28pXB-12 強磁性体を吸着させたInAs劈開表面二次元電子系の平行磁場下における正の巨大磁気抵抗と発現機構(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 岡本 徹

  東大理

• 辻 幸秀

  東大理

• 望月 敏光

  東大理

• 日尾 真之

  東大理

• 大山 忠司

  Osaka Univ. Osaka

• Ohyama Teruo

  Department Of Physics Gakushuin Univ

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