藤田 和久 | ATR環境適応通信研究所
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概要
関連著者
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藤田 和久
ATR環境適応通信研究所
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藤田 和久
イオン工研
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馮 潔明
同志社大・工
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Vaccaro P.O.
ATR環境適応通信研究所
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大鉢 忠
同志社大・工
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高潔 明
同志社大・工:学習院大学計算機センター
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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箕村 茂
岡山理科大・理
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藤田 和久
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
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財部 健一
岡理大理
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口野 啓史
同志社大・工
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中井 健二
同志社大・工
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建内 満
同志社大・工
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浅井 和宏
同志社大・工
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高潔 明
同志社大・工
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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口野 啓史
同志社大学工学部
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江上 典文
Atr環境適応通信研
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平野 洋子
岡山理大・理
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財部 健一
岡山理大・理
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箕村 茂
岡山理大・理
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大西 一
ATR環境適応通信研究所
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渡辺 敏英
ATR環境適応通信研究所
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東脇 正高
阪大基礎工
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下村 哲
阪大基礎工
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冷水 佐壽
阪大基礎工
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黒柳 和良
ATR環境適応通信研究所
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黒柳 和良
Atr技境適応通信研究所
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大西 一
村田製作所
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渡辺 敏英
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
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浅井 和宏
同志社大学工学部
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箕村 茂
大市大工
著作論文
- 23aB4 GaAs高指数基板上にMBE成長させたAlAs膜の横方向酸化(エピタキシャル成長I)
- 23aB3 量子井戸からのフォトルミネッセンスを用いたMBE成長におけるGa付着係数の砒素圧、結晶面方位依存性(エピタキシャル成長I)
- Al_xGa_As:Seの深い不純物準位 : 高圧下のICTS
- 5a-E-6 (775)B GaAs基板上のMBE成長した高密度GaAs量子細線の時間分解フォトルミネッセンス測定