澤野 憲太郎 | 東京都市大学

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概要

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関連著者

• 澤野 憲太郎

  東京都市大学

• 澤野 憲太郎

  東京都市大

• 白木 靖寛

  東京都市大

• 白木 靖寛

  東京都市大学

• 澤野 憲太郎

  東京都市大学　総合研究所

• 澤野 憲太郎

  都市大総研

• 星 裕介

  東京都市大学工学部

• 増渕 覚

  東大生産研

• 守谷 頼

  東大生産研

• 町田 友樹

  東大生産研

• 宇佐美 徳隆

  東北大金研

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ

• 白木 靖寛

  東京都市大学工学部

• 白木 靖寛

  東京都市大総研

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子

• 井上 義久

  東大生産研

• 伊藤 公平

  慶応大理工

• 枡富 龍一

  東大理

• 岡本 徹

  東大理

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 樽茶 清悟

  東大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 枡富 龍一

  東大物性研

• 武田 さくら

  奈良先端大物質創成

• 安藤 裕一郎

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 笠原 健司

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 榎本 雄志

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 村上 達彦

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 浜屋 宏平

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 木村 崇

  九州大学　稲盛フロンティア研究センター

• 宮尾 正信

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 有馬 健太

  阪大院工

• 大門 寛

  奈良先端大

• 吉丸 正樹

  半導体理工学研究センター

• 稲岡 毅

  琉球大理

• 仙場 浩一

  NTT物性基礎研

• 小寺 哲夫

  東大理

• 澤野 憲太郎

  武蔵工大総研

• 吉丸 正樹

  STARC

• 今村 健

  STARC

• 仙場 浩一

  Ntt物性科学基礎研究所

• 牛尾 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 牛尾 二郎

  日立製作所中央研究所

• 田畑 裕貴

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 田中 弘隆

  Ntt Brl

• 今村 健

  (株)半導体理工学研究センター

• 小幡 利顕

  東大工

• 武田 健太

  東大工

• 森下 弘樹

  慶応大学

• 仙場 浩一

  NTT BRL

• ブラセンコ レオニド

  イオッフェ物理技術研究所

• 白木 靖弘

  武蔵工大

• 伊藤 公平

  慶応大学

• Nohira Hiroshi

  Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology

• 田畑 裕貴

  奈良先端大物質創成

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター (starc)

• 丸泉 琢也

  東京都市大

• 増渕 覚

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• 坂田 智裕

  奈良先端大物質創成

• Idayu Nur

  奈良先端大物質創成

• Ayob Nur

  奈良先端大物質創成

• 手塚 勉

  STARC

• 片山 俊治

  STARC

• 野平 博司

  東京都市大

• ミロノフ マクシム

  Warwick大学

• 小松 新

  東京都市大学工学部

• 那須 賢太郎

  東京都市大学工学部

• 榑林 徹

  東京都市大学工学部

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST

• 桝富 龍一

  東大理

• 武田 さくら

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 澤野 憲太郎

  東京都市大学工学部

• 飯島 郁弥

  東京都市大学工学部

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• 星 裕介

  東京都市大総研

• 武田 さくら

  奈良先端大

• 仙場 浩一

  NTT物性基礎研:東京理科大:国立情報学研

• 千葉 奨

  東大理

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノエレ研セ

• 神岡 純

  東工大量子ナノ研セ

• アクタ ワシーム

  東大工

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著作論文

• 高品質Fe3Si/Siからなるショットキートンネル電極を用いたシリコン中のスピン伝導の電気的検出
• 23aQG-2 シリコン中リンの低磁場電子・核スピン共鳴(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
• 25pCJ-3 スピン偏極したシリコン2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 18pFB-7 Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-1 Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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