寺井 真之 | 早稲田大学

スポンサーリンク

概要

• 安部 慎哉の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 早稲田大学の論文著者

関連著者

• 寺井 真之

  早稲田大学

• 寺井 真之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• Terai Masayuki

  System Devices Research Laboratories Nec Corp.

• 大島 忠平

  早稲田大学 各務記念材料技術研究所

• 大島 忠平

  早稲田大学理工学部

• 蒲生 康男

  早稲田大学理工学部応用物理学科

• 大島 忠平

  早稲田大学

• 大島 忠平

  早稲田大学理工学部応用物理学科

• 大谷 茂樹

  科学技術庁 無機材質研究所

• 長谷川 徳慶

  早稲田大学

• 奥沢 昌彦

  早稲田大学

• 若林 聖

  早稲田大学理工学部

• 長島 礼人

  東京工業大学理学部物理学科

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 大谷 茂樹

  物材機構

• 小倉 卓

  Necエレクトロニクス株式会社

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 大谷 茂樹

  無機材質研究所

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 大谷 茂樹

  科学技術庁無機材質研究所企画課

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  日本電気株式会社

• 大谷 茂樹

  物質・材料研究機構

• 西藤 哲史

  日本電気株式会社

• Ogura Takashi

  Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation

• Ogura Takeshi

  Ntt Cyber Space Laboratories

• 岡本 昭夫

  大阪府立産業技術総合研究所

• 田中 俊一郎

  科学技術振興事業団 田中固体融合プロジェクト

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 成廣 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 大熊 春夫

  理化学研究所

• 林 智広

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 長島 礼人

  早大理工

• 大島 忠平

  早大理工

• 草野 英二

  金沢工業大学

• 藤村 喜久郎

  鳥取大学工学部

• 鈴木 一弘

  川崎製鉄(株)技術研究所

• 高橋 夏木

  日本真空技術(株)産業機器事業部

• 大久保 治

  日本真空技術(株)産業機器事業部

• 山本 陽一

  日本電子株式会社

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 石川 順三

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 辰巳 徹

  NEC シリコンシステム研究所

• 福谷 克之

  東京大学生産技術研究所

• 張 小威

  高エネルギー加速器研究機構

• 加地 博子

  岡山理科大学工学部

• 吉森 昭夫

  岡山理科大学

• 岸本 俊二

  高エネルギー加速器機構・物質構造科学研究所

• 岡野 達雄

  東京大学生産技術研究所

• 張 小威

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所

• 平山 孝人

  学習院大学理学部

• 安 東秀

  早稲田大学応用物理学科

• 関 整爾

  日本真空技術株式会社

• 北河 勝

  金沢工業大学 高度材料科学研究開発センター

• 佐藤 彰繁

  金沢工業大学 高度材料科学研究開発センター

• 櫻井 利夫

  東北大学金属材料研究所

• 岸田 悟

  鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻

• 道園 真一郎

  高エネルギー加速器研究機構

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 永山 勝也

  Miyagi National College Of Technology

• 井藤 浩志

  早稲田大学応用物理学科

• 川崎 豊誠

  早稲田大学応用物理学科

• 渡部 徹

  鳥取大学工学部電気電子工学科

• 大島 忠平

  早稲田大学応用物理学科

• 小川 倉一

  大阪府立産業技術総合研究所

• 桜井 誠

  分子科学研究所

• 中山 正昭

  大阪市立大学大学院 工学研究科電子情報系専攻 応用物理学講座

• 岩本 和之

  鳥取大学工学部

• 安達 俊

  学習院大学理学部

• 吉竹 正明

  大阪府立産業技術総合研究所

• 野坂 俊紀

  大阪府立産業技術総合研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 西藤 哲史

  NECシステムデバイス研究所

• 寺井 真之

  NECシステムデバイス研究所

• 高橋 健介

  NECシステムデバイス研究所

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 小倉 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 辰巳 徹

  NECシステムデバイス研究所

• 渡辺 啓仁

  NECシステムデバイス研究所

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 小倉 卓

  NEC シリコンシステム研究所

• 寺井 真之

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡辺 啓仁

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡部 平司

  NEC シリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC シリコンシステム研究所

• 宮村 真

  NEC シリコンシステム研究所

• 西藤 哲史

  NEC シリコンシステム研究所

• 森岡 あゆ香

  NEC シリコンシステム研究所

• 渡部 宏治

  NEC シリコンシステム研究所

• 斎藤 幸重

  NEC シリコンシステム研究所

• 矢部 裕子

  NEC シリコンシステム研究所

• 五十嵐 多恵子

  NEC シリコンシステム研究所

• 増崎 幸治

  NEC シリコンシステム研究所

• 望月 康則

  NEC シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 渡部 宏治

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 深井 利憲

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気株式会社 シリコンシステム研究所

• 羽山 彰

  学習院大学理学部

• 小林 信一

  埼玉大学工学部電気電子システム工学科

• 藤枝 信次

  「応用物理」編集委員会

• 高橋 健介

  日本電気株式会社

• 早川 和延

  北海道大学触媒化学研究センター

• 正木 満博

  高輝度光科学研究センター

• 高橋 研

  東北大学大学院工学研究科

• 中島 秀文

  玉川大学工学部

• 酒井 創

  福島女子短期大学

• 小池 卓郎

  玉川大学工学部

• 野口 正俊

  玉川大学工学部

• 小越 康弘

  福島女子短期大学

• 坂井 大輔

  早稲田大学大学院

• 猪狩 佳幸

  東北大学科学計測研究所

• 石塚 真治

  東北大学科学計測研究所

• 峰 哲朗

  東北大学科学計測研究所

• 高岡 毅

  東北大学科学計測研究所

• 高見 知秀

  東北大学科学計測研究所

• 楠 勲

  東北大学科学計測研究所

• 後藤 康仁

  京都大学大学院工学研究科

• 市ノ川 竹男

  早稲田大学

• 一村 信吾

  電子技術総合研究所

• 大谷 茂樹

  物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研

• 川田 洋揮

  (株)日立ハイテクノロジーズ ナノテクノロジー製品事業本部研究開発本部

• 斉藤 一也

  日本真空(株)筑波超材研

• 塩川 善郎

  JRCAT(アトムテクノロジー研究体)-ATP

• 国分 清秀

  電子技術総合研究所

• 藤枝 信次

  Ecシリコノシステム研究所

• 藤枝 信次

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 小林 和彦

  玉川大学工学部

• 北河 勝

  金沢工業大学amsrc

• 渡邊 剛

  高輝度光科学研究センター

• 佐伯 宏

  高輝度光科学研究センター

• 鈴木 康明

  理化学研究所

• 谷内 友希子

  理化学研究所

• 野田 隆

  理化学研究所

• 前野 理生

  帝国電機製作所

• 〓 碩喜

  韓国標準科学研究院

• 佐藤 修

  (株)日立製作所機械研究所

• 藤沼 明子

  科学技術振興事業団 田中固体融合プロジェクト

• 矢城 陽一朗

  岡山理科大学総合情報学部

• 伊藤 淳

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 三浦 忠男

  科学技術振興事業団 田中固体融合プロジェクト

• 角谷 透

  科学技術振興事業団 田中固体融合プロジェクト

• 平田 正紘

  電子技術総合研究所

• 尾高 憲二

  (株)日立製作所機械研究所

• 五十嵐 多恵子

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 森岡 あゆ香

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 渡辺 成一

  (株)日立製作所 笠戸工場

• 筒井 照彦

  東洋大学工学部電気電子工学科

• 岡本 哲

  東海大学工学部工業化学科

• 鈴木 克己

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 五十嵐 信行

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 六田 英治

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 藤原 武

  静岡大学電子科学研究科

• 西村 仁

  大阪市立大学工学部

• 黒河 明

  電子技術総合研究所

• 百瀬 丘

  Miyagi National College of Technology

• 早坂 英修

  Miyagi National College of Technology

• 斎藤 克宏

  Miyagi National College of Technology

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 長島 礼人

  東京工業大学理学部

• 長島 礼人

  東工大物理

• 蒲生 康男

  東工大物理

• 寺井 真之

  東工大物理

• 若林 聖

  東工大物理

• 大島 忠平

  東工大物理

• 蒲生 康男

  早大理工

• 若林 聖

  早大理工

• 寺井 真之

  早大理工

• 望月 康則

  Necシステムデバイス研究所

• 河内 泰三

  東京大学生産技術研究所

• 中村 健

  電子技術総合研究所

• 渡部 平司

  NECシステムデバイス研究所

• 湊 道夫

  真空冶金株式会社

• 市川 昌和

  Jrcat

• 居島 薫

  北海道大学触媒化学研究センター

• OSHIMA Chuhei

  Department of Applied Physics, Waseda University

• 不破 耕

  日本真空技術株式会社

• 田中 大介

  大阪産業大学工学部電気電子工学科

• 土佐 正弘

  科学技術庁金属材料技術研究所

• 吉原 一紘

  科学技術庁金属材料技術研究所

• 清水 三郎

  日本真空技術

• 黒田 靖信

  金沢工業大学AMSRC

• 金原 あきら

  金沢工業大学AMSRC

• 水野 清義

  北海道大学触媒化学研究センター

• 塚原 園子

  日本真空(株)筑波超材研

• 池田 佳直

  日本真空(株)筑波超材研

• 井元 一好

  学習院大学理学部

• 増崎 幸治

  日本電気株式会社

• 菅野 誠一郎

  (株)日立製作所機械研究所

• 橘内 浩之

  (株)日立製作所機械研究所

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 辰巳 徹

  Nec シリコンシステム研

もっと見る 閉じる

著作論文

• Physical model for reset state of Ta2O5/TiO2-stacked resistance random access memory (Special issue: Solid state devices and materials)
• 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
• Breakdown Mechanisms and Lifetime Prediction for 90-nm-Node Low-Power HfSiON/SiO_2 CMOSFETs
• Influence of Charge Traps within HfSiON Bulk on Positive and Negative Bias Temperature Instability of HfSiON Gate Stacks
• 1.2nm HfSiON/SiON Stacked Gate Insulators for 65-nm-Node MISFETs
• Breakdown Mechanisms and Lifetime Prediction for 90nm-node Low-power HfSiON/SiO_2 CMOSFETs
• Influences of Traps within HfSiON Bulk on Positive- and Negative-Bias Temperature Instability of HfSiON Gate Stacks
• 1.2nm HfSiON/SiON stacked gate insulators for 65nm-node MISFETs
• グラファイト・ナノリボンの電子構造
• グラファイト・ナノクリスタルおよびグラファイト・ナノリボンの作製
• Ni(111)表面上単原子層グラファイトの構造解析
• 3p-J-12 単原子層h-BNに被膜されたNi(111)表面上におけるグラファイト吸着層の成長及び電子状態の観察
• 3a-K-3 Ni(111)表面上のグラファイト及びh-BN単原子層膜の構造解析
• Atomic Structural Analysis of a Monolayer Epitaxial Film of Hexagonal Boron Nitride/Ni(111) studied by LEED Intensity Analysis(Interfaces by various techniques)
• Effects of Si/Ni composition ratio of NixSiy gate electrode and Hf/Si composition ratio of Hf-based high-k insulator on threshold voltage controllability and mobility of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
• サマリー・アブストラクト

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク