岩見 基弘 | 岡山大理

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概要

• 同名の論文著者
• 岡山大理の論文著者

関連著者

• 岩見 基弘

  岡山大理

• 平井 正明

  岡山大学自然科学研究科

• 日下 征彦

  岡山大学自然科学研究科

• 岩見 基弘

  岡大物理

• 平井 正明

  岡山大理

• 日下 征彦

  岡山大理

• 山内 庄一

  日本電装基礎研究所

• 中村 初夫

  大阪電通大

• 中村 初夫

  大阪電通大工

• 日下 征彦

  岡山大学理学部界面科学研究室

• 岩見 基弘

  岡山大学理学部界面科学研究室

• 岩見 基弘

  岡山大学理学部

• 平井 正明

  岡山大学理学部界面科学研究室

• 渡部 宏邦

  松下電器産業(株)

• 山内 庄一

  岡山大理

• 窪田 政一

  東大物性研

• 村田 好正

  東大物性研

• 栃原 浩

  東大物性研

• 木下 明将

  産総研

• 日下 征彦

  岡山大学理学部

• 平井 正明

  岡山大学理学部

• 岩見 基弘

  岡山大学 理

• 川本 聡

  岡山大学理学部

• 横田 康広

  岡山理科大学・自然研

• 横田 康広

  岡山理科大

• 渡辺 宏邦

  松下電器

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 横田 康広

  岡山理大理

• 横田 康広

  岡山理大・理

• 森居 隆史

  岡山大学自然科学研究科

• 岩見 基弘

  岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設

• 中村 初夫

  大阪電気通信大学・工学部

• 平井 正明

  岡山大学 理

• 日下 征彦

  岡山大学 理

• 栃原 浩

  北大触媒研

• 大山 忠司

  阪大教養

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 山本 夕可

  阪大理

• 大島 武

  原研

• 山本 夕可

  阪大教養

• 大塚 穎三

  阪大教養

• 大山 忠司

  Osaka Univ. Osaka

• 田中 礼三郎

  岡大物理

• Ohyama Teruo

  Department Of Physics Gakushuin Univ

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 伊藤 久義

  原研高崎研

• 服部 望

  岡山大学自然科学研究科

• 岩見 基弘

  岡山大学自然科学研究科

• 岩見 基弘

  岡山大自然

• 木下 明将

  岡山大学理学部

• 岩見 基弘

  岡山大・理

• 藤井 達也

  岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設

• 平井 正明

  岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設

• 日下 征彦

  岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設

• 直本 保

  岡山大学 理

• 木下 明将

  岡山大学 理

• 斉藤 浩樹

  岡山大学理学部

• 服部 正

  日本電装(株)基礎研究所

• 渡部 宏邦

  (株)松下電器産業

• 岩見 基弘

  岡山大学教授;理学部附属界面科学研究施設

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 大井 暁彦

  産総研

• 寺田 敏行

  阪大工

• 小山 正

  東大物性研

• 大島 武

  原研高崎

• 大嶋 武

  原研高崎

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 松波 弘之

  京大工

• 小坂 圭二

  岡山大・自然科学

• 大島 久純

  日本電装基礎研究所

• 中野 逸夫

  岡大物理

• 芝原 健太郎

  京大工

• 渡部 宏邦

  松下電器産業 (株)

• 岩見 基弘

  岡山大学・理学部

• 中村 初夫

  大阪電気通信大学

• 中野 逸夫

  岡山大自然科学

• 越川 孝範

  大阪電通大

• 平井 正明

  岡山大自然

• 安 振連

  岡山大学自然科学研究科

• 森居 隆史

  松下技研

• 角南 英伸

  岡山大自然

• 日下 征彦

  岡山大自然

• 小坂 圭二

  岡山大・VBL

• 日下 征彦

  岡山大・理

• 平井 正明

  岡山大・理

• 塚本 健之

  岡山大学 理

• 斎藤 多恵子

  岡山大学 理

• 中田 俊武

  (株)イオン工学研究所

• 木下 明将

  岡山大理

• 王 金良

  岡山大理

• 笠谷 恵

  岡山大理

• 山内 庄一

  日本電装

• 山内 庄一

  日本電装(株)基礎研究所

• 笠谷 めぐみ

  岡山大理

• 大島 久純

  日本電装(株)基礎研究所

• 川本 聡

  岡山大学 理

• 小橋 寿夫

  岡山大理

• 構田 康広

  岡山理大分析センター

• 川本 聡

  岡山大学・理

• 斉藤 浩樹

  岡山大学・理

• 山内 庄一

  岡山大 理

• 平井 正明

  岡山大 理

• 日下 征彦

  岡山大 理

• 岩見 基弘

  岡山大 理

• 小林 司

  日電アネルバ

• 秋山 直人

  電通大

• 秋山 昭次

  (株)クラレ

• 岩見 基弘

  阪大工

• 城戸 義明

  立命館大理工

• 海野 義信

  高エ研

• 寺田 進

  高エ研

• 小山 正

  物性研

• 池上 陽一

  高エ研

• 中野 逸夫

  岡山大学

• 神谷 富裕

  日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所

• 松波 弘之

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 城戸 義明

  立命館大学理工学部物理科学科

• 星野 靖

  立命館大理工:神奈川大理

• 橘堂 恭昌

  立命館大理工

• 服部 正

  日本電装基礎研究所

• 松波 弘之

  京都大学工学部

• 城戸 義明

  立命館大 理工

• 横山 拓郎

  岡大物理

• 福島

  高工研

• 海野 義信

  高工研

• 寺田 進

  高工研

• 池上 陽一

  高工研

• 乗松 健治

  岡山大自然

• 田中 礼三郎

  岡山大自然

• 大井 暁彦

  岡山大自然

• 中野 逸夫

  岡山大学大学院 自然科学研究科

• 田中 礼三郎

  岡山大学大学院 自然科学研究科

• 小林 健一

  岡山大学

• 大井 暁彦

  日本原子力研究所

• 福島 靖孝

  高エ研

• 芝原 健太郎

  京都大学工学部電気工学第二教室

• 橋尾 克司

  岡山大理

• 川本 聡

  岡山大理

• 神谷 富裕

  日本原子力研究所

• 服部 正

  日本電装株式会社 基礎研究所

• 服部 正

  日本電装 基礎研

• 中村 初夫

  阪電通大工

• 河合 政夫

  (株) 島津製作所

• 副島 啓義

  (株) 島津製作所

• 芝原 健太郎

  京都大学工学部

• 服部 正

  日本電装(株)

• 中野 逸夫

  岡山大自然

• 城戸 義明

  立命館大学理工学部

• 星野 靖

  立命館大理工

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著作論文

• Cu/3C-SiC接合系の界面評価
• 走査トンネル顕微鏡を用いた4H-SiC(0001)再構成表面の評価
• 22pYH-12 Extended X-ray Emissionの位相因子の解析
• 25aWB-13 STMによる4H-SiC(0001)√×√構造の観察及び評価
• 28p-S-10 モンテカルロシミュレーションを利用したシリサイド2層膜系の定量分析
• 29p-ZC-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論 : 固体物理への応用
• 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
• 29a-PS-17 角度分解光電子分光法による6H-SiC(0001)Si
• 遷移金属(薄膜)/Si(基板)系の構造及び電子状態
• シリサイド/Si接合系からの電子線励起Si-L_線 : シミュレーションと実験
• 軟X線放出分光法によるMnシリサイドの価電子帯構造に関する研究
• Si(100)2×1表面上のPd初期吸着過程
• 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
• 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
• 28a-Z-9 遷移金属/Si系の界面形成初期過程の研究
• Si基板上へのSiC-Buffer層の成長 : 気相成長I
• 27p-ZS-7 シンクロトロン放射光を用いた室温におけるSi(100)2x1表面上のPd初期吸着過程の研究
• 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
• 30a-L-3 GTC-CVD法によるエピタキシャルAl/Si(111)界面の断面TEM観察
• 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
• 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
• 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
• 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
• 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18aTA-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論における運動エネルギー汎関数
• 金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析
• 30p-W-10 NiSi_2/Siにおける界面効果
• 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
• 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
• 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
• 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
• 28p-D-9 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果2
• 27p-M-5 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果
• 3a-E-7 電子分光法(AES,EELFS)による炭素上のNi微粒子の研究
• 25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル
• 光子・電子分光法による界面電子状態評価
• 2p-P-11 NiSi_2の価電子帯構造 : フェルミ端でのSi(3s)電子状態
• 軟X線分光法とシリコン化合物・薄膜系
• 軟X線分光法による表面層非破壊分析
• 高速イオン散乱法 (RBS)
• 30p-H-15 Ag-Si(111)_2×1の光電子分光(表面・界面)
• 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)
• 29a-TJ-8 金属-半導体界面形成初期過程 : Tm-Si(111)2x1(29aTJ 表面・界面)

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