性研

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• 山上 浩志

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• BERTRAN F.

  SOLEIL/LURE

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  SOLEIL/LURE

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  SOLEIL/LURE

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  東大物性研

• 武市 泰男

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• 関場 大一郎

  東京大学生産技術研究所, JST-CREST

• 木村 真一

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 山本 貴士

  東理大理:東大物性研

• 柳生 数馬

  東大物性研

• 大野 真也

  東大物性研

• 興地 斐男

  和歌山工業高等専門学校

• Yan Binghai

  ブレーメン大

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  ブレーメン大

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  ブレーメン大

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  清華大学

• Frauenheim Thomas

  ブレーメン大

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  清華大学

• Yan Binghai

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• 中村 史一

  東大理

• 何 珂

  東京大学物性研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• Taskin Alexy

  阪大産研

• Duan Wenhui

  清華大

• 柳生 数馬

  東工大院理工

• 山上 浩志

  京都産業大

• 渡部 俊太郎

  東理大総合研

• SUZUKUI Yasuyuki

  Research Center for Nuclear Physics, Niigata University

• 中村 史一

  東大理:東大物性研

• 富松 宏太

  東京大学物性研究所

• angelo Marie

  INSP Paris

• 飯森 拓嗣

  東大物性研

• 何 珂

  中国科学院

• 山本 貴士

  東大物性研

• 吉澤 俊介

  東大物性研

• 辛 埴

  東大物性研:jst-crest:理研

• 渡部 俊太郎

  東理大総研機構

• 中辻 寛

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 中西 寛

  大阪大学大学院工学研究科

• SUZUKI Yasuyuki

  Department of Physics, and Graduate School of Science and Technology, Niigata University

• 高木 康多

  東京大学物性研究所

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著作論文

• 21pPSA-1 Co/N/Cu(001)微傾斜面からの非線形光の観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGQ-1 Au/Ge(001)表面に形成される一次元構造のSTM観察II(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
• 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 14pXF-2 低速陽電子ビームを用いた水素吸着 Ni(111) 表面の評価(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
• 28pXM-12 陽電子誘起イオン脱離法を用いた低温金属単結晶表面実験システムの開発および評価(X線・粒子線(陽電子・コンプトン散乱))(領域10)
• 30a-YC-9 Ni表面からの陽電子刺激イオン脱離
• 27pYG-4 銅(001)基板上のc(2x2)-窒化ニッケル単原子層の構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aTD-4 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出特性(領域10,領域9合同格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20pTG-1 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出陽電子(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pXJ-6 低速陽電子ビームによるNi(111)表面での吸着水素作用の研究(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aXF-1 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着層の研究(表面・界面ダイナミクス(金属表面・理論),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aWB-7 低速陽電子ビームを用いたNi(111)水素吸着層の研究(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 21pPSA-14 Rh/N/Cu(001)面の構造(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGQ-5 Ge(111)√×√-Au表面の電子状態(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 窒素吸着Cu(001)表面に形成されたナノサイズCo島の電子状態
• 27aYG-1 Au/Ge(001)及び(111)表面の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-5 Ge(001)表面における局所ホール注入によるGeダイマーの振動励起(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-51 Au/Ge(001)表面に形成される1次元構造のSTM観察(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWX-1 Ge(111)√×√-Au表面の電子状態II(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWS-4 Cu(001)面上への窒素吸着に伴う応力の2種類の緩和機構(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWS-3 Rh/N/Cu(001)面の構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pWS-1 Ge(001)表面上の不純物ダイマーにおける振動励起(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-94 窒素吸着したCu(001)表面からのSH光の観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 鉄-ニッケル合金原子架橋の構造と磁性
• 格子歪が誘起する金属表面の電子状態変化
• 走査トンネル顕微鏡探針と表面間に形成される銅ポイントコンタクトの伝導性
• Cu表面上Fe薄膜のバンド構造と表面局在状態
• 表面磁気光学カｰ効果による表面ナノ構造の磁性研究
• 銅(111)上の鉄ナノワイヤ-における磁性
• STM探針からの電子・正孔注入による電子輸送制御
• 固体表面におけるナノ磁性体の実験
• トンネル注入したキャリアーの表面伝播による非局所相転移誘起(最近の研究から)
• Ge(001)表面における表面構造の操作
• 26aTA-7 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aTA-6 傾斜SiC上の埋め込まれたグラフェンナノリボンのラマン分光特性(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pPSA-59 Cu(001)面上における表面ナノ構造の作製とSH光の観測(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-44 Ge(001)表面上の不純物ダイマーにおける振動励起II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-24 窒素飽和吸着Cu(001)面上に形成されるトレンチの構造モデル(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-25 Rh/N/Cu(001)面の構造(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 銅(111)上の鉄ナノワイヤ-における磁性
• 26aTH-3 Bi_Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aTH-3 微傾斜Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造と電子状態(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTG-6 Au/Ge(111)表面のSTM観察(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-2 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pHA-5 Au/Ge(111)表面のSTMによる原子構造研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pTC-9 Bi_Sb_x(111)表面における準粒子干渉の走査トンネル分光測定(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pRC-6 Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造の電子バンド形状(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aJB-1 窒素飽和吸着Cu(001)面における圧縮応力の緩和機構(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 超高真空極低温STM(2) : 試作のノウハウ
• 超高真空極低温STM(1) : 試作のノウハウ
• 領域9・領域5「光と走査プローブ顕微鏡の融合によるナノサイエンス」(2011年秋季大会シンポジウムの報告,学会報告)
• エピタキシャルグラフェンの成長と電子物性
• 学術講演会は講演会か？

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