坂田 智裕 | 奈良先端大物質創成
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概要
関連著者
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武田 さくら
奈良先端大物質創成
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奈良先端大
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半導体理工学研究センター
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Idayu Nur
奈良先端大物質創成
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奈良先端大物質創成
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小久井 一樹
奈良先端大物質創成
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奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
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奈良先端大・物質創成
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半導体理工学センター
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STARC
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有馬 健太
阪大院工
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谷川 洋平
奈良先端大物質創成
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稲岡 毅
琉球大理
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酒井 智香子
奈良先端大
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山谷 寛
原子力研究開発機構関西光科学研究所
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澤野 憲太郎
都市大総研
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吉丸 正樹
STARC
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今村 健
STARC
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谷川 洋平
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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山口 樹
奈良先端大物質創成
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今村 健
(株)半導体理工学研究センター
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坂田 智弘
奈良先端大物質創成
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イダユ ヌル
奈良先端大物質創成
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手塚 勉
半導体理工学研究センター
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片山 俊治
半導体理工学研究センター
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澤野 憲太郎
東京都市大学
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ダユ ヌルイ
奈良先端大物質創成
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澤野 憲太郎
東京都市大
著作論文
- 27pPSA-10 Si(111)7×7表面へのK吸着構造における表面電気伝導度測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aTH-1 角度分解光電子分光を用いた高濃度不純物ドープSi(111)上における空間電荷層中のバレンスサブバンド準位の解明(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-10 高温熱処理が空間電荷層中の電子状態に及ぼす影響(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXK-10 歪み印加マニピュレータの開発(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-19 超薄膜Silicon on insulator(SOI)の表面構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aJA-6 角度分解光電子分光によるPb吸着Ge(001)表面におけるバンド分散構造の観察(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))