稲岡 毅 | 琉球大理
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概要
関連著者
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稲岡 毅
琉球大理
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稲岡 毅
岩手大工
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稲岡 毅
岩手大・工
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長尾 忠昭
物材機構
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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Inaoka Takeshi
Department Of Electrical And Electronic Engineering The University Of Tokushima
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INAOKA Takeshi
Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Tokushima
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長尾 忠昭
物材機構wpi-mana Nims Tsukuba
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柳澤 将
琉球大理
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柳沼 晋
物材機構
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長尾 忠昭
物・材機構
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柳 沼晋
物材機構ナノマテ研:筑波大院数物
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松川 憲司
琉球大理
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平山 祥郎
東北大理
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武田 さくら
奈良先端大物質創成
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長尾 忠昭
東北大金研
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NISHIDA Atsushi
Department of Psychiatry, Division of Neuroscience, Mie University, Graduate School of Medicine
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Nishida Atsushi
Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Chiba University
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長尾 忠昭
物材機構ナノマテ研
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劉 燦華
物・材機構
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柳沼 晋
物・材機構
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中山 知信
物・材機構
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劉 燦華
物材機構
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長谷川 正之
岩手大・工
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Sohrmann C.
ウォーリック大
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Wiebe J.
ハンブルグ大
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Wiesendanger R.
ハンブルグ大
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Romer R.
ウォーリック大
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Morgenstern M.
アーヘン大
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橋本 克之
ハンブルグ大:東北大理:jst-erato
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HASEGAWA Masashi
Institute of Materials Research, Tohoku University
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HASEGAWA Masayuki
Department of Physics, Faculty of Science, Tohoku University
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Nishida A
Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Chiba University
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Hasegawa M
Institute Of Materials Research Tohoku University
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Nishida Atsushi
Department Of Chemical System Engineering The University Of Tokyo
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Hasegawa Masayuki
Department Of Materials Science And Technology Faculty Of Engineering Iwate University
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武田 さくら
奈良先端大
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橋本 克之
JST-ERATO:東北大院理
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金城 悠希
琉球大理
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長谷川 修司
東大理
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大門 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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澤野 憲太郎
東京都市大学 総合研究所
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櫻井 利夫
東北大金研
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有馬 健太
阪大院工
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大門 寛
奈良先端大
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吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
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Rugeramigabo E.
ハノーファー大
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Tegenkamp C.
ハノーファー大
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Pfnur H.
ハノーファー大
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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長谷川 正之
岩手大工
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上原 洋一
東北大通研
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中山 知信
物材機構
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桑原 祐司
理研
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桜井 利夫
東北大wpi
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櫻井 利夫
東北大学金属材料研究所
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澤野 憲太郎
都市大総研
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竹下 登
岩手大・工
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吉丸 正樹
STARC
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今村 健
STARC
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中山 知信
物材機構MANA
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青野 正和
物・材機構
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長尾 忠昭
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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稲岡 毅
岩手大学工学部
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讃岐 圭人
岩手大工
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庄司 正拓
岩手大工
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橋本 克之
ハンブルグ大
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橋本 克之
Hamburg Univ.
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Sohrmann C.
Univ. of Warwick
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Wiebe J.
Hamburg Univ.
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Wiesendanger R.
Hamburg Univ.
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Romer R.A.
Univ. of Warwick
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Morgenstern M.
RWTH Aachen Univ.
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佐藤 弘二
岩手大工
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柳沼 晋
東北大金研
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阿部 秀磨
岩手大・工
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田畑 裕貴
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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櫻井 利夫
東北大学際センター
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中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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今村 健
(株)半導体理工学研究センター
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西田 敦
日本モトローラ
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田畑 裕貴
奈良先端大物質創成
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吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
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坂田 智裕
奈良先端大物質創成
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Idayu Nur
奈良先端大物質創成
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友利 和也
琉球大理
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Ayob Nur
奈良先端大物質創成
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手塚 勉
STARC
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片山 俊治
STARC
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喜舎場 英吾
琉球大理
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澤野 憲太郎
東京都市大学
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武田 さくら
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
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田中 春奈
琉球大理
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嘉手川 千央
琉球大理
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澤野 憲太郎
東京都市大
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Sohrmann Christoph
Univ. of Warwick
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稲岡 毅
Hamburg Univ.
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Roemer Rudolf
Hamburg Univ.
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Wiesendanger Roland
Univ. of Warwick
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Morgenstern Markus
RWTH Aachen Univ.
著作論文
- 20aGQ-6 極薄金属ワイヤーに生ずる低次元プラズモン(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-27 n型InSb表面のキャリア涸渇層形成過程における表面電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-80 EELSによるシリコン表面上における原子鎖の一次元プラズモンの研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-6 Si(111)-5×2-Au表面上における一次元プラズモンの研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-8 帯状表面電子系に生ずるプラズモン : 1次元性と2次元性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-7 Si(557)-Au表面に生ずる低次元プラズモン(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-11 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンIII(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-10 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-62 Si(111)表面反転層ホールサブバンドの構造(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-12 n型InAs表面キャリア蓄積層形成過程でのサブバンド構造の変化(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pYK-2 走査トンネルスペクトロスコピーによる二次元電子系の波数空間解析(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-4 量子ホール転移の実空間観察(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aTD-6 極低密度2次元電子系のプラズモン分散 : 交換・相関と温度効果(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pYE-9 n型InAs表面キャリア蓄積層の電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pWB-10 Si(557)-Au上の1次元プラズモン : 交換・相関とスピン軌道相互作用(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-133 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンII(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-20 半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモン(領域 9)
- 27pPSA-5 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモンIII(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-12 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン II
- 22aYD-8 狭ギャップ半導体表面におけるキャリア蓄積層形成過程 : 伝導帯非放物型分散の効果
- 24aPS-49 Si(001)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31pZE-3 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン
- 高分解能電子エネルギー損失分光におけるプローブ分散領域の運動学的解析
- 19pPSB-50 高分解能電子エネルギー損失分光におけるプローブ分散領域の運動学的解析
- 28pXE-1 電子遷移過程のレベルで視た微粒子4重極表面プラズモンの内部構造
- 24aPS-46 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり II
- Thickness Dependence of Carrier-Electron States in Doped Semiconductor Films
- 24pW-15 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり
- 28a-Q-7 ドープした化合物半導体の表面素励起に及ぼすキャリア涸渇層の効果
- 27a-YK-13 ドープした半導体薄膜におけるキャリア電子状態の膜厚依存性
- 1p-YE-6 半導体表面でのキャリア涸渇層あるいは蓄積層形成過程における電子状態の変化
- Microscopic Structure of Dipolar Surface Plasmons in Spherical Small Particles in a Broad Size Range
- 5p-H-4 球面上および平面上での電子気体励起の類似と相違
- 29p-G-9 微粒子に生ずる表面および体積プラズモンの内部構造
- Coupling of Two-Dimensional and Surface Plasmons at Selectively-Doped Semiconductor Heterostructures
- 微粒子伝導電子系双極子励起の内部構造
- 31a-F-2 半導体表面におけるキャリアプラズモンー極性フォノン相互作用
- Thickness Dependence of Electronic Structure of Small Spherical Metal Shells
- 28a-J-1 微粒子伝導電子系励起の内部構造
- 3a-R-8 金属球殻の電子構造II
- 27pPSA-14 Si(001)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果II(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Characteristics of Electronic Structure of Small Spherical Metal Shells
- 31a-WB-12 金属球殻の電子構造
- 12a-DJ-8 半導体微粒子キャリア基底状態のサイズ依存性
- Coupling of the Surface and Interface Excitations in Small Coated Particles
- 29p-PSB-33 コーティングした微粒子に生ずる表面励起と界面励起
- 27p-PSA-38 半導体微粒子のキャリア基底状態
- 30p-ZS-6 球面上に束縛された電子ガスの多重極励起
- 29p-BPS-15 球対称に閉じ込められた電子ガスの多重極応答
- 25p-PS-56 縮退極性半導体表面におけるプラズモン-フォノン相互作用II
- 5a-PS-1 縮退極性半導体表面におけるプラズモン-フォノン相互作用
- 30a-Y-6 ドープした極性半導体に生ずるプラズモン-フォノン結合モードの構造
- 3p-T-1 n型極性半導体表面に生ずる2つの異なる表面光学フォノンモード
- 23pPSA-7 Si(110)表面反転層ホールサブバンドの構造 : 歪みの効果(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-8 シリコンの伝導帯、間接バンドギャップに及ぼす歪みの効果(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aCK-2 シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果(24aCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aFE-6 ゲルマニウムバンド構造に及ぼす歪みの効果(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXK-10 シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果II(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pJA-11 シリコン価電子帯に及ぼす内部歪みの効果(表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-36 STM探針下における局在表面プラズモンと振動の結合機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))