市ノ川 竹男 | 早稲田大学 理工学部

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概要

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関連著者

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  早大理工

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• 橋本 隆仁

  早大理工

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著作論文

• 30a-H-12 BaTiO_3の相転移と電子線エネルギー損失スペクトル II
• 30a-D-2 角度分解型ELSによる Si の内殻・表面準位間遷移
• 27a-C-5 荷電金属超微粒子の安定性と表面変形
• 4p-S-5 超微粒子の集団モード
• 4p-E-14 Si(110)面の相転移と水素吸着
• 4a-E-9 へき開Si(111)表面2×1構造のELSの解析
• 4a-RJ-11 Si表面での遷移金属の熱処理による挙動
• 13a-Y-5 Si表面再配列構造転移に伴う表面プラズモンのシフト
• 28a-K-11液状微粒子の振動数スペクトル
• 30p-H-9 微粒子超伝導と格子振動数スペクトル
• 30a-M-10 微粒子の格子振動数スペクトル
• 5p-NF-1 金属微粒子の格子振動と比熱
• 2a-NR-12 金属微粒子のデバイ温度
• 29p-PS-23 角度分解型電子分光法によるTaC(100)面上の単原子層グラファイトの観察
• 2p-B-8 C^+ビームで作製した非晶質炭素膜のELSによる解析
• 走査型オージェ電子顕微鏡による仕事関数の測定とその応用
• 表面分子一層に敏感な表面電子顕微鏡の試作 - ペニング電子分光と組み合わせた表面電子顕微鏡 -
• 走査型トンネル顕微鏡によるH/Si(110)表面での昇温脱離過程の観察
• 5a-B-8 H/Si(110)表面での水素の昇温脱離過程のSTM観察
• 29a-PS-34 Cu/Siにおける表面偏析、吸着構造、ドメインのSTM、SEMおよびμ-LEEDによる解析
• 29a-PS-6 Si(110)上の水素吸着構造と熱脱離によるドメイン構造の変化
• Si(111)Cu-"5×5"構造とドメイン方向の解析
• Si(100)水素吸着系におけるSingle domainからDouble domainへの相変化
• 3p-K-12 Cu/Si(110)表面構造のSTM観察
• 3a-J-10 Cu/Si(100)における表面偏析と表面構造のSTMによる解析
• 30a-PS-11 Si(001)微斜面のステップの挙動
• 30a-PS-6 Cu/Si(100)における表面再配列構造のSTM観察
• 31p-S-7 Bが偏析したSi(111)表面での金属成長過程のSTM観察
• 29a-J-6 Si(111)上のBの表面偏析過程のSTM観察
• 4a-Q-9 Si-B吸着系のSTM観察
• 2p-PSA-35 Si(001)微斜面上での多原子層ステップ
• 30p-H-1 Si(001)上のPb薄膜のSEM、STMによる観察
• 28a-ZF-8 LaB_6(100)の表面フォノン
• 29p-BPS-47 NiA1(111)の表面フォノン
• 1a-H-6 Si(100)におけるPb蒸着系のSEM-LEEDによる観察
• 30p-BPS-6 金属(Ni、Pt) の単原子層グラファイト薄膜およびその成長過程のSTMによる観察
• 27p-E-8 STMによるSi(100)上の金属(Pt、Pd)吸着系の研究
• 27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
• 25p-PS-50 Si(100)上のPt吸着系のSTMによる観察
• 5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
• 4p-E-13 イオン後方散乱法によるSi(110)清浄表面の構造相転移の研究
• 3p-RJ-9 イオン後方散乱法によるSi(111),Si(110)構造相転移の研究
• 12a-Y-9 イオンチャンネリング/後方散乱法によるSi(110)面上のNiの挙動
• 29a-H-12 トンネル電子の磁場による集束
• 29a-T-2 Cu/Si{(100), (110), (111)}の急冷による表面偏析と表面構造
• 5a-Q-3 Cu/Si(001)とCu/Si(111)における高温での成長過程の比較
• 3a-Q-12 Cu/Si(100)の質量分析器、微斜面によるシングルドメインでの解析
• 31p-WC-1 Cu/Si(100)の質量分析器, LEED-AESによる研究
• 15a-DH-1 LEED-AESによるSi(100)-Ti吸着系の研究
• 27a-E-3 LaB_6(100)の表面フォノン
• 24a-PS-1 EELS装置の試作
• 29a-L-8 FE-LEM-SEM (電界放射低速走査電子顕微鏡) によるSi表面の観察
• ナノテクノロジーをサポートするSIM像の応用
• 走査型トンネル顕微鏡によるSi(110)面上のホモエピタキシャル成長の観察
• 8p-B-2 α-Cu-Al(111)表面の相転移の走査型LEED顕微鏡による観察II
• 31p-F-5 メタステーブル電子放射顕微鏡による固体表面の観測 : SiO_2/Si(100)のエネルギー選別像
• Cu/SiO_2における接触角振動の定量分析
• α-Cu-Al(111)表面の相転移の走査型LEED顕微鏡による観察 I
• 31p-PSB-79 Al_2O_3上の液体Alアイランドのぬれ角振動現象
• 31p-PSB-15 超高真空SEM-STM複合分析装置によるSi表面の観察
• 30a-PS-45 SEM-STM複合装置の開発
• 30a-PS-21 走査型LEED顕微鏡によるCu/Si(111)の観察
• 29p-PSB-20 SiO_2上の液体Cuアイランドのぬれ角振動現象II
• 31a-J-13 SiO_2上の液体Cuアイランドのぬれ角振動現象
• 5a-Q-1 アモルファスSiO_2上における単結晶金属細線の形成
• 29p-WC-1 SiO_2上におけるAlの単結晶化の動的観察
• 28p-WB-5 Si(001)微斜面上における4原子層ステップ形成のSTM観察
• 14p-DJ-12 Si(100)上におけるCu及びAgクラスターのマイグレーション
• 14p-DJ-2 Si(001)微斜面のSTM観察
• 13a-PS-45 超高真空表面分析用超小型熱電界放射電子銃の開発
• 13a-PS-22 Si(001)上のAg薄膜のSTM観察
• 13a-PS-12 Si(110)上の金属クラスターの温度勾配及び電場によるマイグレーション
• 1a-H-7 Si(100)における金属クラスターの温度勾配及び電場によるマイグレーション
• 1a-H-5 LEED-AESによるSi(100) : Mg吸着系の研究
• 30a-H-12 Si(001)上のAg(111)及びAg(001)の結晶成長のSTMによる観察
• 28a-S-4 TEMによるα-Ta_2O_5の相転移観察
• 26a-Y-6 LEED-AESによるSi(100)-Pb吸着系の研究 II
• 26a-Y-4 Si(001)上のAl薄膜の成長過程のSTM観察
• 25a-Y-10 Si(100)上金属アイランドの温度勾配によるマイグレーション
• 27a-ZB-8 TEMによるα-Ta_2O_5の相転移
• 30a-ZF-10 Si(001)の2原子層ステップのSTMによる観察
• 30a-ZF-7 Si上金属の初期成長過程のSTM観察
• 28a-ZS-13 SEMによる金属アイランドエレクトロマイグレーションの観察
• 27p-ZS-6 LEED-AESによるSi(100)-Pb吸着系の研究
• 27a-E-6 角度分解型電子分光法によるTiC(111)面上の単原子層グラファイトの観察
• 27p-R-1 AES-SEMによるSi(001)表面上金属島の直流通電加熱による移動の観察
• 25p-PS-49 Si(100)上の金属アイランドのエレクトロマイグレーション
• 極高真空用電離真空計の無収差偏向器の設計 (極高真空シンポジュ-ムプロシ-ディングス)
• 固体表面上の単原子層グラファイト
• 3a-TA-1 ELSによるAINの誘電関数の導出及び不純物準位の考察
• 5a-PS-18 STMによるMoS_2(0001)-Fe系の観察
• 5a-PS-17 イオン後方散乱法によるSi(001)表面上金属吸普素の研究
• 5a-PS-16 LEED AES LEELSによるSi(100) : 金属吸着系の研究
• 2p-E-7 AES.SEM.Scanning-RHEEDによるSi(001)表面上シリサイド形成過程の観察
• 2p-E-6 超高真空走査型LEED顕微鏡によるSi(001) : Au吸着系の観察面上
• 30p-TJ-1 走査型LEED顕微鏡および走査型トンネル顕微鏡による表面欠陥構造解析
• 30a-TJ-3 窒素比の高いZrN薄膜の研究
• 2a-T-11 STMによるMoS_2表面の観察
• 2a-T-10 STMによるTiC(111)上の単原子層グラファイトの観察
• 1p-TA-4 走査型RHEED顕微鏡による外部応力下にあるSi(001)面の観察
• 1p-Z-2 化合物の表面フォノンポラリトン
• 31a-TA-6 角度分解型EELSによるSi(100)2×1表面の内殻励起スペクトルの測定
• 31a-TA-2 RHEED・IBSによるSi(001)-Ag吸着系の研究
• 30p-TA-8 LEED AES LEELSによるSi(110) : N吸着系の研究
• 高分解電子エネルギ-損失分光用分光器の高性能化
• 電子によるマイクロビ-ムアナリシス (マイクロビ-ムアナリシスの現状と展望)
• 5a-T-7 超高真空走査型LEED顕微鏡によるSi(111)面上の相転移の観察
• 5a-T-6 LEED及びAES微細構造によるSi表面の研究I
• 3a-T-12 イオン後方散乱法によるSi(001)-Cu吸着系の研究II
• 3a-T-11 Si(001)2X1面上Cu蒸着系のSAM, RHEEDによる観察
• 6p-B5-6 高温超伝導体のEELSによるプラズマ振動について
• 6a-B4-5 Si表面上CuのSAMによる観察
• 6a-B4-4 超高真空走査型LEED顕微鏡による半導体表面の観察
• 3a-B4-8 STMによるAu-MoS_2系の観察
• STMとSEMの複合機による固体表面の研究
• SEMとSTMの複合機(STM開発の現状と展望)
• 29a-A-6 Y-Ba-Cu-Oの電子線エネルギー損失スペクトル
• 26p-P-9 Si-A1吸着系の表面構造
• 26a-P-8 角度分解型ELSによるSiの内殻 : 表面準位間遷移 II
• 26a-O-3 超高真空走査型LEED顕微鏡による半導体表面の局所的観察
• 27p-G-5 Si吸着系のイオン後方散乱法による研究
• 29a-D-3 Si(100)-c(4×4) 表面再配列構造
• 1a-S-12 超高真空走査型LEED顕微鏡によるSi表面の観察
• 1a-S-7 Si(111)7×7表面準位に由来するF_2ピーク
• 1a-S-1 Si(110)-Geの超格子構造
• 4a-M-5 光電子顕微鏡による固体表面観察
• 4a-M-2 EELSによる核酸塩基のC,N内殻励起スペクトル
• 4p-E-6 超高真空SEMによるSi表面の観察(II)
• 3a-E-2 角度分解エネルギー損失分光におけるD-L,L-D過程
• 3a-E-1 角度分解エネルギー損失分光における表面プラズモン損失過程
• LEED, AES及びELSによるSi表面構造の解析(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
• 4a-RJ-6 Si(111)表面のAR-LEELSスペクトルの回折条件による変化
• 3p-RJ-8 超高真空SEMによるSi表面の観察
• 14p-T-4 光電子顕微鏡の画像とエネルギー分析
• 14p-T-3 EELSによる六法晶系BNの方位依存K殻励起スペクトル
• 14p-T-2 AR-LEELSスペクトルの回折条件による変化
• 13p-T-11 Si(110)表面上の金属蒸着膜成長過程
• 12p-Y-9 超高真空電界放射型SEMによるSi上金属蒸着膜のエピタキシャル成長の観察
• 12p-Y-1 Si(110)表面上のNiの挙動と超格子構造
• 29p-L-14 STEM-EELSによるエネルギー・フィルター像の画像処理
• 29a-L-9 角度分解EELSによるSi(111)の表面プラズモン
• 27a-Y-12 イオン後方散乱法によるSi(111), (100)面上のAu及びAgの研究
• 27a-Y-2 Si表面再配列構造の相転移と仕事関数
• 2a-E-5 Si(110)の再配列構造の相転移とELS
• 2a-E-4 UHV-FE-LE-SEMの分解能
• 30a-BE-8 He^+イオン後方散乱法によるSi(110)表面での構造相転移の研究
• 30a-M-9 C-蒸着膜のグラファイト化によるJDOSの変化;(ELS)
• 30a-M-8 誘電関数から結合状態密度を決定する方法
• 30a-M-7 Si(111)7×7⟷"1×1"相転移における弾性散乱強度及び電子損失スペクトルの変化
• 30a-M-6 光電子顕微鏡像と光電子スペクトル
• 30a-M-5 低エネルギー電界放射型電子銃の特性
• 1p-A-3 Si(111)-Au超格子構造のイオン後方散乱収率の角度依存性
• 1a-A-2 Si(111)7×7⟷1×1 2次元相転移のイオン後方散乱による解析
• イオン散乱(表面物性 II. 表面を探る)
• 3p-NT-2 Si(111)-Au超格子構造の中速He^+イオン照射効果
• 4p-NR-2 超高真空低エネルギー走査電子顕微鏡による表面研究(II)
• 4p-NR-1 低エネルギー電界放射型電子銃の特性
• 4a-NR-12 Si(111)7×7表面の角度分解エネルギー損失スペクトル
• 4a-NR-11 二次電子スペクトルの微細構造
• 1a-N-10 X線・粒子線シンポジウム : 超高真空走査電子顕微鏡による表面観察
• 1a-N-5 阻止電位型分析器を用いたSi(111)面からの角度分解スペクトル
• 観察装置としての集束イオンビームの応用
• 走査電子顕微鏡(SEM)
• 表面の構造を観察する - 超高真空走査型電子顕微鏡 (UHV-SEM) -
• シリコン表面での金属アイランドのエレクトロマイグレ-ション
• 走査型トンネル顕微鏡とその関連技術--基礎と応用
• 電子線による映像形成 (波動応用計測における映像形成)
• 27a-ZD-4 Si(001)表面上金属アイランドのエレクトロマイグレーション
• 観察装置としての集束イオンビームの応用
• 極高真空用電離真空計の無収差偏向器の設計
• Niで汚染したSi表面の再配列構造

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