吉丸 正樹 | STARC
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概要
関連著者
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大門 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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武田 さくら
奈良先端大物質創成
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大門 寛
奈良先端大
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吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
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吉丸 正樹
STARC
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今村 健
STARC
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今村 健
(株)半導体理工学研究センター
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吉丸 正樹
半導体理工学センター (starc)
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武田 さくら
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
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武田 さくら
奈良先端大
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大門 寛
奈良先端大物質
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澤野 憲太郎
東京都市大学 総合研究所
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有馬 健太
阪大院工
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森田 誠
奈良先端大物質創成
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小池 潤一郎
奈良先端大物質創成
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山中 佑一郎
奈良先端大物質創成
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今村 健
半導体理工学研究センター
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稲岡 毅
琉球大理
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中野 晃太郎
奈良先端大物質創成
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澤野 憲太郎
都市大総研
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田畑 裕貴
奈良先端大学院大学物質創成科学研究科
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田畑 裕貴
奈良先端大物質創成
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坂田 智裕
奈良先端大物質創成
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Idayu Nur
奈良先端大物質創成
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Ayob Nur
奈良先端大物質創成
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手塚 勉
STARC
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片山 俊治
STARC
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澤野 憲太郎
東京都市大学
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森田 誠
奈良先端大・物質創成
-
澤野 憲太郎
東京都市大
著作論文
- 26pPSB-20 Si(110)表面へのPb吸着構造のRHEED観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))