26aHB-11 時間分解光電子分光から見た近藤半導体YbB_<12>の混成ギャップ形成(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
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概要
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- 2011-03-03
著者
-
大川 万里生
東大物性研
-
辛 埴
東大物性研
-
伊賀 文俊
広大院先端
-
高畠 敏郎
広大院先端物質
-
高畠 敏郎
広大先端物質
-
石田 行章
東大物性研
-
渡部 俊太郎
東大物性研
-
大川 万里夫
東大物性研
-
Chen C.T.
CAS
-
伊賀 文俊
広大先端物質
-
伊賀 文敏
広大先端研
-
高畑 敏郎
広大院先端物質
-
Sakita Shigenobu
Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University
-
Shin S
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
-
渡部 俊太郎
東理大総合研
-
島田 智子
東大物性研
-
Chen Chuang-Tian
中国科学院
-
渡部 俊太郎
東理大総研
-
辛 埴
東大物性研:jst-crest:理研
-
Chen Chuangtian
中国科学院
-
渡部 俊太郎
東理大総研機構
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