23aB3 量子井戸からのフォトルミネッセンスを用いたMBE成長におけるGa付着係数の砒素圧、結晶面方位依存性(エピタキシャル成長I)
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概要
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Ga desorption was changed by Arsenic vapor pressure with constant incoming Ga flux. Peak energy was transferred to high energy as As pressure was risen at 520℃. At low substrate temperature. Ga sticking coefficient was reduced under Arsenic-rich condition. Ga desorption was also reduced with high index at 520℃.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
-
藤田 和久
イオン工研
-
馮 潔明
同志社大・工
-
Vaccaro P.O.
ATR環境適応通信研究所
-
藤田 和久
ATR環境適応通信研究所
-
大鉢 忠
同志社大・工
-
浅井 和宏
同志社大・工
-
高潔 明
同志社大・工
-
高潔 明
同志社大・工:学習院大学計算機センター
-
浅井 和宏
同志社大学工学部
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