大島 忠平 | 早大理工
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概要
関連著者
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大島 忠平
早大理工
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大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
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大島 忠平
早稲田大学理工学部
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市ノ川 竹男
早大理工
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市ノ川 竹男
早稲田大学 理工学部
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大谷 茂樹
無機材研
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長島 礼人
早大理工
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井藤 浩志
早大理工
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長島 礼人
東京工業大学理学部物理学科
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石沢 芳夫
無機材研
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大谷 茂樹
無機材質研究所
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構
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大谷 茂樹
物材機構
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手嶋 憲彦
早大理工
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大谷 茂樹
科学技術庁無機材質研究所企画課
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相沢 俊
無機材研
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長尾 忠昭
早大理工
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成井 誠司
早大理工
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大島 忠平
早稲田大学理工学部応用物理学科
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川崎 豊誠
早大理工
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飯塚 義尚
早大材研
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飯塚 義尚
早大理工
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後藤 仁
早大理工
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左右田 龍太郎
無機材質研究所
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奴賀 謙治
早大理工
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北村 和夫
早大理工
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左右田 龍太郎
無機材研
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市ノ川 竹男
Department Of Applied Physics Waseda University
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蒲生 康男
早稲田大学理工学部応用物理学科
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蒲生 康男
早大理工
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岸本 悠
早大理工
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梅内 誠
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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井藤 浩志
早稲田大学応用物理学科
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梅内 誠
早大材研
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梅内 誠
Nttアクセスサービスシステム研究所
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梅内 誠
早大理工
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松沢 英久
早大理工
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大谷 茂樹
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ
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川合 孝尚
早大理工
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川合 孝尚
早大・理工・応用物理
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小川 貴志
早大理工
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大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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佐藤 耕輔
早大理工
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藤井 英俊
早大理工
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松田 考平
早大理工
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長岡 克己
早大理工
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大島 忠平
無機材研
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大島 忠平
早大材研
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大坂 敏明
早大理工
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大島 忠平
早大材研
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Franchy R
KFA Julich
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R Franchy
Institut fur Grenzflachenforschung und Vakuumphysic
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アクバル アデ・アスネイル
早大理工
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坂井 大輔
早大理工
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山下 哲胤
早大理工
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柳沢 啓史
早大理工
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田中 崇之
早大理工
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石田 康親
早大理工
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重信 毅
早大理工
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市村 崇
早大理工
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田中 崇之
東工大院理工:jst-crest
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田中 虔一
東大物性研
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工藤 正博
東北大工材研
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笠村 秀明
MST
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工藤 正博
MST
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藤井 英俊
早稲田大学理工学部応用物理学科
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小牧 正史
早大理工
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村田 吉隆
早大理工
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松田 考平
早稲田大学理工学部応用物理学科
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長岡 克己
早稲田大学理工学部応用物理学科
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六田 英治
名城大学理工学部材料機能工学科
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安 東秀
早稲田大学応用物理学科
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安 東秀
早大理工
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佐藤 崇広
早大理工
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田辺 秀樹
早大理工
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寺井 真之
早稲田大学
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寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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大坂 敏明
早大理工:早大材研
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島崎 輝彦
早大理工
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鈴木 俊哉
早大理工
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右左田 龍太郎
無機材研
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Schmid Andreas
Free Univ,in Berlin
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田邉 秀樹
早大理工
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伊藤 淳
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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遠藤 徳明
早大理工
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R.J Baird
Ford Res.Lab.
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篠崎 信一
Ford Res.Lab.
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Baird R.J.
Ford Res.Lab.
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一ノ瀬 威
早大理工
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大塚 彰
早大理工
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鈴木 克己
早大理工
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鈴木 克己
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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Schmid Andreas
Free Univ In Berlin
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六田 英治
早大理工
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伊藤 淳
早大理工
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山田 万寿雄
早大理工
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瀬尾 隆造
早大理工
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金持 徹
神戸大学工学部
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金持 徹
神戸大工
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吉野 学
早大理工
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須藤 博史
早大理工
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若林 聖
早稲田大学理工学部
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若林 聖
早大理工
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寺井 真之
早大理工
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加藤 周平
早大理工
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山本 一雄
早大理工
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趙 ボクライ
早大理工
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木村 仁史
ソニー中研
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早藤 貴範
ソニー中研
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木村 仁史
ソニー中央研究所
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島崎 輝彦
早大材研
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福島 正人
早大理工
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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早藤 貴範
ソニー超LSI研究所
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武石 玲子
ソニー中研
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遠藤 徳明
日本電子 応用研セ
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遠藤 徳明
日本電子株式会社応用研究センター
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遠藤 徳明
日本電子
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粉奈 孝行
早大理工
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最上 雄太
早大理工
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斎藤 弥八
三童大学工
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畑 浩一
三童大学工
-
大下倉 彰宏
三童大学工
著作論文
- 29p-PS-23 角度分解型電子分光法によるTaC(100)面上の単原子層グラファイトの観察
- Nb超伝導針からの電界電子放出(II)
- 5a-B-8 H/Si(110)表面での水素の昇温脱離過程のSTM観察
- 27a-Z-10 Cu(100)-Oの表面フォノン
- 28a-ZF-8 LaB_6(100)の表面フォノン
- 29p-BPS-47 NiA1(111)の表面フォノン
- 30p-BPS-6 金属(Ni、Pt) の単原子層グラファイト薄膜およびその成長過程のSTMによる観察
- 27p-E-8 STMによるSi(100)上の金属(Pt、Pd)吸着系の研究
- 27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
- 25p-PS-50 Si(100)上のPt吸着系のSTMによる観察
- 5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
- 27a-E-3 LaB_6(100)の表面フォノン
- 24a-PS-1 EELS装置の試作
- 8p-B-2 α-Cu-Al(111)表面の相転移の走査型LEED顕微鏡による観察II
- 27a-E-6 角度分解型電子分光法によるTiC(111)面上の単原子層グラファイトの観察
- 2a-T-10 STMによるTiC(111)上の単原子層グラファイトの観察
- 1p-Z-2 化合物の表面フォノンポラリトン
- 27a-Z-11 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトの電子状態と2次元プラズモン
- 2p-YF-6 Ni(755)上の単原子層六方晶系窒化ホウ素膜
- 30a-YK-9 ナノチップ電子源の作製
- 27a-Z-12 低温電界放射電子のエネルギー分析
- 3a-K-3 Ni(111)表面上のグラファイト及びh-BN単原子層膜の構造解析
- 30a-PS-30 金属表面上の単原子層h-BNの電子状態
- 31a-S-10 Pt(111)表面上の単原子層h-BNの電子状態
- 2a-Q-8 Ni(111)表面上の単結晶hーBNの電子状態
- 15aPS-21 エピタキャシャル BC_3 薄膜のフォノン構造(領域 9)
- 21aPS-3 NbB_2(0001)面上にエピタキシャル成長した準安定状態BC_3薄膜(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28p-PSB-36 アルカリ吸着に伴う単原子層グラファイトの電子状態の変化
- 28aXE-1 グラフェン/h-BNヘテロエピタキシャル膜のSTM観察
- 25pWB-12 h-BN/Ni(111)のSTM観察
- 24pY-7 Si(111)表面上のベンゼン吸着構造のSTM観察
- 31a-Q-7 LaB-6(111)表面のSTM観察
- 12p-DJ-2 TaC(111), (100)表面上の単原子層及び2原子層グラファイトのプラズモン
- 超コヒーレント電子ビームの開発
- 29a-G-11 TaC(100)、(111)面上の単原子層グラファイトの電子構造
- 電子励起型真空計
- 27a-E-5 単原子層グラファイト/Ni(111)系における電荷移動機構
- 5p-W-8 TiC, TaC(111)上の単原子層グラファイト
- 27aYF-4 カーボンナノチューブからの電界放出電子スペクトル(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))