櫻井 利夫 | 東北大学金属材料研究所
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概要
関連著者
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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桜井 利夫
東北大wpi
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藤川 安仁
東北大金研
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櫻井 利夫
東北大金研
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長谷川 幸雄
東大物性研
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藤川 安仁
東北大学金属材料研究所
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Sadowski J.
東北大金研
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長尾 忠昭
物材機構
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橋詰 富博
日立製作所基礎研究所
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サドウスキー J.
東北大金研
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Sadowski Jerzy
東北大金研
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柳沼 晋
物材機構
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Al-Mahboob A.
東北大金研
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長尾 忠昭
東北大金研
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宝野 和博
(独)物質・材料研究機構
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宝野 和博
物材機構
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秋山 琴音
東京大学物性研究所
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宝野 和博
物質・材料研究機構 磁性材料セ
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桜井 利夫
東北大金研
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長谷川 幸雄
東北大学金属材料研究所
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長谷川 幸雄
東北大金研
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森川 良忠
阪大産研
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佐崎 元
東北大・金研
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寺倉 清之
北陸先端大
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中嶋 一雄
東北大金研
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佐崎 元
東北大金研
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寺倉 清之
産総研:北陸先端大
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橋本 保
産総研
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Lagally M.
Univ. of Wisconsin-Madison
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吉川 元起
東北大金研
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SADOWSKI J.
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東北大学金属材料研究所
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吉川 元起
東京大学大学院理学系研究科
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柳沼 晋
東北大金研
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池田 進
東北大 理GCOE
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斉木 幸一朗
東大 新領域
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林 智広
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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小野 雅紀
東大物性研
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江口 豊明
東大物性研
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寺倉 清之
産総研
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渡辺 洋右
東北大金研
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須藤 彰三
東北大院理
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渡辺 洋右
東北大学金属材料研究所
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森川 良忠
産総研
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西方 督
金研
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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安 東秀
東大物性研:jst
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長谷川 幸雄
東京大学物性研究所
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江口 豊明
東京大学物性研究所
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小野 雅紀
理化学研究所
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霍間 勇輝
東大院新領域
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池田 進
東大院新領域
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斉木 幸一朗
東大院新領域
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佐崎 元
北大低温研:jst-さきがけ
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橋本 保
産総研計算科学
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大野 隆央
金属材料技術研究所
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西方 督
東北大金研
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寺倉 清之
Jrcat 産業技術融合領域研究所
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宝野 和博
金属材料技術研究所
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池田 進
高エネルギー研
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橋詰 富博
東北大金研
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伊藤 淳
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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薛 其坤
東北大学金属材料研究所
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秋山 琴音
東北大学金属材料研究所
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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松島 龍夫
北海道大学触媒化学研究センター
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斎藤 峯雄
金沢大自然
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長谷川 修司
東大理
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岡本 昭夫
大阪府立産業技術総合研究所
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篠原 久典
名大院理
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横手 隆昌
東洋アルミニウム(株)研究開発本部
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川添 良幸
東北大金研
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田中 俊一郎
科学技術振興事業団 田中固体融合プロジェクト
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大熊 春夫
理化学研究所
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山中 俊朗
北大触媒セ
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Wang J.
東北大金研
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Tupkalo A.
東北大金研
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松島 龍夫
東北大金研
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草野 英二
金沢工業大学
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篠原 久典
名大理
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藤村 喜久郎
鳥取大学工学部
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稲岡 毅
琉球大理
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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高橋 夏木
日本真空技術(株)産業機器事業部
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大久保 治
日本真空技術(株)産業機器事業部
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高橋 まさえ
東北大金研
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森川 良忠
大阪大学産業科学研究所
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井上 明久
東北大金研
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中嶋 一雄
東北大学金属材料研究所
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山本 陽一
日本電子株式会社
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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長村 光造
京大・工
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福谷 克之
東京大学生産技術研究所
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張 小威
高エネルギー加速器研究機構
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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安 東秀
東大物性研
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宇佐美 徳隆
東北大学金属材料研究所
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長谷川 直也
アルプス電気(株)磁気デバイス事業部
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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岸本 俊二
高エネルギー加速器機構・物質構造科学研究所
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岡野 達雄
東京大学生産技術研究所
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大島 忠平
早稲田大学理工学部応用物理学科
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張 小威
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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宇治原 徹
名古屋大学工学部
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宇治原 徹
東北大金研
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平山 孝人
学習院大学理学部
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楠井 潤
東洋アルミニウム(株)
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六田 英治
名城大学理工学部材料機能工学科
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安 東秀
早稲田大学応用物理学科
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関 整爾
日本真空技術株式会社
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北河 勝
金沢工業大学 高度材料科学研究開発センター
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佐藤 彰繁
金沢工業大学 高度材料科学研究開発センター
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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秋山 琴音
東大物性研
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安 東秀
東京大学物性研究所
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小野 雅紀
東京大学物性研究所
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橋本 保
産業技術総合研究所計算科学部門
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寺倉 清之
北海道大学創成科学研究機構
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LAGALLY Max
University of Wisconsin-Madison
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岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
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道園 真一郎
高エネルギー加速器研究機構
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大谷 茂樹
科学技術庁 無機材質研究所
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永山 勝也
Miyagi National College Of Technology
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大野 隆央
物質・材料研究機構
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井藤 浩志
早稲田大学応用物理学科
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川崎 豊誠
早稲田大学応用物理学科
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渡部 徹
鳥取大学工学部電気電子工学科
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大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
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大島 忠平
早稲田大学理工学部
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大島 忠平
早稲田大学応用物理学科
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Al-Mahboob A.
東北大WPI
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櫻井 利夫
東北大WPI
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小川 倉一
大阪府立産業技術総合研究所
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桜井 誠
分子科学研究所
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中山 正昭
大阪市立大学大学院 工学研究科電子情報系専攻 応用物理学講座
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齋木 幸一朗
東大理
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岩本 和之
鳥取大学工学部
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安達 俊
学習院大学理学部
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吉竹 正明
大阪府立産業技術総合研究所
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野坂 俊紀
大阪府立産業技術総合研究所
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斉藤 峯雄
物質・材料研究機構計算材料科学研究センター
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寺井 真之
早稲田大学
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羽山 彰
学習院大学理学部
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小林 信一
埼玉大学工学部電気電子システム工学科
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山中 俊朗
北大 触媒化学研究セ
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斎藤 峯雄
金沢大院自然
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大野 隆央
物質・材料研究機構計算科学センター
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藤原 航三
東北大学金属材料研究所
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早川 和延
北海道大学触媒化学研究センター
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正木 満博
高輝度光科学研究センター
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高橋 研
東北大学大学院工学研究科
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高橋 まさえ
東北大学金属材料研究所
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中島 秀文
玉川大学工学部
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酒井 創
福島女子短期大学
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小池 卓郎
玉川大学工学部
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野口 正俊
玉川大学工学部
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小越 康弘
福島女子短期大学
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稲岡 毅
岩手大工
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坂井 大輔
早稲田大学大学院
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猪狩 佳幸
東北大学科学計測研究所
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石塚 真治
東北大学科学計測研究所
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峰 哲朗
東北大学科学計測研究所
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高岡 毅
東北大学科学計測研究所
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高見 知秀
東北大学科学計測研究所
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楠 勲
東北大学科学計測研究所
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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櫻井 俊夫
東北大
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Lagally M.
University of Wisconsin-Madison
-
長尾 忠昭
東北大学金属材料研究所
-
柳沼 晋
東北大学金属材料研究所
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市ノ川 竹男
早稲田大学
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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Tromp R.
Ibm
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川田 洋揮
(株)日立ハイテクノロジーズ ナノテクノロジー製品事業本部研究開発本部
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Kumar Vijay
VK財団
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Yang Weisheng
北京大学
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斉藤 一也
日本真空(株)筑波超材研
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塩川 善郎
JRCAT(アトムテクノロジー研究体)-ATP
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国分 清秀
電子技術総合研究所
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小林 和彦
玉川大学工学部
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北河 勝
金沢工業大学amsrc
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渡邊 剛
高輝度光科学研究センター
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佐伯 宏
高輝度光科学研究センター
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鈴木 康明
理化学研究所
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谷内 友希子
理化学研究所
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野田 隆
理化学研究所
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前野 理生
帝国電機製作所
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〓 碩喜
韓国標準科学研究院
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佐藤 修
(株)日立製作所機械研究所
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藤沼 明子
科学技術振興事業団 田中固体融合プロジェクト
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甕 久実
東北大金研
-
矢城 陽一朗
岡山理科大学総合情報学部
-
三浦 忠男
科学技術振興事業団 田中固体融合プロジェクト
-
角谷 透
科学技術振興事業団 田中固体融合プロジェクト
-
Ling Yong
東北大金研
-
Xue Q.K
東北大金研
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Zhou J.M
東北大金研
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坂田 東洋
東北大金研
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平田 正紘
電子技術総合研究所
-
尾高 憲二
(株)日立製作所機械研究所
著作論文
- 21aYC-1 Si 表面上の液体金属のサーファクタント層状成長
- Ge/Si(105)表面の原子間力顕微鏡観察
- 28pWP-2 Ge/Si(105)-2×1表面の高分解能AFM観察(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 24aYH-3 ニホウ化ジルコニウム薄膜を介在したシリコン上の窒化ガリウム成長(24aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYH-2 有機薄膜成長における分子の異方性と結晶成長機構(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 01aD05 H-Si(111)表面上でのペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察II : ドメイン構造の生成機構(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
- 01aD04 H-Si(111)表面上で成長するペンタセン薄膜結晶の低速電子顕微鏡観察I : エピタキシャル構造(バイオ・有機(1),第36回結晶成長国内会議)
- 31aWD-9 Ge/Si(105)1×2 のリボンデッド S_B ステップ・モデル
- シリコン表面上の半金属Bi超薄膜の同素変態
- 28pWP-5 第1原理計算とSTM観測によるSi(313)12x1再構成表面の原子構造の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 24pWB-10 Si(557)-Au上の1次元プラズモン : 交換・相関とスピン軌道相互作用(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究 [II]
- 走査トンネル顕微鏡(STM)によるGaAs(001)表面の研究[I]
- 1a-J-12 STMによる表面ステップ上でのフラーレン分子のクラスター形成過程の研究
- 29p-S-11 GaAs(001)-4x2-Ga表面原子構造のSTMによる研究
- 半導体表面のアトムプロセス (表面のアトムプロセス)
- 有機半導体PTCDAの水素終端Si(111)表面上でのヘテロエピタキシャル構造(有機結晶)
- Ni(111)上の六方晶系窒化ホウ素膜の安定性
- Cu(111)面上の硫黄/塩素吸着
- 22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXD-5 高分解能低速電子線回折による半金属Biナノ薄膜の構造相転移観察(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pPSB-38 Bi(001) エピタクシャル超薄膜の構造安定性及び表面融解メカニズム
- Co-12Cr-2Ta薄膜の3次元アトムプローブ分析
- アトムプローブによる非晶質合金のナノ結晶化の研究
- 三次元アトムプロ-ブとその応用
- Mn, Ag添加7000系合金のアトムプローブ分析
- 半導体表面とペンタセン薄膜間の界面形成過程の微視的構造観察
- 22aXA-8 エネルギー分析型LEEMを用いた銀表面の顕微分光(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 窒化物半導体薄膜の走査プローブ顕微鏡による微視的評価
- エピタキシャルZrB_2薄膜を介在したシリコン基板における単一極性GaN薄膜の成長(最近の研究から)
- 半導体ナノ構造の構成要素としての表面構造 : 高指数表面の研究を通じて(最近の研究から)
- 半導体ヘテロ構造における表面・界面歪み制御
- GaN(0001)表面の再構成構造-第一原理計算とSTMによるアプローチ-
- 走査トンネル顕微鏡によるSiC(000-1)表面構造の研究
- 31pZE-1 Si(111) 表面上の Ag(111) 超薄膜の高波数分解 ELS-LEED
- 走査トンネル顕微鏡による局所仕事関数の測定
- サマリー・アブストラクト
- 走査トンネル顕微鏡による局所仕事関数の研究
- Scanning Tunneling Microscopy of N_2H_4 on Silicon Surfaces
- 金研国際ワークショップ「界面におけるナノスケールの構造とその特性」
- バリスティック電子放射顕微鏡による界面の微視的研究
- Fe-Zr-B系軟磁性材料のナノ組織形成と添加元素の影響