27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-03-12
著者
-
平井 正明
岡山大学自然科学研究科
-
横田 康広
岡山理大理
-
横田 康広
岡山理大・理
-
日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
-
岩見 基弘
岡山大理
-
中村 初夫
大阪電通大
-
渡部 宏邦
松下電器産業(株)
-
山内 庄一
岡山大 理
-
平井 正明
岡山大 理
-
日下 征彦
岡山大 理
-
岩見 基弘
岡山大 理
-
渡部 宏邦
(株)松下電器産業
-
横田 康広
岡山理科大学・自然研
-
横田 康広
岡山理科大
-
山内 庄一
日本電装基礎研究所
-
中村 初夫
大阪電通大工
-
渡辺 宏邦
松下電器
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