岩見 基弘 | 岡山大理
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概要
関連著者
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岩見 基弘
岡山大理
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平井 正明
岡山大学自然科学研究科
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日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡大物理
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平井 正明
岡山大理
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日下 征彦
岡山大理
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山内 庄一
日本電装基礎研究所
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中村 初夫
大阪電通大
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中村 初夫
大阪電通大工
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日下 征彦
岡山大学理学部界面科学研究室
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岩見 基弘
岡山大学理学部界面科学研究室
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岩見 基弘
岡山大学理学部
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平井 正明
岡山大学理学部界面科学研究室
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渡部 宏邦
松下電器産業(株)
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山内 庄一
岡山大理
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窪田 政一
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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栃原 浩
東大物性研
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木下 明将
産総研
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日下 征彦
岡山大学理学部
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平井 正明
岡山大学理学部
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岩見 基弘
岡山大学 理
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川本 聡
岡山大学理学部
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横田 康広
岡山理科大学・自然研
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横田 康広
岡山理科大
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渡辺 宏邦
松下電器
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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横田 康広
岡山理大理
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横田 康広
岡山理大・理
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森居 隆史
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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中村 初夫
大阪電気通信大学・工学部
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平井 正明
岡山大学 理
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日下 征彦
岡山大学 理
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栃原 浩
北大触媒研
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大山 忠司
阪大教養
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大島 武
原子力研究開発機構
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山本 夕可
阪大理
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大島 武
原研
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山本 夕可
阪大教養
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大塚 穎三
阪大教養
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大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
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田中 礼三郎
岡大物理
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Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
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大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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伊藤 久義
原研高崎研
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服部 望
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大自然
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木下 明将
岡山大学理学部
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岩見 基弘
岡山大・理
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藤井 達也
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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平井 正明
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
-
日下 征彦
岡山大学・理学部・附属界面科学研究施設
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直本 保
岡山大学 理
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木下 明将
岡山大学 理
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斉藤 浩樹
岡山大学理学部
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服部 正
日本電装(株)基礎研究所
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渡部 宏邦
(株)松下電器産業
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岩見 基弘
岡山大学教授;理学部附属界面科学研究施設
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伊藤 久義
原子力機構
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大井 暁彦
産総研
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寺田 敏行
阪大工
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小山 正
東大物性研
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大島 武
原研高崎
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大嶋 武
原研高崎
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
原研
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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松波 弘之
京大工
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小坂 圭二
岡山大・自然科学
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大島 久純
日本電装基礎研究所
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中野 逸夫
岡大物理
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芝原 健太郎
京大工
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渡部 宏邦
松下電器産業 (株)
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岩見 基弘
岡山大学・理学部
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中村 初夫
大阪電気通信大学
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中野 逸夫
岡山大自然科学
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越川 孝範
大阪電通大
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平井 正明
岡山大自然
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安 振連
岡山大学自然科学研究科
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森居 隆史
松下技研
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角南 英伸
岡山大自然
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日下 征彦
岡山大自然
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小坂 圭二
岡山大・VBL
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日下 征彦
岡山大・理
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平井 正明
岡山大・理
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塚本 健之
岡山大学 理
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斎藤 多恵子
岡山大学 理
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中田 俊武
(株)イオン工学研究所
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木下 明将
岡山大理
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王 金良
岡山大理
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笠谷 恵
岡山大理
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山内 庄一
日本電装
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山内 庄一
日本電装(株)基礎研究所
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笠谷 めぐみ
岡山大理
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大島 久純
日本電装(株)基礎研究所
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川本 聡
岡山大学 理
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小橋 寿夫
岡山大理
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構田 康広
岡山理大分析センター
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川本 聡
岡山大学・理
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斉藤 浩樹
岡山大学・理
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山内 庄一
岡山大 理
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平井 正明
岡山大 理
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日下 征彦
岡山大 理
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岩見 基弘
岡山大 理
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小林 司
日電アネルバ
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秋山 直人
電通大
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秋山 昭次
(株)クラレ
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岩見 基弘
阪大工
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城戸 義明
立命館大理工
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海野 義信
高エ研
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寺田 進
高エ研
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小山 正
物性研
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池上 陽一
高エ研
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中野 逸夫
岡山大学
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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城戸 義明
立命館大学理工学部物理科学科
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星野 靖
立命館大理工:神奈川大理
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橘堂 恭昌
立命館大理工
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服部 正
日本電装基礎研究所
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松波 弘之
京都大学工学部
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城戸 義明
立命館大 理工
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横山 拓郎
岡大物理
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福島
高工研
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海野 義信
高工研
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寺田 進
高工研
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池上 陽一
高工研
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乗松 健治
岡山大自然
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田中 礼三郎
岡山大自然
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大井 暁彦
岡山大自然
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中野 逸夫
岡山大学大学院 自然科学研究科
-
田中 礼三郎
岡山大学大学院 自然科学研究科
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小林 健一
岡山大学
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大井 暁彦
日本原子力研究所
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福島 靖孝
高エ研
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芝原 健太郎
京都大学工学部電気工学第二教室
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橋尾 克司
岡山大理
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川本 聡
岡山大理
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神谷 富裕
日本原子力研究所
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服部 正
日本電装株式会社 基礎研究所
-
服部 正
日本電装 基礎研
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中村 初夫
阪電通大工
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河合 政夫
(株) 島津製作所
-
副島 啓義
(株) 島津製作所
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芝原 健太郎
京都大学工学部
-
服部 正
日本電装(株)
-
中野 逸夫
岡山大自然
-
城戸 義明
立命館大学理工学部
-
星野 靖
立命館大理工
著作論文
- Cu/3C-SiC接合系の界面評価
- 走査トンネル顕微鏡を用いた4H-SiC(0001)再構成表面の評価
- 22pYH-12 Extended X-ray Emissionの位相因子の解析
- 25aWB-13 STMによる4H-SiC(0001)√×√構造の観察及び評価
- 28p-S-10 モンテカルロシミュレーションを利用したシリサイド2層膜系の定量分析
- 29p-ZC-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論 : 固体物理への応用
- 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
- 29a-PS-17 角度分解光電子分光法による6H-SiC(0001)Si
- 遷移金属(薄膜)/Si(基板)系の構造及び電子状態
- シリサイド/Si接合系からの電子線励起Si-L_線 : シミュレーションと実験
- 軟X線放出分光法によるMnシリサイドの価電子帯構造に関する研究
- Si(100)2×1表面上のPd初期吸着過程
- 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
- 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
- 28a-Z-9 遷移金属/Si系の界面形成初期過程の研究
- Si基板上へのSiC-Buffer層の成長 : 気相成長I
- 27p-ZS-7 シンクロトロン放射光を用いた室温におけるSi(100)2x1表面上のPd初期吸着過程の研究
- 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
- 30a-L-3 GTC-CVD法によるエピタキシャルAl/Si(111)界面の断面TEM観察
- 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
- 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
- 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
- 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
- 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 18aTA-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論における運動エネルギー汎関数
- 金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析
- 30p-W-10 NiSi_2/Siにおける界面効果
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
- 28p-D-9 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果2
- 27p-M-5 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果
- 3a-E-7 電子分光法(AES,EELFS)による炭素上のNi微粒子の研究
- 25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル
- 光子・電子分光法による界面電子状態評価
- 2p-P-11 NiSi_2の価電子帯構造 : フェルミ端でのSi(3s)電子状態
- 軟X線分光法とシリコン化合物・薄膜系
- 軟X線分光法による表面層非破壊分析
- 高速イオン散乱法 (RBS)
- 30p-H-15 Ag-Si(111)_2×1の光電子分光(表面・界面)
- 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)
- 29a-TJ-8 金属-半導体界面形成初期過程 : Tm-Si(111)2x1(29aTJ 表面・界面)