中辻 寛 | 東大物性研

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概要

• 同名の論文著者
• 東大物性研の論文著者

関連著者

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 飯盛 拓嗣

  東大物性研

• 山田 正理

  東大物性研

• 小森 文夫

  東京大学物性研究所

• 大野 真也

  東大物性研

• 大野 真也

  横国大

• 柳生 数馬

  東大物性研

• 高木 康多

  東大物性研

• 柳生 数馬

  東工大院理工

• 田中 悟

  九大院工

• 高木 康多

  理化学研究所播磨研究所

• 新倉 涼太

  東大物性研

• 富松 宏太

  東大物性研

• 森田 康平

  九大院工

• 吉本 芳英

  東大物性研

• 宮岡 秀治

  日立材料研

• 吉本 芳英

  東京大学物性研究所

• 矢治 光一郎

  京大院理:jst Crest

• 矢治 光一郎

  東大物性研

• 土肥 俊介

  東大物性研

• 宮岡 秀治

  東大物性研

• 柴田 祐樹

  東大物性研

• 雨宮 健太

  東大理

• 松村 大樹

  東大理

• 関場 大一郎

  東京大学物性研究所

• 松田 巌

  東大物性研

• 奥田 太一

  東大物性研

• 岩崎 悠真

  東大物性研

• 原沢 あゆみ

  東大物性研

• 関場 大一郎

  東大物性研

• 太田 俊昭

  東大理

• Taskin Alexey

  阪大産研

• 安藤 陽一

  阪大産研

• 太田 俊明

  東大理

• 武市 泰男

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 水野 清義

  九大院総理工

• 脇田 高徳

  岡山大院自然:jst-crest

• 横山 利彦

  分子研

• 辛 埴

  東大物性研

• 木村 昭夫

  広大理

• 今田 真

  阪大基礎工

• 木下 豊彦

  東大物性研

• 松村 大樹

  原子力機構

• 脇田 高徳

  Jasri

• 奈良 裕樹

  東大物性研

• 木下 豊彦

  NEDO

• 高木 康多

  理研 SPring-8

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 横山 利彦

  分子科学研究所

• 奥田 太一

  広島大学放射光科学研究センター

• 中山 龍一

  東大物性研

• 吉本 芳英

  東大物性研:(現)鳥取大工応数

• 西出 聡悟

  東大物性研

• 奥田 太一

  広大放射光セ

• 松田 巌

  東大理

• 河村 紀一

  NHK放送技研

• 近藤 寛

  慶応大理工

• 雨宮 健太

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所

• 近藤 寛

  慶応大学

• 内藤 賀公

  東大物性研

• 北川 聡一郎

  東大理

• Liu Xiangdong

  東大物性研

• 室 隆桂之

  JASRI

• 原田 慈久

  東大院工

• 石井 晃

  鳥取大学大学院工学研究科

• 石田 行章

  東大物性研

• 石川 哲也

  理研 SPring-8

• 高田 恭孝

  理研 SPring-8

• 竹内 智之

  JASRI, SPring-8

• 石川 哲也

  理化学研究所

• 石川 哲也

  独立行政法人理化学研究所播磨研究所

• 柿崎 明人

  東京大学物性研究所

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 竹内 智之

  理研 SPring-8

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 高田 恭孝

  東大新領域:理研:spring8

• 徳島 高

  理研:spring8

• 竹内 智之

  Jasri Spring-8

• 石川 哲也

  理化学研究所放射光科学総合研究センター

• Lu Bin

  東大物性研

• 坂木 一之

  東北大院理

• 徳島 高

  理研 Spring-8

• 原田 慈久

  理研 SPring-8

• 石井 晃

  鳥取大工

• 北川 聡一郎

  東大院理

• 石井 晃

  鳥取大 工

• 太田 俊明

  分子研

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 吉信 淳

  東大物性研

• 中村 史一

  東大院理

• 辛 埴

  理研 SPring-8

• 吉信 淳

  東京大学物性研究所

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 小宇佐 友香

  慶応義塾大学理工学部化学科

• 山上 浩志

  京産大院理

• 太田 俊明

  立命館大学SRセンター

• 萩原 好人

  九大院工

• 林 賢二郎

  九大院総理工

• 馬渡 健児

  東北大院理

• 金井 輝人

  東大物性研

• 山上 浩志

  京都産業大理

• 安藤 陽一

  大阪大学産業科学研究所

• BERTRAN F.

  SOLEIL/LURE

• FEVRE P.

  SOLEIL/LURE

• TALEB-IBRAHIMI A.

  SOLEIL/LURE

• Duan Wenhui

  清華大学

• Yan Binghai

  清華大

• 橋本 陽一朗

  東大物性研

• 太田 俊明

  東大物性研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 根本 直樹

  東大物性研

• 小宇佐 友香

  慶応理工

• 近藤 寛

  慶応理工

• Duan Wenhui

  清華大

• 山上 浩志

  京都産業大

• 渡部 俊太郎

  東理大総合研

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 薫雄

  琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科

• 石坂 香子

  東大物性研

• 日比野 浩樹

  NTT物性科学基礎研

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 石坂 香子

  東京大学物性研究所

• 中嶋 誠

  東大物性研

• 末元 徹

  東大物性研

• 常行 真司

  東大院理

• 水谷 五郎

  北陸先端大マテリアル

• 木村 真一

  分子研uvsor:総研大物理

• 伊藤 孝寛

  名大工

• 何 珂

  中国科学院物理研

• 伊藤 孝寛

  名大工院

• 木村 真一

  UV-SOR

• 横山 利彦

  東大理

• 渡部 俊太郎

  東大物性研

• 江口 豊明

  東大物性研

• 常行 真司

  東大理

• 栃原 浩

  九大総理工

• 室隆 桂之

  JASRI

• 原沢 あゆみ

  東京大学物性研究所

• 水野 清義

  九大総理工

• 村尾 美紀

  北陸先端大材料

• 佐野 陽之

  北陸先端大材料

• 下山田 篤史

  東大物性研

• 伊藤 孝寛

  東北大院理

• 室 隆佳之

  JASRI

• NIIKURA R.

  東大物性研

• チェンダ スレイ

  九大院工

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 林 賢二郎

  九大総理工

• 今井 彩子

  千葉大院自然

• 角田 治哉

  千葉大院自然

• 谷治 光一郎

  東大物性研

• 田中 悟

  九大工院

• 吉澤 俊介

  東工大理

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• 栃原 浩

  物性研

• 坂本 一之

  千葉大院・融合

• Rossei Federico

  東大物性研

• Eriksson P.E.J.

  Linkoping大学

• Uhrberg R.I.G.

  Linkoping大学

• 大野 真也

  横国大工

• 佐野 陽之

  石川高専

• 浜田 雅之

  東大物性研

• 遠山 尚秀

  千葉大自然科学

• 脇田 高徳

  東大物性研

• Nath Krishna

  原研東海

• 橋本 陽一郎

  東大物性研

• 高木 康多

  理化学研究所・播磨研究所

• 江口 豊明

  東京大学物性研究所

• 森 文夫

  東大物性研

• 松田 厳

  東大物性研

• 武市 泰男

  東大理

• 遠山 尚秀

  千葉大自然

• Uhrberg R.i.g.

  Linkoping University

• 関場 大一郎

  東大生産研

• 呂 斌

  東大物性研

• 木村 真一

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 山本 貴士

  東理大理:東大物性研

• 中辻 寛

  東京大学物性研究所

• 飯盛 拓嗣

  東京大学物性研究所

• Yan Binghai

  ブレーメン大

• Yam Chiyung

  ブレーメン大

• Rosa Andreia

  ブレーメン大

• Xu Yong

  清華大学

• Frauenheim Thomas

  ブレーメン大

• Zhou Gang

  清華大

• 中村 史一

  東大理

• 何 珂

  東京大学物性研究所

• 木下 豊彦

  高輝度光科学研究センター(jasri)

• Nath K.

  原研東海

• Nath K.G.

  NTT物性基礎研

• 北川 総一郎

  東大理

• Taskin Alexy

  阪大産研

• 栃原 浩

  九大

• 宮岡 秀治

  NHK技研

• 劉 何東

  東大物性研

• Cai Yong

  科技団

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著作論文

• 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGQ-1 Au/Ge(001)表面に形成される一次元構造のSTM観察II(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
• 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
• 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTG-9 窒素吸着銅(001)表面上のスズの表面構造と電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXB-8 窒素吸着銅(001)表面上のC_吸着構造 II(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pZA-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光II(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
• 26aYH-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aYH-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYG-4 銅(001)基板上のc(2x2)-窒化ニッケル単原子層の構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pZH-9 S/GaAs (100) 上の Co クラスターの光電子分光
• 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pPSA-14 Rh/N/Cu(001)面の構造(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTK-5 N/Cu(001)表面上のCoナノドットの電子状態(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
• 28aYB-5 Co/N/Cu(001)表面の電子状態(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGQ-5 Ge(111)√×√-Au表面の電子状態(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 窒素吸着Cu(001)表面に形成されたナノサイズCo島の電子状態
• 27aYG-1 Au/Ge(001)及び(111)表面の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-5 Ge(001)表面における局所ホール注入によるGeダイマーの振動励起(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-51 Au/Ge(001)表面に形成される1次元構造のSTM観察(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-44 Ge(001)表面擬1次元系に埋め込まれた不純物IV族元素の散乱ポテンシャル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-43 Cu(001)面上の窒素吸着ドメイン間に形成されるCu細線の構造モデル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-42 強磁性金属を混入したMnN/Cu(001)超構造の構造変化(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-39 表面歪みにより誘起される局所仕事関数の変化(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19pPSB-13 Ge(001)面上の銀薄膜の成長 : 価電子帯光電子分光
• 22aXA-2 Au/Ge(001)表面の電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-7 STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-21 In蒸着Ge(001)表面のSTM・RHEED観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 14aXG-6 Ag/Ge(001) 表面における表面合金形成過程 II(表面界面電子物性, 領域 9)
• 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 : 表面磁性)(領域9)
• 28pWP-9 Ge(001)清浄面のバイアス電圧パルスによる局所的構造変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27aWP-2 Ag/Ge(001)表面における表面合金形成過程(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 表面磁性)(領域3)
• 20aPS-63 窒素飽和吸着銅 (001) 表面上におけるコバルトドットの XAS と MCD
• 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-10 スズ吸着銅(001)表面のSTM観測II(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXB-2 STMによるGe(001)ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の実時間測定(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-10 Cu(001)表面上のMnN超構造の成長過程(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-5 スズ吸着銅(001)表面の構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pTD-1 3/8原子層スズ吸着した銅(001)表面の構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXL-1 STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXK-7 スズ吸着銅(001)表面の電子状態の研究(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-24 スズ吸着銅(001)表面の蒸着量依存構造変化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aWX-1 Ge(111)√×√-Au表面の電子状態II(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWS-4 Cu(001)面上への窒素吸着に伴う応力の2種類の緩和機構(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aWS-3 Rh/N/Cu(001)面の構造(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pWS-1 Ge(001)表面上の不純物ダイマーにおける振動励起(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXJ-7 スズ吸着銅(001)表面のSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aYH-7 スズ吸着銅(001)表面の構造と熱処理による変化(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pYC-4 格子歪によるCu(100)ショックレー状態の変化(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXJ-3 格子歪のある酸素吸着Cu(100)表面の光電子分光(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pXF-7 Cu(100)表面電子状態の応力依存性II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15pXE-9 Cu(100) 表面電子状態の応力依存性(表面界面電子物性, 領域 9)
• 14pXF-6 Co/N/Cu(001) 表面の格子歪みによる吸着窒素原子の析出(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
• 25aXD-2 局所歪みのあるCu(001)表面におけるIn/Cu構造のSTM観察(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-38 ガス吸着による表面パターンの制御(領域 9)
• 30pYE-1 窒素飽和吸着銅(001)表面におけるCoドット成長のSTM観察(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
• 24aYH-9 銅(001)面上の窒化マンガン規則ナノ構造形成(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYH-7 Ge(001)表面電子状態へのトンネルキャリアー注入による非局所構造変化(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYB-7 窒素吸着銅(001)表面上のスズ原子配列のSTM観測(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aTA-3 Co ドットの X 線吸収スペクトル
• 31aZE-8 Co/N/Cu(001) 表面・界面における XAS・MCD
• 20aRE-11 酸素欠陥のあるTiO_2の電気的特性と欠陥移動
• 30pYE-9 Cu(001)表面における窒素・酸素共吸着ナノパターン形成(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
• 22aYE-6 Cu(001) 表面における窒素・酸素の共吸着
• 31pZF-2 N/Cu(001) と Fe/N/Cu(001) 表面における酸素吸着
• 28aWD-5 窒素吸着により Cu(001) 微斜面上に形成されるナノパターン : モデル
• 28aWD-4 窒素吸着により Cu (001) 微斜面上に形成されるナノパターン : STM 観察
• 17pWD-10 Ge(001)面上の銀薄膜の成長: 内殻光電子ピークの観察
• 30pYQ-5 Ge(001)表面上のAg薄膜の電子状態
• 28aXE-3 C(2×2)-N/Cu(001)表面における遷移金属超薄膜の成長
• 21aPS-16 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態III(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWB-6 Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 14aXG-5 Ge(001)c(4×2) 清浄表面の電子状態(表面界面電子物性, 領域 9)
• 21aWH-3 STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aYH-4 STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移II(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYB-4 STM探針からのキャリア注入によるSn吸着Ge(001)表面の構造遷移(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSB-22 Pt(111)表面上のFe_3O_4(111)薄膜の成長とバンド構造
• 22aXC-11 Fe_3O_4(111)薄膜のスピン分解光電子分光
• 22pPSB-12 Cu(001)表面における酸素の解離吸着(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-11 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(3)(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXJ-4 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(2)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aTG-3 低温でのCu(001)表面における酸素吸着のSTM観察(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-9 5d遷移金属/Ge(001)表面の電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 17pWD-9 Ge(001)表面におけるAg初期吸着過程の低温STM観察
• 23pTA-6 Ge(001)表面上のAgの初期吸着構造のSTM観察
• 24aE-9 窒素吸着Cu(001)面上のCo微小ドット2次元配列の磁性
• 26aPS-16 N-Cu(001)表面におけるFe、Co、Niの超薄膜構造
• 27pYB-5 Ge(001)表面のトンネルキャリアー注入による構造変化II(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-6 境界移動で観測したGe(001)表面状態伝導の解析(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXD-9 Ge(001)清浄表面でのバイアス電圧パルスによるc(4×2), p(2×2)構造の境界の移動(II)(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-10 Ge(001) 清浄表面でのバイアス電圧パルスによる c(4×2), p(2×2) 構造の境界の移動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 31aWD-7 STM による Ge(001) 清浄面の超構造制御
• 21aPS-30 Ge(001)表面におけるSn dimer配列の温度依存性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXD-10 Sn吸着Ge(001)表面のSTM観察(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 26aTA-7 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aTA-6 傾斜SiC上の埋め込まれたグラフェンナノリボンのラマン分光特性(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pPSA-44 Ge(001)表面上の不純物ダイマーにおける振動励起II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-24 窒素飽和吸着Cu(001)面上に形成されるトレンチの構造モデル(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-25 Rh/N/Cu(001)面の構造(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTH-3 Bi_Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析(26aTH 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aTH-3 微傾斜Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造と電子状態(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19pWH-4 Atomic Manipulation Through Tunneling Carrier Injection on Clean Ge(001)(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
• 23aW-9 Fe, Co吸着N/Cu(001)-c(2x2)表面のSTM観察
• 25pTG-6 Au/Ge(111)表面のSTM観察(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-2 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pHA-5 Au/Ge(111)表面のSTMによる原子構造研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pTC-9 Bi_Sb_x(111)表面における準粒子干渉の走査トンネル分光測定(24pTC トポロジカル絶縁体(表面・界面・メゾスコピック効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pRC-6 Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造の電子バンド形状(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aJB-1 窒素飽和吸着Cu(001)面における圧縮応力の緩和機構(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• エピタキシャルグラフェンの成長と電子物性 (特集 グラフェン)
• 26pPSB-15 グラフェンナノ構造の顕微ラマン分光(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pSB-13 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光II(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pSB-4 グラファイト及び2層グラフェンの赤外超高速発光の観察(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pCK-5 Co吸着Bi_Sb_x (111)表面の走査トンネル分光(25pCK トポロジカル絶縁体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pSB-12 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSB-25 銅(001)表面上の窒化クロム超薄膜の形成(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-46 窒素吸着銅表面上におけるナノ構造形成過程の観測(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-24 穏和な表面窒化のための低速イオン源の製作(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pCC-1 Ge(111)微傾斜面のAu蒸着量に依る1次元原子構造の変化(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aEC-1 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aFE-6 N/Cu(001)微傾斜領域に形成されるストライプ状配列構造(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 19aFE-8 窒素吸着Cu(001)表面における超構造形成のその場観察(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長)
• 7aSM-11 Si(001)-(2×2)Agの形成過程--Ge(001)-Agとの比較(表面界面構造・電子物性,領域9)
• 6aSN-6 Co/N/Cu(001)表面における軟X線内殻吸収スペクトル(表面ナノ構造量子物性,領域9)
• 6aSN-5 Cu(001)-c(2×2)N表面におけるFeの埋め込み過程(表面ナノ構造量子物性,領域9)
• 27pYL-1 N/Cu(001)表面上のCoナノドットのX線磁気円二色性(27pYL 磁性ドット・細線,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
• 25pYF-1 Cu(001)-c(2×2)N表面におけるFe初期成長過程(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25pPSB-37 Si(100)表面におけるAg初期吸着過程の低温STM観察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

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