大山 忠司 | 阪大教養

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概要

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• 阪大教養の論文著者

関連著者

• 大山 忠司

  阪大教養

• 大塚 穎三

  阪大教養

• Ohyama Teruo

  Department Of Physics Gakushuin Univ

• 大山 忠司

  Osaka Univ. Osaka

• 大塚 頴三

  阪大教養

• 藤井 研一

  阪大教養

• 中田 博保

  阪大教養

• 小堀 裕己

  阪大教養

• 山崎 陽司

  京都府歯科医師会公衆衛生・産業歯科部

• Otsuka Eizo

  Department of Applied Physics, Osaka University

• 小堀 裕己

  甲南大理工:甲南大量子ナノテク研

• OHYAMA Tyuzi

  Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University

• 小堀 裕己

  甲南大理工

• 戸丸 辰也

  阪大教養

• 大塚 エイ三

  阪大教養

• 大塚 エイ三

  阪大 教養

• KOBORI Hiromi

  Department of Physics, Faculty of Science and Engineering, Konan University

• 山本 夕可

  阪大理

• 吉村 聡

  阪大教養

• 井垣 謙三

  元東北大工

• 真田 淑

  阪大 教養

• 真田 淑

  阪大教養

• 西谷 輝

  松下中研

• 西谷 輝

  阪大教養

• 小川 憲介

  阪大・教養

• 一色 実

  東北大工

• 山本 夕可

  阪大教養

• 小堀 裕巳

  阪大院理

• 小堀 裕巳

  阪大教養

• 原田 義之

  阪大教養

• NAKATA Hiroyasu

  Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University

• 本堀 勲

  阪大教養

• 岩見 基弘

  岡山大理

• 山内 庄一

  岡山大理

• 岡本 稔

  阪大教養

• 藤原 康文

  名大工

• 大山 忠司

  阪大理

• 古川 和由

  東芝半導体事業部

• 松田 修

  阪大教養

• 中山 正昭

  阪市大工

• 山内 庄一

  日本電装基礎研究所

• Fujii Ken-ichi

  Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University

• Isshiki Minoru

  Research Institute Of Mineral Dressing And Metallurgy Tohoku University

• 大山 忠司

  阪大・教養

• 藤原 康文

  阪大基礎工

• 榊原 清彦

  阪大教養

• 増本 剛

  東北大工

• 小川 憲介

  阪大教養

• Ogawa K

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo

• OGAWA Kensuke

  Department of Physics,College of General Education,Osaka University

• 一色 実

  東北大選研

• 眞田 淑

  阪大教養

• 大山 忠司

  福井工大

• 松尾 武清

  大阪大学大学院理学研究科物理学専攻

• 伊藤 利道

  大阪大 大学院工学研究科

• 原田 義之

  大阪工大ナノ材研

• 清水 哲夫

  阪大教養

• 斎藤 弥八

  三重大工

• 篠原 久典

  三重大工

• Fukumi K

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn

• 篠原 久典

  名古屋大学大学院理学研究科

• Suzuki Masato

  Department of Laboratory Medicine, The Jikeikai University School of Medicine

• ISSHIKI Minoru

  Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University

• Suzuki Masato

  Department Of General Surgery Chiba University Graduate School Of Medicine

• Isshiki Minoru

  Instite For Advanced Materials Processing Tohoku University

• 市川 洋平

  松下電産

• Fujii Kenichi

  Department of Internal Medicine, Division of Coronary Heart Disease

• 井垣 謙三

  東北大工

• FUJIWARA Yasufumi

  Department of Materials Science and Engineering, Nagoya University

• 大塚 頴三

  阪大・教養

• 伊藤 啓行

  阪大教養

• 松尾 武清

  阪大教養

• TSUBOUCHI Nobuteru

  Department of Materials Physics, Osaka National Research Institute

• SUGIHARA Ko

  College of Pharmacy,Nihon University

• 松尾 武清

  大阪大学大学院理学研究科

• TOMARU Tatsuya

  Department of Physics,College of General Education,Osaka University

• 米田 竜司

  阪大教養

• Tomaru Tatsuya

  Department Of Physics College Of General Education Osaka University

• 松下 潔

  阪大 教養

• Fujiwara Yasuaki

  Department Of Mechanical Engineering Nagaoka University Of Technology

• Fujiwara Yuichiro

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• Suzuki Masuo

  Department Of Physics Faculty Of Science The University Of Tokyo

• 藤井 克正

  シャープ中研

• 鈴木 勝

  電気通信大学量子・物質工学科

• 坪内 信輝

  阪大教養

• 岡本 正雄

  核融合研

• 小林 啓介

  日立中研

• 大山 忠司

  阪大院理

• 河口 正哉

  阪大院理

• 井上 益孝

  阪大院理

• 八田 直記

  阪大院理

• 大塚 エイミ

  阪大教養

• FUJII Hironobu

  Faculty of Integrated Arts and Sciences,Hiroshima University

• 川村 光

  大阪大学大学院理学研究科

• 山田 省二

  武蔵野通研

• 小松原 毅一

  日立中研

• 邑瀬 和生

  阪大理

• Takeda Yoshikazu

  Department Of Electrical Engineering Kyoto University:(present Address) Department Of Materials Nago

• Takeda Yoshikazu

  Department Of Crystalline Materials Science Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 平木 昭夫

  阪大工

• 伊藤 利道

  阪大工

• 藤井 克正

  阪大教養

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• 大川 和宏

  松下中研

• 田代 孝二

  豊田工業大学大学院工学研究科極限材料専攻

• SAKURAI Junji

  Faculty of Science,Hiroshima University

• FUJIWARA Hiroshi

  Faculty of Engineering, Kochi University of Technology

• 大川 和宏

  東理大応用理:jst Erato

• Haller E.e

  Berkeley

• Takaoka S

  Graduate School Of Science Osaka University

• TAKAHASHI Toshihiro

  Department of Physics, Gakushuin University

• MURATA Keizo

  Electrotechnical Laboratory

• MANIWA Yutaka

  Department of Physics, Tokyo Metropolitan University

• 福井 孝志

  Ntt基礎研究所

• Saito Gunzi

  Chemistry Department Kyoto University

• SAITO Gunzi

  Institute for Solid State Physics,The University of Tokyo

• FUJIWARA Hiroshi

  Department of Bioregulatory Medicine, Graduate School of Medicine, Ehime University

• OHKAWA Kazuhiro

  Department of Applied Physics, Faculty of Science, Tokyo University of Science

• Murase K

  Ntt Corp. Kanagawa Jpn

• Fujii K

  Osaka Univ. Osaka

• Itoh Kohei

  Lbl(univ.of California)

• Takeda Y

  Department Of Chemistry Faculty Of Engineering Mie University

• Isshiki Minoru

  Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Tohoku University

• Maruyama K

  Department Of Physics Faculty Of Science Kyoto University

• Maruyama Kenji

  Graduate School Of Science And Technology Niigata University

• Maruyama Y

  Japan Atomic Energy Res. Inst. Ibaraki-ken Jpn

• Shimizu Tetsuo

  Department Of Psychiatry Akita University School Of Medicine

• 大塚 穎三

  阪大・教養

• 大塚 顕三

  阪大教養

• 伊藤 利通

  阪大工

• Maniwa Y

  Department Of Physics Tokyo Metropolitan University

• Maniwa Yutaka

  Department Of Physics Tokyo Metropolitan University

• Takeda Y

  Nagoya Univ. Nagoya Jpn

• SATOH Kazuo

  Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Osaka University

• 増本 剛

  東北大学工学部

• OKAMOTO Tetsuhiko

  Faculty of the Integrated Arts and Sciences,Hiroshima University

• Gamo Kenji

  Graduate School of Engineering Science, Osaka University

• 井上 益孝

  阪大理学部

• 小堀 裕巳

  阪大理

• YUAN Shixin

  Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences

• KOMURA Yukitomo

  Faculty of Science, Hiroshima University

• 田代 孝二

  阪大理

• 小林 雅通

  阪大理

• NONOGAKI Youichi

  Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University

• SHIMIZU Nobuhiro

  Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University

• Kurisu Makio

  Faculty of Science,Hiroshima University

• Gamo K

  Osaka Univ. Osaka

• Gamo Kenji

  Graduate School Of Engineering Science Osaka University

• Gamo Kenji

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University

• Gamo Kenji

  Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University:research Cent

• 福井 孝志

  武蔵野通研

• 小林 直樹

  武蔵野通研

• Komura Yukitomo

  Faculty Of Science Hiroshima University

• Sakurai Junji

  Faculity Of Science Kyoto University

• Takeda Yasuo

  Department Of Chemistry Faculty Of Engineering Mie Univerisity

• Saito Gunzi

  Depatment Of Chemistry Kyoto University

• Okamoto Minoru

  Department Of Physics College Of General Education Osaka University:ibaraki Electrical Communication

• KADOMATSU Hideoki

  Department of Materials Science, Faculty of Science, Hiroshima University

• KADOMATSU Hideoki

  Faculty of Science, Hiroshima University

• Murata Keizo

  Electorotechnical Laboratory

• 岡田 義明

  阪大教養

• KAWAMURA Hiroki

  Department of Physics, Gakushuin Univ

• OHYAMA Teruo

  Department of Physics, Gakushuin Univ

• 榊間 博

  阪大教養

• Saito Gunji

  Department Of Chemistry Kyoto University

• 小林 雅通

  大阪大 理

• 吉村 稔

  阪大教養

• Li Jie

  中国科学院上海技術物理研究所

• 中村 稔

  日立研

• 永井 士郎

  原研

• FUJII Ken-ichi

  Graduate School of Science, Osaka University

• YOSHIZAWA Takeshi

  Graduate School of Science, Osaka University

• OHYAMA Tyuzi

  Graduate School of Science, Osaka University

• OTO Kenichi

  Graduate School of Science, Osaka University

• TAKAOKA Sadao

  Graduate School of Science, Osaka University

• MURASE Kazuo

  Graduate School of Science, Osaka University

• Maruyama Kenji

  Faculty Of Science Niigata University

• 大塚 エイ三

  阪大理

• SHIMIZU Naofumi

  NTT Optical Network Systems Laboratories

• 吉原 努

  阪大教養

• Haller E.E

  LBL(Univ.of California)

• OKASHITA Tomonori

  Department of physics,Graduate School of Science,Osaka University

• Harada Yoshiyuki

  Department of Physics, Faculty of Science, Osaka University

• Vasilyev Yuri

  阪大教養

• Suchalkin S

  Ioffe Inst. St. Petersburg, Russia

• Ivanov S

  Ioffe Inst. St. Petersburg, Russia

• Kopev P

  Ioffe Inst. St. Petersburg, Russia

• Yoshizawa Takeshi

  Graduate School Of Science Osaka University

• Sakamoto Toshitugu

  Faculty Of Engineering Science Osaka University

• 吉原 務

  阪大理

• 近藤 英正

  阪大教養

• Kobayashi Toshiki

  Central Research Laboratory Rasa Industries

• Sakai Hiroyuki

  Central Research Laboratory Rasa Industries

• Maniwa Y

  Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo

• Shimizu N

  Department Of Electrical Engineering Hiroshima University

• Shimizu Nobuhiro

  Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University

• Yoshizawa T

  Graduate School Of Science And Engineering University Of Toyama

• Kopev P

  Ioffe Inst. St. Petersburg Russia

• Saito G

  Department Of Chemistry Kyoto University

• Fujii Hironobu

  Faculty Of General Education Hiroshima University

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著作論文

• 30p-W-10 NiSi_2/Siにおける界面効果
• 17aYG-6 酸化インジウム薄膜の磁気抵抗に現れる弱局在, 弱反局在効果
• 3p-RM-9 Indium Tin Oxide薄膜の低温における磁気抵抗異常
• 21. 酸化インジウム薄膜のアンダーソン局在と負磁気抵抗(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
• 28a-M-7 Indium Tin Oxide薄膜のアンダーソン局在
• 31p-M-2 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンスIV
• 25a-ZG-11 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス III
• 30p-W-9 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス II
• 28a-YM-9 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収 II : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
• 24a-M-3 EL2を含む半絶縁性GaAsの遠赤外磁気光吸収
• 5a-D-3 EL2を含む半絶縁性GaAsのマイクロ波パルス光伝導と遠赤外磁気光吸収
• 30a-C-4 励起子系の衝突解離過程 : 電場励起とマイクロ波励起
• 4a-E-6 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果 III
• 28p-G-16 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱 III
• 28p-G-15 InSbの量子極限でのサイクロトロン共鳴と共鳴線幅
• 28p-G-7 Ge中の衝突イオン化に対する遠赤外光効果
• 28p-G-6 強磁場下光励起Ge中での電荷担体の拡散
• 26a-G-4 光励起-半絶縁性GaAsの遠赤外吸収と超音波吸収
• 29a-B-7 半絶縁性GaAs中のEL2中心から励起された電子のサイクロトロン共鳴とマイクロ波光伝導
• 28p-A-17 Ge中の巨大電子-正孔液滴のマイクロ波吸収 II : サイズ共鳴現象と不純物散乱
• 28p-A-16 光励起ZnSeにおける正孔のサイクロトロン共鳴
• 28p-A-15 光励起Geにおける励起子と自由担体のダイナミックスII
• 28p-A-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱
• 27a-B-2 Geのフォトルミネッセンスの空間分解 II : 電子-正孔液滴のドリフト過程の不純物効果
• 14a-E-13 GaAsにおける電子の中性不純物散乱
• 29p-N-7 光励起Geの超音波吸収
• 29p-N-5 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収 III
• 31p-N-3 炭素フラーレン系分子の赤外吸収 II
• Optically Detected Far-Infrared Magnetoabsorption in InGaAs
• ZnSeの双晶界面における2次元電子系
• 26a-ZD-9 炭素フラーレン系分子(C_, C_)の質量分析と赤外吸収
• 11p-E-12 n-InPの遠赤外磁気光吸収
• 2p-R-4 n型InSbにおけるサイクロトロン発光
• 2p-R-2 光励起遠赤外レーザーによるn-InSbの磁気光効果
• 22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
• Pressure Dependence of the SDW Properties in the Organic Conductor (TMTSF)_2PF_6 : II. LOW TEMPERATURE PROPERTIES OF SOLIDS : Spin Density Waves
• Impurity Effects on Strain-Confined Electron-Hole Liquid in Germanium II. : Millimeter-Wave Studies on Transport Phenomena
• Impurity Effects on Strain-Confined Electron-Hole Liquid in Germanium I. : Photoluminescence Studies on Rrcombination Dynamics
• Suppression of Electron-Hole Droplet Transport by Deep Impurities in Germanium
• 13a-DE-13 GaAs/AlAs超格子中の励起子発光 II
• 1a-N-6 GaAs/AlAs超格子中の励起子発光
• 30p-M-6 Si中の金属不純物による散乱効果
• 30p-M-5 直接接着シリコンにおける界面の効果
• 27a-ZG-3 直接接着したシリコンにおけるサイクロトロン共鳴 II
• 26a-ZH-12 CdTe-ZnTe系超格子半導体のフォトルミネッセンス II
• Dynamics and Kinetics of Carrier System in Photoexcited Ge and Si Observed by Optically Detected Cyclotron Resonance
• 30p-W-8 直接接着したシリコンにおけるサイクロトロン共鳴
• 30p-W-7 ZnSe中のドナーによる遠赤外磁気光吸収
• 30p-W-6 ZnSeにおける光検知サイクロトロン共鳴
• 28p-W-1 CdTe-ZnTe系超格子半導体のフォトルミネッセンス
• 28p-D-11 lnSbの光伝導率に対する電場-磁場効果
• 28p-D-9 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果2
• 28p-D-1 電子線照射をしたシリコンにおけるサイクロトロン共鳴とフォトルミネッセンス
• 29p-K-4 Siへの水素注入の効果II
• 27p-M-5 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果
• 27p-M-4 CdTeの固有形光キャリアーの寿命
• Potential Modulation of Semiconductor Dot Array System due to Photoexcitation
• 28a-YM-6 Si中の金属不純物による散乱効果 III
• 3p-J-1 Si中の金属不純物による散乱効果II
• 28p-G-8 Si中のMn不純物による電子の散乱
• 13a-W-13 電子,励起子,液滴の拡散
• 4p-KL-7 H_2Oレーザーによるn-Geの磁気光吸収
• 5p-KD-12 電子-正孔液滴に対する一軸性ストレス効果
• 28p-G-13 ZnSe薄膜の遠赤外磁気光吸収
• 1a-F-4 Geのフォトルミネッセンスの空間分解
• 2a-A-4 Ge中の巨大電子-正孔液滴のルミネッセンス
• 4p-N-12 CO_2レーザー光励起によるサイクロトロン共鳴
• 28p-G-10 高い補償比をもつGeにおける不均一な内部電場効果
• Resonant-Photoelectromagnetic Effects in Far-Infrared Regions for Compound Semiconductors
• Internal Stark Effect by Inhomogeneous Electric Fields in Highly Compensated p-InSb
• 28p-K-2 Cyclotron Resonance in an InAs-AlSb quantum well in tilted magnetic fields
• 27p-M-1 衝突解離過程における交換相互作用
• 2a-B-2 光励起InSbの不純物サイクロトロン共鳴
• 1a-B-12 GaAsのホットエレクトロン効果
• 1a-K-10 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収 II
• 3a-B-3 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収
• 2a GE-11 臨界温度付近の大液滴
• 5p-LT-6 光励起シリコンの磁気光吸収
• 1p-BJ-5 大液滴による磁気プラズマ吸収 (II)
• 1p-BJ-4 液滴中の濃度に対する磁場及び不純物効果
• 11p-R-3 高励起,不均一ストレス下でのサイクロトロン共鳴とアルヘン波
• 4p-U-13 不純物を含むゲルマニウムの電子の寿命
• 28a-G-11 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴 II
• Transport Properties of LaAg_In_x,CeAg_In_x and RAg (R=Pr,Nd,Gd and Y)
• Linewidth Study of Electric Dipole induced Spin Resonance in Uniaxially Stressed n-InSb for Far-Infrared Region: Theoretical : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
• Linewidth Study of Electric Dipole Induced Spin Resonance in Uniaxially Stressed n-InSb in Far Infrared Regions: Experimental : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
• Effect of Impact Ionization on Photoluminescence in Single- and Polycrystalline InP
• 4a-E-14 光検知サイクロトロン共鳴における高調波共鳴の増強
• 30a-Y-10 Siにおける光検知サイクロトロン共鳴
• サイクロトロン共鳴の光学的検出法
• 5p-C-2 Geにおける光検知サイクロトロン共鳴II
• Optically Detected Cyclotron Resonance of Exciton and Electron-Hole Droplet Systems in Pure Germanium
• Pressure-Induced Antiferromagnetism of Fe_2P
• 2a-A-7 高純度ZnSeのサイクロトロン共鳴(II) : 温度依存性
• 1a-KC-13 高純度ZnSeのサイクロトロン共鳴
• Instability of Cl-Related Deep Defects in ZnSe
• Far-Infrared Resonant Faraday Effect in Semiconductors(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
• Studies of Excited States for Shallow Donors in Magnetic Field on Bulk n-InP (Condensed Matter: Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
• Optically Detected Cyclotron Resonance in CdTe
• Broadening of Exciton Luminescence Line in Modified CdTe/ZnTe Multi-Quantum Wells
• 27a-M-16 多結晶InPのフォトルミネッセンスとサイクロトロン共鳴
• 4a-E-11 多結晶InPの磁場中におけるフォトルミネッセンスとサイクロトロン共鳴
• 31a-Y-4 多結晶InPの遠赤外磁気光吸収 II
• 5p-C-1 多結晶InPの遠赤外磁気光吸収
• 24a-T-8 Siへの水素注入の効果
• 31a-Y-3 多孔質Si:Hの赤外吸収とフォトルミネッセンス
• 14a-K-13 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴
• 7a-B-13 電子-励起子相互作用とサイクロトロン共鳴
• Structured Photoluminescence Spectrum in Laterally Anodized Porous Silicon
• Direct Evidence for a Charge-Controlled Optical Quernching of EL2 Centers in Semi-Insulating GaAs
• Line-Width of Quantum Limit Cyclotron Resonance.II.Impurity and Carrier-Carrier Scatterings in Ge,InSb and GaAs
• Line-Width of Quantum Limit Cyclotron Resonance.I.Phonon Scatterings in Ge,Si,CdS and InSb
• Electron Scattering in GaAs at the Quantum Limit
• Cyclotron Resonance of Photoexcited Holes in High Quality ZnSe
• 4a-E-12 CdTeの遠赤外磁気光吸収 II
• 31a-Y-5 CdTeの遠赤外磁気光吸収
• 5p-C-3 CdSの量子極限サイクロトロン共鳴 : ピエゾ・エレクトリック散乱
• 5a-S4-9 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果
• 5a-S4-8 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅II : 磁場依存性
• 5a-S4-7 CdSのサイクロトロン共鳴 : 圧電フォノン散乱
• 4a-WB-16 GaAsにおけるサイクロトロン共鳴吸収と電子散乱 : 温度依存性
• 30a-Y-9 シリコン中の酸素複合体による電子散乱
• 5p-C-16 酸素を含むシリコンの電子輸送現象
• 6a-B-6 Ge中の励起子,液滴の時間変化
• 30p-M-7 GaAs上に成長させたZnSe中のドナーにおける遠赤外吸収 II
• 27a-ZG-13 GaAs上に成長させたZnSe中のドナーによる遠赤外吸収
• 3a-M-13 電子-正孔液滴中の磁気プラズマ共鳴
• 3a-M-12 高純度シリコンにおける電子-励起子相互作用
• 6a-B-5 n型およびp型ゲルマニウムにおける電子・正孔の長い寿命
• 4p-U-12 高励起下Geのサイクロトロン共鳴
• 3a-M-11 励起子の"衣"をきた電子・正孔のサイクロトロン共鳴?
• 3a-H-3 サイクロトロン共鳴における励起子効果
• Far-Infrared Magneto-Optical Study of Photoexcited Indium Antimonide. : II. Spin Dependent Properties
• Weak Localization and Correlation Effects in Indium-Tin-Oxide Films.II.Two-to-Three Dimensional Transition and Competition between Localization and Superconductivity
• Electron Distribution around a Large Electron-Hole Drop in Germanium
• 28p-K-10 GaAs/AlAs超格子中の励起子発光 III
• 6p-A2-6 GaInAs-AlInAsヘテロ接合における二次元電子系の輸送現象
• 4p-C-2 遠赤外光で探る半導体物性
• 22a-G-8 エクシトニック・ポーラロン
• 30a-LD-11 ZnSeのサイクロトロン共鳴における温度依存性(半導体)
• 30p-LD-7 深い不純物をドープしたGe中の電子-正孔液滴の再結合ダイナミクス(半導体)
• 30p-LD-5 n型およびp型GaAsにおける電子散乱(半導体)
• 30p-LD-6 光励起Geにおける励起子と自由担体のダイナミクス III(半導体)
• 30a-LD-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱 II(半導体)
• 30a-LD-10 光及び電場励起InxGa_Asの遠赤外磁気光吸収(半導体)
• 1a-L2-8 光励起Ge中の自由担体の拡散(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
• 1a-L2-3 GaAsの量子極限サイクロトロン共鳴の線幅(半導体,(輸送現象))
• 1a-L2-4 In_xGa_Asにおけるサイクロトロン共鳴と混晶散乱(半導体,(輸送現象))
• 30p-FB-5 高純度GaAsのサイクロトロン共鳴におけるスピン分離(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 30p-FB-3 InP,InAs,GaAsの遠赤外磁気光吸収における振動現象(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 30a-FC-7 ZnSeの2次元電子系における円偏波サイクロトロン共鳴(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31a-H-6 半導体の量子極限サイクロトロン共鳴の線幅 : 音響変形ポテンシャル散乱(31aH 半導体(輸送現象))

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