6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
-
財部 健一
岡山理大理
-
日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
-
日下 征彦
岡山大理
-
松田 耕一郎
堀場製作所
-
箕村 茂
岡山理科大・理
-
松本 俊
山梨大工
-
財部 健一
岡理大理
-
箕村 茂
岡山理大理
-
平塚 悌一
岡山理大理
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