26aB09 立方晶GaNのrf-MBE成長における窒素フラックス一様性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)

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概要

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• Importance of nitrogen flux to the growth of cubic GaN was explained from experimental results. Two orifice thicknesses 0.5mm and 2mm were tested. Excitation of radio frequency discharge was successful applying magnetic field to induce cyclotron resonance. Flow rate dependency of intensity of 747nm N atom was measured for the two orifices.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 和田 元

  同志社大工

• 藤田 和久

  イオン工研

• 藤田 和久

  イオン工学研究所

• 大鉢 忠

  同志社大工

• Somintac A.S.

  同志社大工

• 菊池 友

  同志社大工

• 有屋田 修

  アリオス(株)

• Somintac A.

  同志社大工

• 有屋田 修

  Arios Inc.

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• ソミンタック アルマンド

  Department Of Electrical Engineering Doshisha University

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