石沢 芳夫 | 無機材研
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概要
関連著者
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石沢 芳夫
無機材研
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大谷 茂樹
無機材研
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左右田 龍太郎
無機材研
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田中 高穂
無機材研
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相沢 俊
無機材研
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大島 忠平
無機材研
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左右田 龍太郎
無機材質研究所
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青野 正和
無機材研
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速水 渉
無機材研
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速水 渉
物材機構物質研
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青野 正和
無機材質研究所
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青野 正和
無機材質研
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石沢 芳夫
無機材質研究所
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河合 七雄
無機材研
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大谷 茂樹
無機材質研究所
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構
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坂内 英典
無機材研
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坂内 英典
無機材質研究所
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野崎 浩司
無機材研
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大島 忠平
早大理工
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大谷 茂樹
物材機構
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石沢 芳夫
東大物性研
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大谷 茂樹
科学技術庁無機材質研究所企画課
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市ノ川 竹男
早大理工
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市ノ川 竹男
早稲田大学 理工学部
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田沼 静一
東大物性研
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安岡 弘志
東大物性研
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相澤 俊
無機材質研究所
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相澤 俊
無機材研
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侯 印春
無機材研
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滝川 仁
東大物性研
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井藤 浩志
早大理工
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滝川 仁
物性研
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西沢 正彦
東大物性研
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赤羽 隆史
無機材研
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赤羽 隆史
Nims物質研
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田中 高穗
無機材研
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佐伯 昌宣
無機材研
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山本 一雄
神奈川工科大学一般科
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佐伯 昌宣
無機材質研究所
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成井 誠司
早大理工
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財満 鎮明
東北大工
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山本 一雄
無機材研
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中平 光興
岡山理科大
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北岡 良雄
東大物性研
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三浦 浩治
愛教大物理
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小出 常晴
高エ研PF
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小出 常晴
高エネ研
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竹川 俊二
無機材研
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設楽 哲夫
高エ研PF
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福谷 博仁
筑波大物理
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長島 礼人
早大理工
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奴賀 謙治
早大理工
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北村 和夫
早大理工
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佐藤 繁
東北大理
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本間 茂
無機材質研
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藤木 良規
無機材研
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本間 茂
無機材研
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小野 晃
無機材研
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大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
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大島 忠平
早稲田大学理工学部
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石黒 三郎
古河鉱業
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飯塚 義尚
早大材研
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長尾 忠昭
早大理工
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飯塚 義尚
早大理工
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小野 晃
無機材質研究所
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後藤 仁
早大理工
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市ノ川 竹男
Department Of Applied Physics Waseda University
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長島 礼人
東京工業大学理学部物理学科
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黄 演
無機材研
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Datars W.r.
マクマスター大
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Wuttig M.
無機材研
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藤森 淳
東大理
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青野 正和
理研
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箕村 茂
東大物性研
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梅内 誠
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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糟谷 忠雄
東北大理
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小出 常晴
高工研PF
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東北大工材研
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佐藤 耕輔
早大理工
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笠村 秀明
MST
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工藤 正博
MST
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山田 太郎
東大物性研
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大貫 惇睦
筑波大物質工
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皆川 宣明
原研先端研
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舩橋 達
原研
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藤森 淳
無機材研
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千葉 利信
無機材研
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皆川 宣明
日本原子力研究所東海研究所
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菅原 忠
東大物性研
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野口 正安
原研
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津田 惟雄
無機材研
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藤田 敏三
東北大工
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石沢 芳夫
東北大.理.物理.
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長沢 博
東大物性研
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藤井 源四郎
東大物性研
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永野 弘
東大物性研
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藤田 敏三
広島大理
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藤田 敏三
東北大(理)
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皆川 宣明
原研
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高工研
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江良 皓
無機材研
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葛葉 隆
無機材質研
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葛葉 隆
無機材研
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学習院大理
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田沼 静一
物性研
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井上 善三郎
無機材研
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大島 忠平
早稲田大学理工学部応用物理学科
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石井 紀彦
無機材質研究所
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設楽 哲夫
高工研
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石井 紀彦
無機材研
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寺倉 清之
東大物性研
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福谷 博仁
筑波大 物
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志水 隆一
阪大工
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井藤 浩志
早稲田大学応用物理学科
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設楽 哲夫
高工研PF
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栗山 正明
無機材研
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吉本 次一郎
無機材研
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石黒 三郎
古川鉱業
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梅内 誠
早大材研
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梅内 誠
Nttアクセスサービスシステム研究所
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梅内 誠
早大理工
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松沢 英久
早大理工
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稲田 ルミ子
東大物性研
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右左田 龍太郎
無機材研
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Schmid Andreas
Free Univ,in Berlin
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志水 隆一
大阪工業大学情報科学部
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相澤 俊
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
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稲田 ルミ子
物性研
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一ノ瀬 威
早大理工
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大塚 彰
早大理工
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Schmid Andreas
Free Univ In Berlin
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浜口 由和
原研
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平原 栄治
東北大.理.物理.
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岸本 安弘
理大
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Tilley B
無機材研
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松田 恭司
阪大工
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糟谷 忠雄
東北大 物理
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藤田 敏三
東北大 理
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中平 光興
無機材研
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平野 栄樹
物性研
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山田 太郎
物性研
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田中 虔一
物性研
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岸本 安弘
理科大
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朴 順子
ソウル大工大
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平野 栄樹
東大・物性研
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大貫 惇睦
物性研
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田沼 静一
東大 物性研
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石沢 芳夫
東大 物性研
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大鳥 忠平
無機材研
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佐藤 繁
高エ研PF
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坂内 吏典
無機材研
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住吉 義博
群大工
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相澤 俊
物材機構
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石田 浩
東大物性研
著作論文
- 29p-PS-23 角度分解型電子分光法によるTaC(100)面上の単原子層グラファイトの観察
- 27a-Q-11 CeB_6のスピン構造-^B NMR
- 30p-B-8 CeB_6のNMR II
- 5a-BJ-12 遍歴ヘリカル磁性体CrB_2中11_BのNMR III
- CeB_6の核磁気共鳴(II. CeB_6の特性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
- 27p-L-4 CeB_6単結晶の^BNMR
- 4a-AG-9 SmB_6中の^BのNMR
- 25a-A-9 遷移金属炭化物の電気的性質の組成依存性
- 27p-PS-47 Ln_xBa_CuO_y(Ln=La, Na)固溶体の超伝導
- 27p-PS-46 Y(Ba_Sr_x)_2Cu_3O_の合成と超伝導特性
- 31a-J-10 WC(1010)への酸素吸着
- 29aA3 FZ法によるLaB_6単結晶の育成と高温硬度(融液成長III)
- 28a-ZJ-6 浮遊帯域法で育成した炭化タングステン(WC)のドハース・ファンアルフェン効果
- 30p-BPS-27 ICISSによるHfB2表面の構造解析2
- FZ法によるPrB_6添加LaB_6単結晶の育成 : 融液成長IV
- 1E02 LaB_6 単結晶への稀土類ホウ化物の添加効果
- 24a-PS-21 ICISSによるHfB_2表面の構造解析
- FZ法によるMo単結晶の自動育成 : 融液成長V
- 31p-Y-14 HfB_2のドハース・ファンアルフェン効果(III)
- 3p-B4-6 WC(0001)表面上のグラファイトのEELS
- FZ法によるTiC単結晶の育成条件と結晶性
- 5p-L-6 YB_4のドハース・ファンアルフェン効果(III)
- 14p-D-6 YB_4の横磁気抵抗
- FZ法による高融点物質の単結晶育成時における温度分布 : 融液成長
- 28a-HE-6 YB_4のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 2p-PSA-18 イオン結晶表面における低速H^+イオンの中性化と負イオン化
- 3a-BC-10 LaB_6の比熱
- 5p-H-13 半金属のShubunikov-de Haas振動に及ぼす圧力効果 I
- 5p-H-10 半金属アンチモン,ヒ素のドハース・ファンアルフエン効果
- 5a-D-6 ヒ素のドハース・ファンアルフェン効果II
- ヒ素のドハース・ファンアルフェン効果 : 低温・金属
- 28a-ZF-8 LaB_6(100)の表面フォノン
- 27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
- 5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
- 6a-M-3 SnS_2の新しいポリタイプ
- 4a-NM-9 ICISS(およびISS)における多重散乱の解析
- 4a-NM-8 ICISSによる表面電子空間分布の研究
- 4a-NM-7 ICISSによる表面原子配列の定量的決定
- 27a-E-3 LaB_6(100)の表面フォノン
- 27a-E-6 角度分解型電子分光法によるTiC(111)面上の単原子層グラファイトの観察
- 2a-T-10 STMによるTiC(111)上の単原子層グラファイトの観察
- 1p-Z-2 化合物の表面フォノンポラリトン
- 5a-E-4 Mn_2As単結晶の磁性(その2)
- 5p-E-4 CrB_2の磁気構造
- FZ法によるZrB_2単結晶の育成 : バルク成長 IV フローティングゾーン法
- 31p-PSB-76 TiC 単結晶上へのMgOエピタキシャル膜の研究
- 31p-PSB-35 WB_2(0001)上の単原子層グラファイトのフォノン分散
- FZ法によるα-Mo_2C単結晶の育成 : 無機結晶I
- 31a-J-9 NbC(111)表面の酸素, 重水素吸着構造の解析
- FZ法によるTiB_2単結晶の育成 : 融液成長(一般)II
- 5a-D-7 Ytterbiumのドーハース・ファンアルフェン効果
- 28p-PSB-6 低エネルギーイオン散乱における電子昇位機構
- 28p-PSB-2 3次元3原子モデルによるICISSスペクトルの計算
- 28a-WB-13 低速D^+散乱によるアルカリ土類酸化物の研究
- 3G33 溶媒移動 FZ 法による LaB_6 単結晶の育成
- FZ法による定比組成に近いTiC単結晶の育成
- 2p-D-5 He^+に対するTiのシャドーコーン(実験と計算)
- 13a-PS-38 TiC(100)、(111)表面における遷移金属不純物の偏析
- 29p-G-5 アルカリ吸着TiO(110)表面の低速D^+散乱による解析
- 29p-G-4 NbC(111)表面の窒素吸着構造の解析
- 28p-Z-13 He^+入射によるCs/W(110)表面からの電子放出
- 28p-Z-12 低速D^+散乱によるアルカリ及びアルカリハライド吸着表面の研究
- 28a-Z-2 NbC(111)上の分子状吸着種
- 5p-E-5 遍歴磁性体CrB_2中の^BのNMR
- 7a-C-10 ZrB_2のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 6p-N-1 V_5S_8の磁性
- 13a-Z-4 V_5S_8単結晶の磁気的及び電気的性質II
- 5a-KG-2 V_5S_8単結晶の磁気的及び電気的性質
- 1p-Z-1 Ni表面上の単原子層グラファイトのフォノン
- 10a-R-2 陽電子の寿命 : 硫化物
- 28a-Z-1 NbC(111)表面のAl吸着構造の解析
- 29p-PS-22 ICISSによるHfC(111)表面の構造解析
- 27a-E-4 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトのフォノンと電子構造
- 1a KH-8 LaB_6長周期振動
- 4a-AG-7 GdB_6単結晶の反強磁性領域における磁気相転移
- 4a-U-10 CrB_2単結晶の電気的、磁気的性質
- 31a-BJ-8 1T-TaS_2 の電気的性質
- 7p-A-4 de Haas-van Alphen effect, Shubnikov-de Haas effect and magnetothermal effect
- PbTeのドハース・ファンアルフェン効果 : 半導体 : 測定法
- テルルおよびスズを添加したアンチモンのドハース・ファンアルフェン効果
- 5p-H-5 Biにおけるde Haas van Alphen効果とShubnikov効果との比較
- Biの横磁気抵抗への形状効果 : 低温
- 29p-PS-12 K吸着Si(100)、Pt(111)、W(110)表面のD^+散乱による研究
- 24a-PS-11 Pt(111)上の単原子層グラファイトのフォノン
- 4a-PS-12 低速D^+イオンと固体表面との相互作用II
- 5a-H-12 化学輸送法で作成したSnS_2のルミネッセンス
- 1a-H-14 YB_4のドハース・ファンアルフェン効果
- 31p-L-1 炭化タングステン(WC)のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 30p-L-14 炭化タングステン(WC)のドハース・ファンアルフェン効果の観測
- 5a-H-6 TiB_2のドハース・ファンアルフェン効果(II)
- 6a-AB-5 TiBzのドハース・ファンアルフェン効果
- 8a-G-14 ReO_3ドハース・ファンアルフェン効果
- 5a-W-3 LaB_6の新しいドハース・ファンアルフェン振動
- 10p-B-4 LaB_6のドハース・ファンアルフェン効果 III
- 2p-L-4 LaB_6のドハース・ファンアルフェン効果
- 12p-P-9 LaB_6のドハース・ファンアルフェン効果
- 9a-H-2 Tlのドハース・ファンアルフェン効果II.長周期振動
- 9a-H-1 Tlのドハース・ファンアルフェン効果I.短周期振動
- 27p-C-8 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化
- 3a-S-6 CaF_2(111)面のICISS
- 3a-S-5 散乱軌道に依存したHe^+イオンの中性化
- 3a-E-5 微視的光学表面フォノン
- 2p-E-2 低エネルギー希ガスイオンの表面における中性化機構
- 2p-E-1 低エネルギーHe^+イオンと表面の電荷交換
- 2a-RJ-10 高性能EELSスペクトロメーターの試作
- 1a-RJ-3 ISSにおけるイオン中性化II・TaC(100)
- 13a-Y-6 Si(111)-7×7表面のICISS(構造と安定性)
- 11p-A-8 ICISSによるTiC(111)面への酸素吸着
- 11p-A-7 ISSにおけるイオン中性化・TiC(100)
- 30a-Y-6 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-Y-5 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 II
- 3a-BC-9 LaB_6の強磁場磁気抵抗 II
- 11p-S-13 SnB_6の低温に於ける電気的性質
- 11p-S-12 LaB_6の低温に於ける強磁場磁気抵抗
- 10p-B-5 LaB6,ReO3の電気抵抗
- 6a-C3-15 遷移金属炭化物の反射スペクトルとバンド構造II
- 28p-D-2 遷移金属炭化物の反射スペクトルとバンド構造
- 30a-Y-4 ICISSによる表面原子空孔の構造と化学活性の解析 I
- 30a-BE-7 Si(111)-7×7の直衝突イオン散乱分光(ICISS)
- 31a-L-7 Si表面の直衝突イオン散乱分光(ICISS)
- 30a-A-3 TiC(100)表面の直衝突イオン散乱分光(ICISS) : 表面原子空孔構造の解析
- 5p-W-8 TiC, TaC(111)上の単原子層グラファイト
- 26a-O-10 グラファイト(0001)面の2次元的フォノン
- 4p-J-3 炭化タングステン(WC)のフェルミ面
- 7a-C-6 ReO_3の強磁場磁気抵抗
- 4a-NM-6 ICISS(直衝突イオン散乱分光法):表面原子配列の定量的決定のための新手法
- 31a-T-11 低速D^+、 He^+イオンと固体表面との相互作用
- 5a-H-13 SnS_2の単結晶育成と電気的性質 II
- 2p-K3-12 遷移金属炭化物の酸素吸着(表面・界面)
- 27p-GA-4 低速希ガスイオンの固体表面における中性化と再イオン化 II(表面・界面)
- 28a-H-13 TiC(100)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 1p-PS-41 Nd_Ba_Cu_3O_y固溶系の超伝導II(低温(酸化物超伝導体))
- 2p-F4-11 Mo(111)表面フォノン(表面・界面)
- 2p-K3-13 CaF2/Si(111)のISSによる研究(表面・界面)
- 28a-H-12 TiC(310)表面の表面フォノン(表面・界面)
- 1p-A2-3 Si(111)-√×√Ag表面のICISSuによる構造解析(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 1p-A2-2 低エネルギーH^+_eイオンと表面の電荷交換II(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 29p-TC-1 LiF(001)面の表面フォノン(29pTC 表面・界面)
- 2p-B2-7 TiB_2のdHvA効果(2p B2 低温)
- 30p-TJ-7 表面電子励起に伴うHe^+の非弾性散乱(30pTJ 表面・界面)
- ホウ素過剰LaB_6・CeB_6単結晶の電子放射特性