角度分解硬X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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Si-cap層の厚さとHfO_2堆積後の熱処理(PDA)が, HfO_2/Si-cap/歪みGe/Si_<0.5>Ge_<0.5>/Si構造の組成および化学結合状態に及ぼす影響を角度分解X線光電子分光法を用いて調べた. Ge2p, Si 1s, Hf 3dおよびO 1s光電子スペクトルの解析から, Si-cap層なしあるいは厚さが1nmのときは歪みGe層がHfO_2堆積中に酸化すること,一方Si-cap層の厚さが3nmと5nmの場合は,歪みGe層の酸化が抑制されることを見出した.また,歪みGe層の酸化が抑制できるSi-cap層の厚さを推定した.
- 2011-10-13
著者
-
澤野 憲太郎
東京都市大学 総合研究所
-
白木 靖寛
都市大総研
-
澤野 憲太郎
都市大総研
-
白木 靖寛
東京都市大学
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
野平 博司
東京都市大
-
ミロノフ マクシム
Warwick大学
-
小松 新
東京都市大学工学部
-
那須 賢太郎
東京都市大学工学部
-
星 裕介
東京都市大学工学部
-
榑林 徹
東京都市大学工学部
-
澤野 憲太郎
東京都市大学
-
白木 靖寛
東京都市大学工学部
-
白木 靖寛
東京都市大
-
澤野 憲太郎
東京都市大
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