川村 隆明 | 山梨大教育

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概要

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関連著者

• 川村 隆明

  山梨大教育

• 深町 共栄

  埼玉工大

• 吉沢 正美

  埼玉工大

• 市ノ川 竹男

  早大理工

• 中島 哲夫

  KEK-PF

• 江原 健治

  埼玉工大

• 根岸 利一郎

  埼玉工大

• 中島 哲夫

  高エネルギー物理学研究所

• 中島 哲夫

  高エネルギー物理学研

• 川村 隆明

  早大理工

• 川村 隆明

  山梨大学教育学部物理学教室

• 川村 隆明

  山梨大学教育学部

• 深町 共榮

  埼玉工大

• 石井 晃

  鳥取大工

• 豊島 沙織

  山梨大教育

• 豊島 沙織

  山梨大教育人間

• 石川 裕

  早大理工

• 松本 勲

  埼玉工業大学

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 大川 保博

  早大理工

• 水野 清義

  北大触媒セ

• 栃原 浩

  北大触媒セ

• Maksym P.a.

  レスター大

• 村田 好正

  物性研

• 有賀 哲也

  物性研

• 伊藤 正久

  理研

• 周 聖明

  埼玉工業大学

• 細谷 資明

  東大物性研

• 花房 隆臣

  早大理工

• 石田 秋生

  早大理工

• 深町 共栄

  埼玉工大工

• Maksym P.

  レスター大物理

• 福谷 克之

  東大生研

• 石井 晃

  鳥取大学工学部

• 松本 益明

  東大生研

• 岡野 達雄

  東大生研

• 川村 隆明

  山梨大学

• 小倉 正平

  東大生研

• 窪田 政一

  東大物性研

• 窪田 政一

  物性研

• 平野 馨一

  KEK-PF

• 根岸 利一郎

  埼玉工業大学

• 松本 勲

  KEK-PF

• 松本 勲

  図書館情報大

• 下村 理

  無機材研

• 一宮 彪彦

  名大工

• 大隅 一政

  高エ研

• 栃原 浩

  物性研

• 岡田 美智雄

  阪大院理

• 笠井 俊夫

  阪大院理

• 市ノ川 竹男

  早稲田大学 理工学部

• 平野 健二

  埼玉工大

• 石田 晏穂

  物性研

• 笠井 俊夫

  大阪大学大学院理学研究科化学専攻反応物理化学研究室

• 岡田 美智雄

  大阪大学科学教育機器リノベーションセンター

• 溝口 正

  学習院大理

• 塩谷 亘弘

  理研

• 早川 和延

  日立中研

• 川村 隆明

  山梨大教育:山梨大院医工

• 中野 裕司

  埼玉工大

• 高木 孝

  早大理工

• 一宮 彪彦

  名古屋大学工学部

• 岩崎 準

  理研

• 平野 健二

  埼玉工大工

• 周 聖明

  安徽大

• 根岸 利一朗

  埼玉工大

• 江原 賢治

  埼玉工業大学基礎工学課程

• 大隅 一政

  KEK-PF

• 山田 孝二

  早大理工

• Hunter S

  Ssrl

• 中村 治夫

  早大理工

• 下田 晴久

  早大理工

• 逢坂 豪

  鳥取大工

• 渡辺 泰夫

  早大理工

• 趙 宗彦

  安徽大

• 西 文人

  埼玉工大

• 実吉 明郎

  早大理工

• 小牧 研一郎

  東大教養

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 河田 洋

  KEK-PF

• 河田 洋

  高エネルギー加速器研究機構・物質構造科学研究所・放射光科学研究施設

• 藤本 文範

  東大教養

• 早川 和延

  北海道産業技術振興財団

• 庄次 正安

  埼玉工大

• 床次 正安

  埼玉工大

• 徐 章程

  埼玉工大

• 坂牧 俊夫

  日本電子株式会社

• 周 聖明

  安微大

• 徐 章程

  安微大

• 松本 勲

  埼玉工大

• 坂本 統徳

  電総研

• 福谷 克之

  東大物性研

• 西田 敏夫

  早大理工

• Bienenstock A.

  Ssrl

• 横塚 達男

  松下技研:新技術事業団

• 米屋 慎

  早大理工

• 早川 和延

  北大触媒セ

• 荻野 俊郎

  横国大

• 荻野 俊郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 和光 信也

  物性研

• 和光 信也

  図書館情報大学

• 中野 裕司

  熊本大学総合情報基盤センター

• 丸田 淳子

  山梨大教育

• 井野 正三

  東大理

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 河田 洋

  高エネルギー加速器研究機構 物質構造科研 放射光科学研究施設

• 永瀬 雅夫

  早大理工大

• 坂牧 俊夫

  物性研

• 細谷 資明

  物性研

• 根岸 利一郎

  埼玉工大工

• 吉沢 正美

  埼玉工大工

• 荻野 俊郎

  NTT基礎研究所

• 相沢 則行

  東学大

• 三宅 静雄

  早大理工

• 和田 寛次

  早大理工

• 中島 哲夫

  KIK-PF

• 粟屋 信義

  早大理工

• 大谷 浩

  早大理工

• 河田 洋

  高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所

• Maksym P.a.

  レスター大物理

• Maksym P.a.

  レスタ一大物理

• 島 芳延

  早大理工

• 前田 秀雄

  山梨大教育

• 石井 光明

  早大理工

• 岩崎 凖

  理研

• Wilby R.M

  ユニバーシティカレッジ

• 横塚 達男

  新技術事業団

• 川村 隆明

  新技術事業団

• Wilby M.R

  University College

• Vvdensky D.D

  Imperial College

• 鳴海 久司

  学習院大理

• 林 良英

  埼玉工大

• 高 文朋

  埼玉工大

• 荻野 俊郎

  Ntt物性科学基礎研究所

• 高 文朋

  関東システム研

• 鈴木 麻理子

  山梨大院医工

• Wilby R.M

  UC London

• 田中 虔一

  東大・物性研

• 細谷 資明

  物性件

• Hunter S.

  スタンフォード大

• Bienenstock A.

  スタンフォード大

• 三宅 静雄

  東理大理工

• 茂木 裕之

  早大理工

• 安藤 秀夫

  早大理工

• 安東 秀夫

  早大理工

• 山口 毅

  早大理工

• 和田 寛沢

  早大理工

• 鈴木 明秀

  早大理工

• 菅原 仁志

  埼玉工大

• 河田 洋

  高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所 放射光科学研究施設

• 林 良英

  埼玉工大工

• Maksym P.

  Univ. Of Leicester

• Maksym P.a.

  Leicester大

• 豊島 沙織

  山梨大学教育人間科学部

• 富山 治

  鳥取大工

• 富山 治

  鳥取大学工学部

• Beeby J.L.

  Leicester大

• 伊藤 貴則

  鳥取大工

• 松下 朝彦

  鳥取大工

• 名取 寿彦

  山梨大教育

• 深町 共栄

  埼玉工大 先端科研

• 川村 隆明

  山梨大・教

• Maksym P.

  Univ. Leicester

• Clarke S.

  Imperialカレッジ

• Wilby M.R.

  Imperialカレッジ

• Vvedensky D.D.

  Imperialカレッジ

• P. A.

  Leicester大

• Maksym P

  Leicester大

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著作論文

• 26aYA-11 単原子完全結晶におけるX線純虚数分極率の効果の検出
• 7a-X-6 GaK吸収端近傍におけるGaSb200反射のロッキングカーブ
• 3a-W-4 フーリエX線分極率の実数部と虚数部とがほぼ等しい時の動力学回折II
• 30a-P-4 ロッキングカーブによる位相変化の観測 (Bragg case)
• 31p-B-12 |Xhr|=|Xhi|における動力学回折
• 2p-S-8 低速電子回折像の迅速測定II
• 22aYE-1 一般化DLAモデルによるAu2次元島のフラクタル次元の解明(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 12aXF-8 Pt(111), Ir(111) 表面における Au2 次元島のフラクタル性(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 1a-BF-1 表面波共鳴条件下でのRHEED菊池像のコントラスト
• 9a-Z-8 RHEEDの菊池バンドの異常コントラスト(II)
• 6p-L-7 RHEEDによる菊池像の温度変化II
• 29a-L-7 MgO(001)からのLEED強度計算
• 28aRE-2 動力学回折に伴う位相観測(28aRE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aWG-2 GaAs200回折における同位相干渉縞の解析(X線・粒子線(X線光学・イメージング),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 6a-H-9 RHEEDによる菊池像の温度変化
• 6a-H-8 RHEEDによるGaAsの菊池バンドの異常
• 31p-B-11 透過波のロッキングカーブによる異常散乱因子の決定
• 4p-X-9 ロッキングカーブによる位相変化の観測(Laue case)
• 29p-YM-2 異常透過のロッキングカーブに見られる位相の変化
• 29a-YM-12 偏光によるペンデルビートII
• 31p-ZB-10 X線共鳴散乱ペンデル縞によるGe K 吸収端における異常分散の研究
• 31p-ZB-9 X線複素分極率の虚数部だけによるX線トポグラフィーのコントラスト
• 26a-S-12 ボルマン吸収をもつラウエケースの動力学回折
• 26a-S-11 吸収のある完全結晶からの回折 : Bragg Case の薄い結晶 II
• 26a-S-5 X線共鳴散乱ペンデル縞法によるGaAsの異常分散 II
• 29p-ZB-7 X線共鳴散乱ペンデル縞法によるGaAsのGa K吸収端近傍の異常分散
• 28a-L-7 吸収のある完全結晶からの回折理論の一般化
• 4a-NR-12 Si(111)7×7表面の角度分解エネルギー損失スペクトル
• 1a-N-5 阻止電位型分析器を用いたSi(111)面からの角度分解スペクトル
• 2p GK-11 Si表面からのLEED電子のエネルギースペクトル
• 3p-AC-12 MgO表面状態のイオン後方散乱による解析
• 5a-BK-8 単結晶表面から放出するオージェ電子収率の入射角依存性
• 5a-BK-2 Ge単結晶上に蒸着したCu,Auの結晶成長
• 1a-BF-11 二次電子スペクトルの微細構造の表面状態による変化
• 表面波共鳴 (表面の結晶学) -- (反射電子回折)
• 10p-T-3 100KeVプロトンによる表面チャネリングの角度依存性
• 6p-T-4 イオンチャンネリングの二次電子放出への影響
• 6a-L-12 表面波共鳴条件における二次電子放出の変化
• 7p-P-10 プロトンによる二次電子放射の入射方位依存性(II)
• 5a-P-2 Si(111)面の表面波共鳴条件における表面構造の観察
• 12a-J-5 表面波共鳴の過度依存性
• 6a-KE-10 表面レゾナンス條件での鏡面反射強度の温度依存性(MEED)
• 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
• 30a-E-12 WO_3系のEXAFS解析 II
• 27p-PSA-11 Ge/Ge(111)結晶成長シミュレーション
• 1p-KK-12 低速電子回折像の迅速測定I
• 30p-S-11 GaAs(100)面上MBE成長のAs/Ga供給比依存性
• 1p-M-5 WO_3系のEXAFS解析
• 21aWH-10 2つのナノ構造島成長過程のシミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29a-WB-6 Si(001)ホモエピタクシャル成長機構のシミュレーションによる解析
• 2a-M-10 LEED, EXAFS 領域の位相シフトと原子ポテンシャル
• 30p-N-9 多素子SSDによる吸収端の温度効果による回折強度変化の検出
• 4a-AD-7 GaAsのEXAFS解析
• 4a-AD-6 全反射法によるCu K吸収端近傍における異常散乱因子の測定
• 2a-BF-4 EXAFSのフーリエ変換における諸問題
• 28aTA-10 Si(100)面上の2次元島の消滅過程
• 23pTA-7 Si(100)面上の島の崩壊過程
• 27a-Q-7 強度比法による異常散乱因子の決定
• 5p-TA-5 温度変化によるペンデル縞
• 5p-TA-4 原子散乱因子の実数部がゼロにおける回折効果
• 1p-TJ-8 偏光によるペンデル縞
• 31p-BF-11 完全結晶のK吸収端近傍における回折強度変化と温度因子
• 23pXB-8 ステップ付近でのRHEED電子強度分布(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aRJ-5 RHEEDの表面原子位置に対する感度の理論的見積もり(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-1 RHEED電子密度の入射角依存性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• A. Ichimiya and P. I. Cohen, Reflection High Energy Electron Diffraction, Cambridge Univ. Press, Cambridge, 2004, xi+353p, 25.3×17.8cm, 本体23,020円, [大学院向]
• 25aYH-4 Si(100)からの2次電子放出の表面再構成構造依存性(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-7 RHEED波動関数からみた表面プローブ深さの入射角依存性(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aYE-7 RHEED波動関数による二次電子収率角度依存性の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXC-11 RHEED波動関数の表面局在(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28aWP-7 表面波共鳴条件下でのRHEED電子密度分布(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 20pYD-14 Si(100) 面における 2 次元島崩壊中の表面拡散
• 表面におけるRHEED電子密度
• 31aWD-6 回折条件による RHEED 波動関数の表面局在の変化
• 28aZF-5 Si(100) 面上の温度勾配によるナノ構造形成 II
• Si(100)面上に形成された2次元島の崩壊における原子拡散
• 19pRH-2 Si(100)面上の2次元・3次元島の崩壊速度
• 24pPSA-53 Ge/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長の動的モンテカルロシミュレーション
• Si(100)上のSiのMBEシミュレ-ション
• 3a-T-6 アニーリングによるSi(100)表面平坦化のモンテ・カルロ・シミュレーション
• 5a-E-3 ステップ表面からのRHEED強度計算
• 4p-NR-6 非対称カット表面からの反射電子回折強度計算
• 12p-DJ-5 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着II : LiとNaの場合
• 27a-E-11 Li/Cu(001)系の表面構造
• 29a-PS-52 MBEモンテカルロシミュレーションにみる1成分系と2成分系の比較
• GaAsホモエピタキシャル成長におけるGaとAsの差 : シミュレーションによる研究
• SiとGaAs分子線エピタクシャル成長中のステップダイナミックス
• モンテカルロ・シミュレーションによるSi(100), GaAs(100)上の分子線エピタクシャル成長の比較
• Z. Zhang and M. G. Lagally, ed., Morphological Organization in Epitaxial Growth and Removal, World Scientific, Singapore, 1998, viii+498p., 22×15.5cm, 21,000円, [大学院向、専門書]
• 25aL-3 二次元エピタクシャル成長における表面での核形成
• 分子線エピタキシー成長中の表面原子配列-モンテカルロ・シミュレーションによる解析-
• 結晶成長中の表面原子過程のシミュレーション
• RHEED強度振動と結晶成長
• 28a-T-6 ヘテロエピタキシャル成長シミュレーションの開発
• 表面原子配列制御 : シミュレーションによるアプローチ
• 3a-J-13 RHEED強度の表面モフォロジー依存性
• 31p-S-11 MBE成長中Si(001)表面からのRHEED強度
• Si (100) 面のMBEシミュレーション
• 1p-G-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定II
• 28a-Z-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定 I
• 24a-PS-32 Si(100)微斜面上の一原子層ステップの変化過程のシミュレーション
• 5a-PS-37 Si(100)微斜面上での単一ドメイン形成過程
• 31p-TD-3 エピタクシャル成長とRHEED強度振動
• 25pT-6 GaAs(100)微斜面上のMBE成長におけるAs/Ga供給比依存性
• 2a-M-9 Ge の2種の構造に対する EXAFS
• タイトル無し
• タイトル無し
• タイトル無し
• タイトル無し
• 9aSN-10 Si(100)面上の温度勾配によるナノ構造形成(表面・界面ダイナミクス,領域9)
• 9aSN-6 RHEED電子密度分布と電子線定在波法(表面・界面ダイナミクス,領域9)
• 31p-CF-7 X線共鳴散乱による干渉縞II(31p CF X線・粒子線)
• 30p-TG-8 Si/Si(100)MBE成長のモンテ・カルロ法シミュレーション(30pTG 表面・界面)
• 30a-H-11 単一ドメインSi(001)_2×1表面からのRHEED強度(表面・界面)
• 25pWD-3 RHEED波動場と電子線定在波法(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 31p-BG-13 ステップ表面からのRHEED強度計算(III)(31p BG 表面・界面)
• 25aWD-5 Si(100)上ナノ構造も崩壊に伴う原子拡散(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 28p-P-1 表面における相転移と表面層の成長構造
• 31p-A1-3 ステップ表面からのRHEED強度計算II(31p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

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