石田 行章 | 東大物性研
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概要
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石田 行章
東大物性研
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辛 埴
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石坂 香子
東京大学物性研究所
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東大物性研
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石坂 香子
東大物性研
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東大物性研
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石田 行章
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大橋 治彦
JASRI, SPring-8
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大橋 治彦
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仙波 泰徳
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CAS
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江口 律子
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西野 吉則
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Chen C.
CAS
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理研
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難波 孝夫
神戸大院理
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理研
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日大理工
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神戸 高志
岡山大院自然
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久保園 芳博
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矢橋 牧名
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小堀 洋
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小堀 洋
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細野 秀雄
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石川 哲也
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小林 啓介
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金子 良夫
ERATO
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Chainani Ashish
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高田 恭孝
理研
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村岡 祐治
東大物性研
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石川 哲也
SPring-8 理研
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物材機構
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佐藤 徹
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馬場 輝久
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Chainani Ashish
理研SPring-8
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チャイナニ アシシ
理研 SPring-8
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笹目 大樹
日大理工
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Wang X.-Y.
CAS
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松田 祐司
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寺嶋 孝仁
JST-TRIP
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高木 英典
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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伊豫 彰
JST-TRIP
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永崎 洋
JST-TRIP
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藤森 淳
東大新領域
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藤森 淳
東京大学大学院理学系研究科
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小森 文夫
東京大学物性研究所
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矢橋 牧名
理化学研究所
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矢橋 牧名
理研・jasri X線自由電子レーザー合同計画推進本部
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矢橋 牧名
(財)高輝度光科学研究センタービームライン・技術部門
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Chen C.
中国科学院
著作論文
- 20pGA-4 層状Ni酸化物R_Sr_xNiO_4における角度分解光電子分光(20pGA 銅酸化物1(高温超伝導,擬ギャップなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aHV-12 Pbドーピングによるトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3のP-N制御(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aPS-19 2次元三角格子Ag_2NiO_2、Ag_2MnO_2の共鳴光電子分光(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 25pRL-3 (BaK)Fe_2As_2のレーザー角度分解光電子分光II : 超伝導ギャップ対称性と擬ピークの起源(鉄系超伝導体2(光電子分光),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 30pTC-5 レーザー角度分解光電子分光によるBaFe_2As_2のフェルミ面観測(30pTC 鉄砒素超伝導体6(光電子分光,STM),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30pTC-3 レーザー角度分解光電子分光による鉄系超伝導体Ba_K_Fe_2As_2の電子状態の直接観測(30pTC 鉄砒素超伝導体6(光電子分光,STM),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aHK-3 硬X線光電子分光によるFe_3O_4の電子状態研究(21aHK 光電子分光(超伝導・磁性・強相関系)・MCD・X線発光,領域5(光物性))
- 22aWF-6 α-TDAE-C_単結晶の軟X線光電子分光(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pYG-4 NdNiO_3薄膜のin-situ軟X線光電子分光
- 21aPS-83 Yb_の系における硬X線・軟X線光電子分光(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pYB-7 鉄珪化物超伝導体Lu_2Fe_3Si_5のバルク光電子分光(23pYB その他超伝導,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20pGH-5 レーザー角度分解光電子分光による鉄系超伝導体BaFe_2(As_P_x)_2のフェルミ面及び超伝導ギャップ観測II(20pGH FeAs系超伝導(分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pRL-5 レーザー角度分解光電子分光による鉄系超伝導体BaFe_2(As_P_)_2のフェルミ面及び超伝導ギャップ観測(鉄系超伝導体2(光電子分光),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 21aYK-5 酸化物希薄磁性半導体Zn_Co_xOの軟X線磁気円二色性による研究 : 反強磁性相互作用と強磁性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pYH-9 Yb^の系における硬X線光電子分光(光電子分光(表面・超薄膜・低次元物質),領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pPSB-12 FeSeの電子状態における置換効果II(20pPSB 領域8ポスターセッション(低温III(鉄系超伝導体)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWQ-5 Electronic structure of Hg_2Ru_2O_7 and Tl_2Ru_2O_7 studied using photoemission spectroscopy
- 23aPS-43 FeGa_3におけるエネルギーギャップの観測(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aWF-11 FeSi_Ge_xのX線分光(II) : 共鳴光電子分光測定(強磁性金属,金属絶縁体転移,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 熱電コバルト酸化物のキャリア・エントロピーの光電子分光による直接観測
- 19pWG-5 共鳴光電子分光法によるNb添加SrTiO_3薄膜の電子状態の研究(19pWG Ti系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 30aVA-3 Bi2212の時間分解角度分解光電子分光(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
- 28aVL-5 Bi2212の時間分解光電子分光 : 準粒子の超高速加速(28aVL 高温超伝導2(光電子分光・トンネル分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aYJ-9 時間分解光電子分光法によるBi2212の研究(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pGA-5 Bi2212の光励起状態におけるスペクトルおよびフェルミ面観測(20pGA 銅酸化物1(高温超伝導,擬ギャップなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26aXA-11 時間分解ARPESによるBi2212の研究(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
- 26pRK-1 ノード領域から擬ギャップ領域にわたるBi2212の時間分解ARPES(高温超伝導(光電子分光,トンネル分光,光学応答など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 22aWG-13 強相関熱電材料Sr_Rh_2O_4の軟x線光電子分光(Co酸化物,熱電材料,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20aYG-3 Bi2212の時間分解角度分解光電子分光(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aWB-12 グラファイトの時間分解光電子分光(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22pTQ-13 レーザー高調波を用いた時間分解光電子分光による光誘起相転移の研究5(光誘起相転移,領域5,光物性)
- 23pZR-18 VO_2薄膜の硬X線光電子分光(23pZR V系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20aYA-13 Fe系高温超伝導体のレーザー光電子分光(20aYA 鉄オキシニクタイド1(合成,圧力効果,光電子分光など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pRL-11 FeSeの電子状態における置換効果(鉄系超伝導体2(光電子分光),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 30pTC-6 FeSe関連物質における高分解能光電子分光(30pTC 鉄砒素超伝導体6(光電子分光,STM),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aTK-5 LaNiO_3薄膜の軟X線角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
- 18pZA-7 LaNiO_3薄膜のin situ軟X線光電子分光III(光電子分光(超伝導体・強相関系),領域5,光物性)
- 22aTG-10 II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの局所的電子構造(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-9 熱拡散Mn/GaAs(001)界面の光電子分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aRL-6 新規有機物質の正・逆光電子分光による電子状態の観測(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pTA-8 II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの軟X線磁気円二色性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aHB-10 極紫外レーザー光電子の超高速加速と時間分解ARPES(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
- 26aHB-11 時間分解光電子分光から見た近藤半導体YbB_の混成ギャップ形成(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
- 26aHB-9 Cu_xBi_2Se_3の時間分解光電子分光(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
- 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTN-6 時間分解光電子分光によるSmB_6の近藤ギャップ観測(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 22aTN-5 時間分解光電子分光から見た近藤半導体YbB_の混成ギャップ形成II(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))
- 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-4 グラファイト及び2層グラフェンの赤外超高速発光の観察(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pCK-1 円二色性ARPESで見るSrTiO_3とCu_xBi_2Se_3の表面電子状態(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pYH-7 銅酸化物高温超伝導体における擬ギャップ秩序の発達とフェルミ面の崩壊(25pYH 高温超伝導2(理論・電子構造・スペクトロスコピー),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 26pBD-8 ドープしたトポロジカル絶縁体の極紫外レーザー時間分解ARPES(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pBD-7 レーザー励起角度分解光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体の電子状態の研究(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pBD-6 直線偏光レーザーARPESを用いたトポロジカル絶縁体Cu_Bi_2Se_3の表面電子状態の研究(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aGA-6 BaFe_2(As, P)_2における擬ギャップ(20aGA 鉄砒素系3(光電子分光),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aEA-1 偏光を用いたレーザー励起型角度分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3の研究(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aGA-2 広い温度領域におけるBa_K_xFe_2As_2の電子状態観測(20aGA 鉄砒素系3(光電子分光),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aGB-4 レーザー励起型角度分解光電子分光を用いて研究した銅酸化物高温超伝導体の準粒子分散(21aGB 高温超伝導2(スペクトロスコピー),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))
- 18pFE-8 ドープしたBi_2Se_3の表面分極を介した超高速非線形光電子放出(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXG-2 レーザー励起型角度分解光電子分光で観察したカリウム蒸着により変化するトポロジカル絶縁体の表面電子状態(28pXG トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXK-3 Cu_Bi_2Se_3における時間分解ARPESの極紫外エネルギー依存性(26aXK 表面界面電子物性・トポロジカル,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29aEJ-10 時間分解光電子分光を用いた2H-NbSe_2の緩和過程の研究(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 29aEJ-2 レーザー励起型角度分解光電子分光を用いて研究したルテニウム酸化物の表面電子状態(29aEJ 光電子分光,領域5(光物性))
- 28pEJ-4 極紫外レーザー時間分解光電子分光で見たVO_2の光誘起相転移(28pEJ 超高速現象,領域5(光物性))
- 25aJA-3 STMおよび時間分解光電子分光によるBi_Sb_Te_Se_の電子状態(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pDB-5 レーザー励起型角度分解光電子分光で研究したルテニウム酸化物Ca_Sr_xRuO_4の表面電子状態(光電子分光(磁性体,表面・薄膜),領域5(光物性))
- 29pCE-13 角度分解光電子分光で観測したパイロクロア型イリジウム酸化物Pr_2Ir_2O_7のフェルミノード状態(29pCE イリジウム酸化物(理論・実験),領域8(強相関係))
- 27pCM-4 銅酸化物高温超伝導体Bi_2Sr_2CaCu_2O_のノード近傍で解く電子対ギャップの成り立ち : レーザー励起型角度分解光電子分光(27pCM 銅酸化物1,領域8(強相関系))
- 30pAQ-1 トポロジカル絶緑体Bi_Sb_Te_Se_の非占有電子ダイナミクス(30pAQ 領域9,領域4合同 トポロジカル表面,領域9(表面・界面・結晶成長))