29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1987-09-16
著者
-
平井 正明
岡山大学自然科学研究科
-
日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
-
平井 正明
岡山大理
-
日下 征彦
岡山大理
-
岩見 基弘
岡山大理
-
中村 初夫
大阪電通大
-
松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
松波 弘之
京大工
-
芝原 健太郎
京大工
-
中村 初夫
大阪電通大工
関連論文
- 23pHL-2 VO_2薄膜金属相の角度分解光電子分光(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
- 26aXA-4 VO_2薄膜の角度分解光電子分光測定(光電子分光(表面・薄膜・低次元物質I),領域5,光物性)
- Cu/3C-SiC接合系の界面評価
- 走査トンネル顕微鏡を用いた4H-SiC(0001)再構成表面の評価
- 22pYH-12 Extended X-ray Emissionの位相因子の解析
- 25aWB-13 STMによる4H-SiC(0001)√×√構造の観察及び評価
- 28p-S-10 モンテカルロシミュレーションを利用したシリサイド2層膜系の定量分析
- 29p-ZC-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論 : 固体物理への応用
- 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
- 29a-PS-17 角度分解光電子分光法による6H-SiC(0001)Si
- 遷移金属(薄膜)/Si(基板)系の構造及び電子状態
- シリサイド/Si接合系からの電子線励起Si-L_線 : シミュレーションと実験
- 軟X線放出分光法によるMnシリサイドの価電子帯構造に関する研究
- Si(100)2×1表面上のPd初期吸着過程
- 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
- 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
- 28a-Z-9 遷移金属/Si系の界面形成初期過程の研究
- Si基板上へのSiC-Buffer層の成長 : 気相成長I
- 27p-ZS-7 シンクロトロン放射光を用いた室温におけるSi(100)2x1表面上のPd初期吸着過程の研究
- 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
- 30a-L-3 GTC-CVD法によるエピタキシャルAl/Si(111)界面の断面TEM観察
- 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
- 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
- 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
- 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
- 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
- 27a-L-4 Ca, Sc金属のL_放射および吸収スペクトル
- 1p-U-9 遷移金属塩化物のClL_放射スペクトル
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価
- 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- MOS界面の異方性を活用した高耐圧SiCトランジスタ (特集 異方性工学のすすめ(3)プロセスと異方性)
- 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
- 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
- SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
- Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
- 光-CVD膜の電子材料への応用 (光による薄膜電子材料の製造と光エネルギ-の変換材料)
- 18aTA-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論における運動エネルギー汎関数
- 金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析
- 30p-W-10 NiSi_2/Siにおける界面効果
- 第6回強誘電体国際会議
- 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
- PLZT薄膜のエピタキシャル成長 : エピタキシー(VPE)
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性
- 電子ビーム蒸着法によるPZT薄膜の作成 : 気相成長
- SiCステップ制御エピタキシーとデバイス応用(学会統合記念)
- プログラム編成を担当して(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 結晶成長と工学 : 二ーズとの接点
- 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
- Si基板上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
- エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用
- ガスソース分子線を用いたシリコンカーバイド単結晶成長の原子層制御
- p-CdSbの不純物伝導領域における電流磁気効果 : 半導体 (下純物)
- 化合物半導体CdSbのデンドライト : 結晶成長
- 14a-K-8 CdSbの負の磁気抵抗
- 5a-G-3 p-CdSbの低温における電気的性質の異方性
- 6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
- 28p-D-9 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果2
- 27p-M-5 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果
- 2a-M-2 蛍光励起による Li およびその化合物の LiK 放射スペクトル (I)
- SiCおよび関連材料国際会議報告
- SiC および関連ワイドギヤップ半導体研究会
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー(VPE)
- 6H-SiCの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- SiCの熱酸化 : 欠陥
- CdS単結晶の表面状態 : 半導体 (表面)
- 3a-E-7 電子分光法(AES,EELFS)による炭素上のNi微粒子の研究
- 25p-W-10 Niシリサイドの価電子帯軟X線放射スペクトル
- 26a-YK-4 グラファイト様層状B/C/Nの軟X線発光スペクトル
- 光子・電子分光法による界面電子状態評価
- サマリー・アブストラクト
- 2p-G-1 光源走査型回折格子分光装置
- 軟X線分光法の薄膜・界面非破壊分析への新しい応用
- 2p-P-11 NiSi_2の価電子帯構造 : フェルミ端でのSi(3s)電子状態
- 軟X線分光法とシリコン化合物・薄膜系
- 軟X線分光法による表面層非破壊分析
- 高速イオン散乱法 (RBS)
- 26pEC-3 CeT_2Al_(T=Fe,Os)の光電子分光(26pEC Cel-2-10系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27a-ZS-6 中速イオン散乱法によるCu/Si(111)の「かくれた」界面構造の観察
- GaAsおよびInP MOS ダイオ-ドの容量特性と半導体の圧電性
- 2a-N-1 CdS単結晶表面の性質
- AlSb単結晶の電気的性質 : 半導体 (化合物, その他)
- 30p-H-15 Ag-Si(111)_2×1の光電子分光(表面・界面)
- 2p-K3-4 高速イオン散乱法によるSiC-Si表面層・界面構造(表面・界面)
- 29a-TJ-8 金属-半導体界面形成初期過程 : Tm-Si(111)2x1(29aTJ 表面・界面)