Dynamics and Kinetics of Carrier System in Photoexcited Ge and Si Observed by Optically Detected Cyclotron Resonance
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概要
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We have observed optically detected cyclotron resonance (ODCR) in Ge and Si.Complicated but outstanding signals have been observed in As-doped Ge. They are ex-plained on the basis of our results obtained earlier. As for Si, kinetics of a system consisting of free carriers, free and bound excitons, bound multiexciton complexes andelectron-hole droplets under cyclotron resonance condition is analyzed by means ofrate equations, together with "effective temperature" introduced. Besides, the changein photoluminescence spectrum caused by cyclotron resonance is compared with thatcaused by DC electric field, where a new advantage of ODCR is found.[optically-l[ boundelectron- ]j holeXldetected cyclotron resonance (ODCR), hot carrier free excmton, donorexcuton, acc<:ptor-bound exciton, bound multiexciton complex,droplet (El-IID), impact dissociation
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-05-15
著者
-
大山 忠司
阪大教養
-
山崎 陽司
京都府歯科医師会公衆衛生・産業歯科部
-
大塚 穎三
阪大教養
-
大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
-
Otsuka Eizo
Department of Applied Physics, Osaka University
-
OHYAMA Tyuzi
Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University
-
Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
-
TOMARU Tatsuya
Department of Physics,College of General Education,Osaka University
-
Tomaru Tatsuya
Department Of Physics College Of General Education Osaka University
-
Ohyama Tyuzi
Department Of Physics College Of General Education Osaka University
-
Otsuka Eizo
Department Of Applied Physics Osaka City University
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