箕村 茂 | 岡山理科大・理
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
箕村 茂
岡山理科大・理
-
財部 健一
岡理大理
-
箕村 茂
大市大工
-
財部 健一
岡山理大理
-
箕村 茂
岡山理大理
-
加藤 弘
関西学院大・理
-
渡辺 泰堂
関学大理
-
渡辺 泰堂
関学大・理
-
加藤 弘
関学大理
-
松田 耕一郎
堀場製作所
-
箕村 茂
岡山理大・理
-
人見 聡
岡理大理
-
森 嘉久
岡山理大理
-
箕村 茂
岡山理科大学基礎理学科
-
財部 健一
岡山理大・理
-
箕村 茂
岡山理科大
-
中川 格
電総研デバイス機能研
-
中山 正昭
大市大工
-
財部 健一
岡山理科大学
-
人見 聡
岡山理大理
-
白瀬 直樹
岡山理大・理
-
吉村 孝憲
岡山理大理
-
匠 正治
福大理
-
財部 健一
岡山理科大
-
丹羽 英二
電磁研
-
増本 剛
電磁研
-
太田 公廣
電総研デバイス機能研
-
芦沢 宏明
岡山理大理
-
財部 健一
岡山理大
-
箕村 茂
岡山理大
-
加藤 弘
関学大・理
-
匠 正治
岡山理大理
-
岩本 真一
岡山理科大・理
-
森 嘉久
岡理大理
-
森 嘉久
岡山理科大学理学部 基礎理学科
-
藤田 和久
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
-
森 嘉久
岡理大・理
-
平野 洋子
岡山理大・理
-
亀山 忠幸
関学大理
-
川井 清孝
岡山理大理
-
大西 一
村田製作所
-
渡辺 敏英
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
-
増本 剛
石巻専修大学・理工学部
-
渡部 泰堂
関学大・理
-
辰巳 徹
マイクロエレクトロニクス研
-
財部 健一
岡理大・理
-
人見 聡
岡山理大・理
-
酒井 純朗
日電アネルバ(株)
-
藤沢 昌弘
岡山理科大・理
-
岩本 真一
岡理大・理
-
箕村 茂
岡理大・理
-
箕村 茂
岡理大理
-
森 嘉久
岡山理科大学理学部
-
酒井 純朗
日電アネルバ (株)
-
日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
-
日下 征彦
岡山大理
-
新井 敏弘
筑波大物工
-
赤浜 裕一
姫工大理
-
川村 春樹
姫工大理
-
辰巳 徹
日本電気(株)
-
松本 俊
山梨大工
-
山本 信行
大阪府立大学工学部
-
山本 信行
大阪府大院工
-
入江 泰三
東理大工
-
藤田 和久
ATR環境適応通信研究所
-
粟井 昌一
関学大理
-
新井 敏弘
石巻専修大学理工学部電子材料工学科
-
若村 国夫
岡山理大
-
大西 一
ATR環境適応通信研究所
-
渡辺 敏英
ATR環境適応通信研究所
-
大西 一
ATR光電波通信研究所
-
藤田 和久
ATR光電波通信研究所
-
渡辺 敏英
ATR光電波通信研究所
-
大田 公廣
電総研デバイス機能研
-
匠 正治
岡山理科大理
-
芦沢 宏明
岡山理科大理
-
太田 公広
電総研デバイス機能研
-
塩津 厚晋
岡山理科大
-
芦澤 宏明
岡山理科大
-
山本 信行
大阪府大工
-
入江 泰三
東京理科大学基礎工学部
-
赤尾 文雄
岡山理科大
-
若村 国夫
岡山理大理
-
中川 紀美雄
岡山理科大学電子工学科
-
渡辺 敏英
Atr光電波通信研
-
白瀬 直樹
岡山理大理
-
松田 耕一朗
堀場製作所
-
平塚 悌一
岡山理大理
-
栗田 満史
岡山理科大学大学院理学研究科
-
Yosimura T.
岡山理大理
-
岸本 浩明
岡山理大理
-
財部 健一
岡山理科大学理学部
-
人見 稔
岡山理大
-
中川 紀美雄
岡山理科大学工学部電子工学科
-
水嶋 敏正
岡山理科大・理
-
赤尾 文雄
岡山理大工
-
赤尾 文雄
岡山理科大学電子理学科
-
栗田 満史
岡山理科大学工学部電子工学科
-
箕村 茂
岡山理科大学理学部
-
財部 健一
岡山理科大学 理学部 基礎理学科
-
匠 正治
福岡大学 理学部 応用物理学科
著作論文
- Al_xGa_As:Seの深い不純物準位 : 高圧下のICTS
- 27p-N-2 AlGaAs:Se中のDXセンターの多重電子放出
- 12a-DE-6 三重障壁共鳴トンネルダイオードに及ぼす圧力効果とピーク・バレー比
- 30p-N-8 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果 II
- 26a-ZG-9 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に及ぼす温度・圧力効果
- 28p-C-4 三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流 : 電圧特性に及ぼす圧力効果II
- 24p-M-19 三重障壁共鳴トンネリング・ダイオードの電流-電圧特性に及ぼす圧力効果
- 28p-C-2 (GaAs)n/(AlAs)n TypeI超格子におけるフォトルミネッセンスの圧力効果
- 26a-G-9 CuInXz(X=S,Se,Te)のVUV反射スペクトルと電子構造
- 28p-S-6 高圧下におけるカルコパイライト半導体の内部座標
- 28p-S-5 カルコパイライト半導体AgGaX_2(X=Te, S)の高圧相
- AgGaX_2(X=S, Se, Te)の正方晶歪みと内部歪みの圧力効果
- 30p-YN-11 Te-DXセンターの電子放出に及ぼす圧力効果
- 3a-J-10 DXセンターの多重性と格子緩和II : 圧力下におけるICTSスペクトル実験
- 30p-L-11 DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル実験 : DXセンターの多重性と格子緩和
- 12a-DF-7 Si-DX, Te-DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル : DXセンターの多重性と格子緩和
- 30a-M-1 DXセンターの多重性と格子緩和 : 圧力下のICTSスペクトル実験
- 28a-D-10 ICTS法を用いたAl_xGa_As:Te中のDXセンターの圧力効果
- 24a-M-4 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 5a-D-1 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
- 超イオン導電体α-AgI型の相転移における光音響スペクトル(II)
- 28p-C-3 (GaAs)m(AlAs)n人工超格子における光学スペクトルの圧力効果
- 24p-M-9 (GaAs)_m(AlAs)_n人工超格子における反射スペクトルの圧力効果II
- 2a-D-9 (GaAs)m(AlAs)n超格子の反射スペクトルの圧力効果
- 30a-Z-13 超高圧低温下における(GaAs)m(AlAs)m超格子のフォトルミネッセンス (III)
- 3p-C-13 超高圧低温下における(GaAs)_m(AlAs)_n超格子のフォトルミネッセンス (II)
- 4a-A2-7 混晶カルコパイライト半導体のラマン散乱に及ぼす高圧・混晶効果
- 29a-K-1 Si/Si_Ge_xにおけるファトルミネッセンススペクトルの圧力依存性II
- 12a-DE-9 Si/Si_Ge_Xにおけるフォトルミネッセンススペクトルの圧力依存性
- 28a-ZH-3 フォトルミネッセンスによるGaAs/AlAs超格子の圧力効果
- 28a-C-4 AlAs/GaAs短周期超格子の電子構造とその圧力及び歪効果
- 6a-A-1 ブリッジマンアンビル法による静水圧下の電気伝導度測定
- 30p-YM-13 AgGaS_2におけるuパラメータとエネルギーギャップの圧力変化
- 12a-DF-15 圧力誘起によるAgGaS_2の構造変化とエネルギーギャップ
- 第5回高圧半導体物理学国際会議報告
- Pressure-Induced Effects and Phase Transitions in Semiconductors.
- Pressure-induced effects on resonant tunneling.