森田 康平 | 九大院工
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概要
関連著者
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森田 康平
九大院工
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田中 悟
九州大学大学院工学研究院
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田中 悟
九大院工
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中辻 寛
東大物性研
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小森 文夫
東大物性研
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小森 文夫
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九大院総理工
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吉村 継生
東大物性研
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上原 直也
九大院工
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九大院工
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柴田 祐樹
東大物性研
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辛 埴
東大物性研
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Ntt物性科学基礎研究所
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白澤 徹郎
東京大学物性研究所
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三瓶 明希夫
京都工繊大工芸科学
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比村 治彦
京都工繊大工芸科学
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政宗 貞男
京都工繊大工芸科学
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石田 行章
東大物性研
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白澤 徹郎
東大物性研
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新倉 涼太
東大物性研
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林 賢二郎
九大院総理工
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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森田 康平
京都工繊大工芸
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比村 治彦
京都工繊大院電子システム
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政宗 貞男
京都工繊大
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比村 治彦
京都工繊大
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Masamune Sadao
Institute Of Plasma Physics Nagoya University:department Of Electrical Engineering Kyoto Institute O
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三瓶 明希夫
京都工繊大
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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森田 康平
九州大学大学院工学研究院
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森田 康平
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東工大院理工
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NTT物性科学基礎研
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九州大学大学院総合理工学研究院
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木下 豊彦
JASRI, SPring-8
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東大物性研
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末元 徹
東大物性研
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池添 竜也
京都工繊大工芸科学
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恩地 拓己
京都工繊大工芸科学
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室 隆桂之
財団法人高輝度光科学研究センター
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渡部 俊太郎
東大物性研
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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小林 英一
Saga-ls
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栃原 浩
九大総理工
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室隆 桂之
JASRI
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吉田 学史
九大総理工
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森田 康平
九大総理工
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原田 慈久
RIKEN Spring-8
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水野 清義
九大総理工
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高橋 敏男
東大物性研
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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室隆 佳之
JASRI
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NIIKURA R.
東大物性研
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チェンダ スレイ
九大院工
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萩原 好人
九大院工
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村田 健一
京都工繊大
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山本 佳明
京都工繊大
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野呂 紘司
京都工繊大
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和田 篤始
東大新領域
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栗原 智成
東大新領域
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齋藤 悠也
京都工繊大
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橋本 明弘
福井大学工学部
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金井 輝人
東大物性研
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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飯盛 拓嗣
東大物性研
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栃原 浩
北大触媒研
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栃原 浩
北大触媒セ
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栃原 浩
物性研
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木下 豊彦
Jasri
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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山本 貴士
東理大理:東大物性研
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村田 健一
京都工繊大工芸
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栃原 浩
九大
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Mizokawa T
Univ. Tokyo Tokyo
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渡部 俊太郎
東理大総合研
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橋本 明弘
福井大工学部
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木下 豊彦
高輝度光科学研究センター
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栃原 浩
九州大学工学部
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室 隆桂之
Jasri/spring-8
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山本 貴士
東大物性研
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梶原 隆司
九大院工
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橋本 明弘
福井大工
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辛 埴
東大物性研:jst-crest:理研
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中嶋 誠
東京大学 物性研究所
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榊 茂之
東大物性研
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栗栖 悠輔
九州大
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田中 悟
九州大
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森田 康平
九州大
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渡部 俊太郎
東理大総研機構
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中嶋 誠
千葉大理
著作論文
- 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pPSB-18 周期的SiCナノ表面におけるグラフェン形成機構 : 基板表面構造依存性(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aQA-3 低アスペクト比RFPプラズマの研究(25aQA 核融合プラズマ(磁場閉じ込め核融合(その他)),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 27aUC-3 純電子プラズマ中へのチタンワッシャープラズマの入射実験II : 蛍光膜を用いた二次元プラズマ粒子密度分布計測の開発と誘導電荷による非中性プラズマダイナミクスの非接触診断(27aUC プラズマ基礎(輸送・加熱・加速),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長 (第30回表面科学学術講演会特集号(1))
- SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長
- 26aTA-7 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aTA-6 傾斜SiC上の埋め込まれたグラフェンナノリボンのラマン分光特性(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-3 SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-2 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTE-1 グラフェンナノ構造の偏光ラマン分光特性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-4 グラファイト及び2層グラフェンの赤外超高速発光の観察(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))