大西 一 | 村田製作所
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概要
関連著者
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財部 健一
岡理大理
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大西 一
村田製作所
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藤田 和久
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
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渡辺 敏英
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
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箕村 茂
岡山理科大・理
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平野 洋子
岡山理大・理
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財部 健一
岡山理大・理
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箕村 茂
岡山理大・理
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箕村 茂
大市大工
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下村 理
原研
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片山 芳則
JAERI Spring-8
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大倉 熈
岡山理科大
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大倉 熈
岡山理大工
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松田 耕一郎
堀場製作所
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片山 芳則
原研
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藤田 和久
ATR環境適応通信研究所
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江上 典文
Atr環境適応通信研
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大西 一
ATR環境適応通信研究所
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渡辺 敏英
ATR環境適応通信研究所
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大西 一
ATR光電波通信研究所
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藤田 和久
ATR光電波通信研究所
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渡辺 敏英
ATR光電波通信研究所
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財部 健一
岡山理科大学
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神頭 信之
岡山理科大 工
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石井 昌史
高輝度光セ
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道田 修一
岡山理科大 工
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大西 一
ATR 光電研
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藤田 和久
ATR 光電研
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渡辺 敏英
ATR 光電研
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石井 真史
高輝度光科学研究センター
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吉野(平野) 洋子
岡山大理科大学
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財部 健一
岡山大理科大学
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坂田 成司
ATR環境適応通信研
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渡辺 敏英
Atr光電波通信研
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財部 健一
岡山理科大
著作論文
- Al_xGa_As:Seの深い不純物準位 : 高圧下のICTS
- 27p-N-2 AlGaAs:Se中のDXセンターの多重電子放出
- 3a-M-5 Al_xGa_As中の深い局在準位による発光
- 28p-ZA-8 内殻励起によるAlGaAs:Se半導体中の深い不純物準位の特性評価