26aXL-3 強相関シリコン2次元電子系におけるスクリーニング効果(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 岡本 徹

  東大理

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 西岡 貴央

  東大理

• 澤野 憲太郎

  都市大総研

• 當山 清彦

  東大理

• 澤野 憲太郎

  武蔵工大総研

• 白木 靖寛

  武蔵工大総研

• 當山 清彦

  東大理:nec

• 大山 忠司

  Osaka Univ. Osaka

• Ohyama Teruo

  Department Of Physics Gakushuin Univ

• 白木 靖寛

  東京都市大学工学部

• 澤野 憲太郎

  東京都市大

関連論文

• 20pHV-3 Si/SiGe2次元金属相におけるサイクロトロン共鳴(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-4 量子ホール系におけるTHz周波数帯光学ホール効果の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Optical Modes in Two-dimensionally Ordered Dielectric Spheres
• Interaction of Near-Field Light with Ordered Polystyrene Spheres : Experimental Studies
• Determination of the Anisotropic Optical Constant of Evaporated Polydiacetylene-C_4UC_4 Films at 632.8 nm
• 28pXB-12 強磁性体を吸着させたInAs劈開表面二次元電子系の平行磁場下における正の巨大磁気抵抗と発現機構(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 半導体劈開表面の2次元電子系と量子ホール効果の観測
• 25pXD-5 銀原子蒸着により誘起されたInAs劈開表面2次元電子系の電子密度とHall移動度(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aYT-7 銀をその場蒸着させたInAs劈開表面における整数量子ホール効果の観測(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 28aXT-12 スパッタリングにより誘起されたInAs表面近傍の電子系に対する磁気抵抗測定(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28aZP-2 InAs-MIS 反転層におけるサブバンド構造
• 29a-YM-7 Si/Ge/Si界面からのX線散漫散乱
• 19aYC-13 Si/SiGeヘテロ構造2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴と電子相関(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-5 アルカリ金属蒸着により誘起されたInAs劈開表面2次元電子系の磁気抵抗(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
• 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
• 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
• 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
• エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
• 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
• 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
• 人材育成
• 24aYT-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測II(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13pYB-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-1 2 次元電子系における非平衡雑音の空間分解測定(量子ホール効果, 領域 4)
• 29pYG-4 整数量子ホール系におけるEttingshausen効果の観測(量子ホール効果)(領域4)
• 29pYG-3 量子ホール系におけるランダウ準位間/内散乱の画像観測(量子ホール効果)(領域4)
• 21pTL-9 ナノプローブによるゲート効果を用いた量子ホール系における電位分布計測
• 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
• 25pXD-3 Si/SiGe量子井戸二次元電子系における井戸幅と谷分離エネルギーの関係(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-6 表面2次元電子の抵抗測定で見るFe/InAs(110)表面上のスピングラス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-11 シリコン2次元電子系におけるランダウ準位交差と擬スピン非偏極状態の可能性(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWH-6 鉄原子吸着で誘起されたInAs表面二次元電子系における磁気抵抗の履歴現象(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-6 高移動度シリコン2次元電子におけるランダウ準位交差と電気伝導の巨大異方性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-7 InSb劈開表面における量子ホール効果と熱処理効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-6 核スピン偏極を用いた量子ホール系におけるEttingshausen効果の観測(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-2 InSb劈開表面における整数量子ホール効果の観測(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXL-3 強相関シリコン2次元電子系におけるスクリーニング効果(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-9 量子ホール効果のブレークダウンと核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYC-3 GaAs2次元正孔系の強局在領域における正の巨大磁気抵抗(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-13 シリコン量子ホール系における電子スピン共鳴(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13aTJ-8 X 線回折を利用した Si/Ge/Si(001) 結晶における Ge island の歪みについての研究(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
• 20pTH-7 GaAs/AlAs 隣接閉じ込め構造からの励起子磁気発光 II
• 20pTH-6 半導体ナノ構造における電子・正孔空間分離型励起子からの磁気発光ダイナミクス
• 19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
• 20pWF-3 非コヒーレントな層間結合をもつ層状物質における角度依存磁気抵抗振動の検証
• 20aYH-7 強磁場下半導体超格子における磁気抵抗効果
• イオン注入法を用いた歪み緩和SiGe薄膜の作製と応用
• 28p-R-5 二次元アンチドット格子系における量子ホール状態
• 28p-R-5 二次元アンチドット格子系における量子ホール状態
• 二次元アンチドット格子系の強磁場磁気抵抗
• 二次元アンチドット格子系の強磁場磁気抵抗
• 27pTC-14 半導体超格子における磁場方位に依存する磁気抵抗効果
• 25pSB-6 非コヒーレントな層間結合をもつ半導体超格子における角度依存磁気抵抗振動
• 24pD-11 多層量子ホール系におけるカイラル表面状態の電気伝導特性III
• エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 27p-N-5 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜中に誘起される少数キャリアトラップ
• 29p-YC-8 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜中に誘起されるディープセンターの起源
• 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
• Magnetic structure of Tb0.5Er0.5 alloy (Selected papers related to neutron diffraction studies by the use of KUR-TAS)
• 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
• 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
• 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
• 14aYB-9 GaAs2 次元正孔系における強相関電子固体相の磁気抵抗振動(量子ホール効果, 領域 4)
• 29pYG-7 Si-MOS 2次元電子系における活性化型伝導領域での磁気抵抗振動とスピン偏極(量子ホール効果)(領域4)
• 28a-ZB-6 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊III
• 28a-ZB-6 量子化ホール抵抗の高電流による崩壊III
• 26p-YG-13 ホール電場に依存する量子化ホール抵抗の崩壊現象と高精度量子化ホール・バーの2抵抗体1次元超格子模型
• 26p-YG-13 ホール電場に依存する量子化ホール抵抗の崩壊現象と高精度量子化ホール・バーの2抵抗体1次元超格子模型
• 13aYB-9 シリコン二次元電子系における電子スピン共鳴(半導体スピン物性, 領域 4)
• 23aL-8 分数量子ホール効果の高精度測定
• 23pSA-5 量子化ホール抵抗の崩壊 : 温度依存性
• New Plasmon Waveguides Composed of Twin Metal Wedges with a Nano Gap
• 22pL-7 2次元系の金属・絶縁体転移とスピン自由度
• 26p-YG-7 シリコンMOSFETにおける金属・絶縁体転移と磁場効果
• Characteristics of Whispering Gallery Modes in Single Dielectric Spheroid Excited by Gaussian Beam
• Light Intensity Enhancement and Optical Nonlinear Response due to Localized Surface Plasmons in Nanosize Ag Sphere
• Evaluation of Band-Gap Energies and Characterization of Nonradiative Recombination Centers of Film and Bulk GaN Crystals
• 28aZP-1 Si/SiGe ヘテロ構造試料における 2 次元金属相とスピン自由度
• Characteristics of an Optical Filter Composed of Two Vertically Coupled Microring Resonators(Optoelectronics)
• Nonlinear Optical Response of a CdS-Coated Ag Particle
• Self-Modulation of Scattering Intensity from a Silica Sphere Coated with a Sol-Gel Film Doped with J-Aggregates
• Determination of Second-Order Nonlinear Optical Susceptibility of GaN Films on Sapphire
• Optical Switching Phenomena of Kerr Nonlinear Microsphere Due to Near-Field Coupling : Numerical Analysis(Special Issue on Near-Field Optics and Its Applications)
• 28pYS-5 量子固体相におけるアハラノフ・ボーム効果と強相関金属相
• 28pYS-5 量子固体相におけるアハラノフ・ボーム効果と強相関金属相
• Temperature Dependence of the Thermal Conductivity and Phonon Scattering Time of a Bulk GaN Crystal
• Lifetime of Optical Modes in Two Dimensionally Ordered Spheres(Optics and Quantum Electronics)
• 領域4,11「強磁場中2次元系の多彩な量子現象」(第56回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
• Optical Switching Due to Local Kerr Nonlinearity in Attenuated Total Reflection Geometry
• 22aRC-2 半導体表面における量子ホール伝導と2次元スピングラス(22aRC 領域9,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム:多彩な表面系における電子輸送現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• ″電子の個体″の磁性とアハラノフ-ボ-ム効果
• 25pCJ-3 スピン偏極したシリコン2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pCK-9 GaAs劈開表面上に形成した金属超薄膜の超伝導(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aFE-8 GaAg劈開表面上の金属単原子層膜の超伝導と面内磁場効果(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXK-5 GaAs劈開表面における空間反転対称性の破れた2次元超伝導(28pXK 表面界面電子物性・金属,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 9aSA-3 量子ホール素子の磁気抵抗振動を利用した静電ポテンシャル分布測定(整数・分数量子ホール効果,領域4)
• 26pDD-1 吸着原子が誘起する2次元電子系における走査トンネル分光顕微鏡と電子輸送特性の同時測定(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXP-4 量子ホール効果破壊領域の直接観察 : 巨視的サイズ効果(26pXP 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク