栃原 浩 | 北大触媒研

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概要

• 同名の論文著者
• 北大触媒研の論文著者

関連著者

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 栃原 浩

  九大総理工

• 栃原 浩

  物性研

• 栃原 浩

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• 栃原 浩

  九州大学工学部

• 栃原 浩

  九大

• 水野 清義

  九大総理工

• 水野 清義

  北大触媒セ

• 水野 清義

  九大院総理工

• 窪田 政一

  東大物性研

• 白澤 徹郎

  東京大学物性研究所

• 村田 好正

  東大物性研

• 島田 亙

  産総研

• 島田 亙

  富山大学大学院理工学研究部理学領域

• 村田 好正

  物性研

• 栃原 浩

  九大工

• 栃原 浩

  東大物性研

• 岩槻 正志

  日本電子

• 白澤 徹郎

  東大物性研

• 佐藤 智重

  日本電子

• 佐藤 智重

  日本電子(株)

• 有賀 哲也

  物性研

• 窪田 政一

  物性研

• 東 相吾

  九大総理工

• 島田 亙

  九大総理工

• 川村 隆明

  山梨大教育

• 池田 淳子

  九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻

• 田中 悟

  九大院工

• 高橋 敏男

  東京大学物性研究所

• 加藤 友彦

  福岡工大

• 高橋 敏男

  東大物性研

• 陳 明樹

  九大総理工

• 加藤 友彦

  福岡工大工

• 岩見 基弘

  岡山大理

• 林 賢二郎

  九大院総理工

• 水野 清義

  九州大学大学院総合理工学府 物質理工学専攻

• 林 賢二郎

  九大総理工

• 今城 正雄

  北大触媒セ

• 島田 亙

  極地研

• 天草 貴昭

  日本電子(株)

• 蒋 紅

  北大触媒セ

• 池田 淳子

  九大総理工

• 辛 埴

  東大物性研

• 木下 豊彦

  JASRI, SPring-8

• 安藤 康伸

  東大院理

• 常行 真司

  東大院理

• 長谷川 幸雄

  東大物性研

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 藤原 弘康

  東大院理

• 吉田 学史

  九大総理工

• 原田 慈久

  RIKEN Spring-8

• 原田 慈久

  東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8

• HORIKAWA Yuka

  RIKEN/SPring-8

• 室隆 佳之

  JASRI

• 坂本 一之

  千葉大院融合

• 室 隆桂之

  高輝度光科学研究センター

• 水野 清義

  九州大学総合理工学研究科

• 中西 繁光

  阪府大総合科

• 坂木 一之

  東北大院理

• 岡田 美智雄

  阪大大理化学

• 桜井 利夫

  東大物性研

• 橋詰 富博

  東大物性研院

• 木下 豊彦

  Jasri

• 神谷 格

  東大物性研

• 寺田 敏行

  阪大工

• 小山 正

  物性研

• 石田 晏穂

  物性研

• 宮尾 正大

  静大電子研

• 栃原 浩

  九州大学総理工

• Rahman Faridur

  九大総理工

• 室 桂隆之

  JASRI SPring-8

• 岡田 美智雄

  東大物性研

• 中西 繁光

  大阪府立大学

• 中西 繁光

  大阪府立大学総合科学部

• 梅沢 憲司

  大阪府立大学総合科学部

• 島田 瓦

  北大低温研

• 赤木 和人

  東大院理

• 栃原 浩

  学習院大理

• 城後 章

  学習院大理

• 梅沢 憲司

  阪府大総合科

• 赤木 和人

  東北大

• 内部 真佐志

  福岡工大

• 西郷 穏

  福岡工大

• 平野 久美子

  九大総理工

• 寺崎 大輔

  九大総理工

• 湯村 太洋

  阪府大総合科

• 湯村 太洋

  大阪府立大学総合科学部

• 天草 貴昭

  日本電子

• Mizokawa T

  Univ. Tokyo Tokyo

• 木下 豊彦

  高輝度光科学研究センター

• 水野 清義

  北海道大学触媒化学研究センター

• 末吉 孝

  JEOL

• 室 隆桂之

  JASRI

• 谷口 雅樹

  広大院理

• 長谷川 修司

  東大理

• 原田 慈久

  東大院工

• 為則 雄祐

  JASRI, SPring-8

• 原沢 あゆみ

  東大物性研

• 奥田 太一

  東大物性研

• 柿崎 明人

  東大物性研

• 菅 滋正

  物性研

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 室 隆桂之

  財団法人高輝度光科学研究センター

• 田中 虔一

  東大物性研

• 森田 康平

  九大院工

• Mizutani Teruyoshi

  Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University

• 平井 正明

  岡山大学自然科学研究科

• 小林 英一

  Saga-ls

• 河合 伸

  九大理

• 常行 真司

  東大院理:物性研

• 室隆 桂之

  JASRI

• 日下 征彦

  岡山大学自然科学研究科

• 平井 正明

  岡山大理

• 日下 征彦

  岡山大理

• 森田 康平

  九大総理工

• 大門 寛

  物性研

• 谷口 雅樹

  物性研

• 村田 好正

  学習院大理

• TOKUSHIMA Takashi

  RIKEN/SPring-8

• 三谷 尚

  福岡教育大学物理

• 徳島 高

  RIKEN SPring-8

• 坂本 浩一

  物性研

• 山本 雅樹

  物性研

• 田中 悟

  九州大学大学院工学研究院 エネルギー量子工学部門

• 今井 彩子

  千葉大院自然

• 角田 治哉

  千葉大院自然

• 馬渡 健児

  東北大院理

• 谷治 光一郎

  東大物性研

• 田中 悟

  九大工院

• 白澤 徹郎

  九大総理工

• 田中 虔一

  埼玉工業大学大学院工学研究科

• 岩見 基弘

  阪大工

• 加瀬 晃

  物性研

• 徳島 高

  理研:spring8

• 為則 雄祐

  Jasri

• 為則 雄祐

  Jasri/spring-8

• Eriksson P.

  IFM Linkoping Univ.

• Uhrberg R.

  IFM Linkoping Univ.

• 上野 信雄

  千葉大院融合

• 坂本 一之

  千葉大院自然

• 水野 清義

  千葉大院自然

• 上野 信雄

  九大総理工

• 堀川 裕加

  理研 SPring-8

• 森 健太郎

  九大総理工

• 高山 透

  東大物性研

• 堀川 裕加

  RIKEN Spring-8

• 久保 公孝

  東大物性研

• 前田 剛志

  九大総理工

• 小山 正

  東大物性研

• 小野田 穣

  九大総理工

• 今泉 幸治

  九大総理工

• Rahman F.H.M.

  九大総理工

• 岩崎 大悟

  九州大学総理工

• 池堂 祐一

  九大総理工

• Kocan Pavel

  九大総理工

• 中山 正敏

  九大理

• Eriksson P.

  Ifm Linkoping Univ.:nims

• 山本 雅樹

  東大物性研

• 伊藤 久司

  物性研

• 岩崎 大悟

  九大総理工

• 蒋 長根

  東大物性研

• 松本 祐司

  東大物性研

• 末吉 孝

  日本電子

• 松本 祐司

  東京大学物性研究所

• 島田 亙

  北海道大学 低温科学研究所

• 栃原 浩

  北大触媒化学研究センター

• Kocan P.

  九大総理工

• 岩永 巨之

  九大総理工

• 野田 孝行

  九大総理工

• 三好 永作

  九大総理工

• Lee S.

  POSTEC

• Kim N.

  POSTEC

• Chung J.

  POSTEC

• 福田 淳

  九大総理工

• 島田 亙

  九州大学大学院総合理工学府・物質理工学専攻

• 島田 亙

  日本学術振興会

• 陳 明樹

  九州大学総理工

• 水野 精義

  九大総理工

• 難波 秀利

  東大物性研

• 島田 亙

  九大工

• 田中 虎一

  東大物性研

• 三好 永作

  九大院総理工

• 中村 美道

  東京大学大学院工学系研究科

• 水野 祐子

  九大総理工

• 尾田 祐子

  九大総理工

• 木下 哲博

  九大総理工

• 島田 亙

  富山大学大学院理工学研究部(理学)

• 生川 葉子

  阪府大総合科

• 佐藤 智重

  JEOL

• 岩槻 正志

  JEOL

• Tamenori Y.

  Tohoku Univ.

• TAMENORI Y.

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute

• Miyahara Tsuneaki

  Photon Factory National Laboratory For High Energy Physics (kek)

• 宮尾 正大

  静岡大電子研

• Tamenori Y.

  Jasri

• 中村 美道

  九大理

• 天草 貴昭

  JEOL

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著作論文

• 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
• 25pYF-8 表面、界面の元素選択電子状態 : SiON/SiC(0001)(X線発光分光の飛躍的発展〜強相関から溶液まで〜,領域5シンポジウム,領域5,光物性)
• 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
• 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
• 6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
• 3a-T-7 Si(001)のLEED : ストリーク・パターン
• 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
• 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
• 29a-D-6 Si(001)の角度分解光電子分光
• 29a-D-5 Si(001)面からの二次電子放出
• 2p-S-8 低速電子回折像の迅速測定II
• 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
• 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
• 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
• 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 2a-RJ-9 K/Cu(100)の角度分解型SOR光電子分光
• 固体表面層の相転移の動的観察
• 28p-WB-6 Si(111)7x7 表面でのホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の初期異常の原因の考察
• 原子レベルでのステップ成長機構 : Si(111)7×7の場合 : 基礎IV
• 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-139 電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 29aZF-3 Si(111)-(1×1)-T1 の構造と電子状態
• 28pPSB-30 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発 II
• 走査トンネル顕微鏡による表面シリサイド形成初期過程の観察:Si(111)7×7上のBa吸着による(3×1)構造
• 19pPSB-36 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発
• Cu(001)表面上のMgとLi共吸着よって協同的に形成する表面構造
• Cu(001)表面上のK原子吸着位置 : p(3x2)-p2mg vs.p(3x2)-p2mm
• Si(111)7×7 表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
• Si(111)7×7表面上のアイランドとステップ終端部の走査トンネル顕微鏡観察
• Cu(001)表面上のMgとLi共吸着により形成する構造のLEEDによる解析
• 28aXE-4 Cu(001)表面上のMg, Li共吸着構造とNa, Li共吸着構造の比較
• 27aTE-3 X線回折によるMnSi/Si(111)界面構造の研究(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pTD-6 SiON/SiC(0001)表面系における電子状態の理論的解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-33 Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 5a-PS-41 Al(001)上のカリウム吸着 : 温度依存性
• 2p-T-1 Ag(001)上のアルカリ金属吸着 : 温度による違い
• 30p-D-3 Si(001)面へのLi吸着
• 29a-Y-12 Cu(100)上へのK吸着とその上へのCO吸着 I
• 4p-NM-4 Cu(100)上吸着したCOとN^+ビームとの素反応過程の研究
• 31p-J-9 Si(100)面へのCs吸着
• イオン-分子反応用の超音速ノズルビ-ム発生装置
• 11a-M-10 イオン-分子反応(CO_2^++D_2=DCO_2^++D)の反応断面積のエネルギー依存性
• 7p-T-6 (CO_2, D_2)系におけるイオン-分子衝突反応
• 29a-PS-3 Si(111)急冷表面上のDAS構造のサイズ変化 : モンテカルロシミュレーション
• 7a-PS-33 Si(111)急冷表面における7×7構造の成長
• 28a-T-8 Si(111)過冷却表面のDAS成長パターン
• Si(111)7×7構造の相転移のモデル
• 27pY-3 還移金属(001)面上に吸着した単純金属原子単一層の構造 : 正方格子的相
• 24aPS-37 低速電子回折法を用いたSi(111)-(3x1)-Ag構造解析
• 27pY-6 Si(111)上のIn吸着構造の解析
• 24aPS-60 Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 8p-B-3 Cu(001)-(4x4)-Li表面のSTMによる観察
• 29p-S-8 Cu単結晶表面上におけるLi原子の吸着構造
• 13a-PS-36 LEED・AESによるLi/Cu(110)の吸着構造
• 1p-KK-12 低速電子回折像の迅速測定I
• 2p-E-12 アルカリ金属/Cu(001)における構造相転移
• 4a-RJ-10 Si(111)2×1へのCs吸着に伴う表面電子状態の変化
• 2p-RJ-7 Cu(100)上K単原子層の整合・不整合転移
• 12p-Y-8 アルカリ原子/Cu(100)系のLEED観察
• 31p-PSB-22 ステップのあるSi(001)表面のc(4×2)ドメイン形成
• 23aT-10 Si(111)7×7上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察(II) : 基板の積層欠陥の解消と二次元核の結晶化
• 24aY-3 Si(111)上のホモエピタキシャル成長初期過程のSTMによるその場観察
• 30p-S-8 Si(111)-(n×n)-DAS構造形成のアトムプロセス
• 28p-Q-13 急冷Si(111)表面の高分解能STM観察
• 28a-YM-11 STMによるSi(111)-(nxn)-DAS構造形成過程の観察 : DASサイズ変換モデルの確認
• 28a-YM-6 Ge(001)表面におけるSTM像のちらつきと特定原子上での電流の時間変化
• 31p-PSB-25 Ge(001)表面のダイマーのフリップ・フロップ運動のSTMによる観察
• 3a-Q-1 Si(001)2x1表面の低温でのSTM像
• 22pW-8 Cu(001)-(2x1)-Li表面へのNa, K, Csの吸着 : LEEDによる構造解析
• 24aPS-34 Si(111)7×7上のステップとアイランドの終端部のSTM観察
• 27pY-2 Cu(001)表面上のリチウム吸着層の高被覆率での構造
• 31a-Q-10 再構築化型吸着における吸着位置選択性 : Ag(001)上のNaとKの共吸着
• 金属表面上のアルカリ金属吸着構造
• 再構築化型吸着 -アルカリ吸着金属表面構造を中心にして-
• アルカリ吸着金属表面の構造
• 29p-T-7 Ni(001)上のリチウムおよびナトリウムの吸着構造
• 3a-J-1 銅(基板金属)-リチウム(吸着金属)系の複雑な表面秩序構造決定の完了
• 29p-S-9 銅(基板金属)-リチウム(吸着金属)系の作る複雑な表面秩序構造の決定
• 29p-T-6 Ag(001)-Rb系の複雑な表面構造の決定
• 表面に特有な秩序構造--アルカリ吸着金属表面の場合
• LEEDによる構造解析システム : MacintoshによるI-V曲線測定とテンソルLEED計算
• Ag(001)-Na(K)の複雑な表面構造の決定II
• Ni(001)-Li吸着系の構造決定 : (4×4)および(5×5)構造
• 3a-J-3 Ni(001)上にエピタキシャル成長させた銅単原子層の上へのリチウム吸着
• 3a-J-2 Ag(001)-Na(K)の複雑な表面構造の決定
• 表面合金形成のアトムプロセス (表面のアトムプロセス)
• 5a-Q-6 Li/Cu(111)系での表面合金形成
• 12p-DJ-5 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着II : LiとNaの場合
• 12p-DJ-4 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着I : KとLiの場合
• 1p-G-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定II
• 28a-Z-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定 I
• 1p-G-6 Li/Cu(001)系のARUPS : タム型表面準位
• 28a-Z-6 Cu(001)上のLiの成長過程 : 置換吸着とそれに続く表面合金形成

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