高指数面基板上の横型p-n接合を用いた光電子デバイス
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概要
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(311)A面GaAs段差基板上にMBE成長したSiドープGaAs層には模型p-n接合が形成される。このような横型p-n接合は光電子デバイスヘの応用に対し、小さな接合面積、共平面型コンタクト、絶縁層クラッド、キャリア輸送用多層膜など特有の構造の作製が可能となり、種々の利点を有する。これらの特長を活かして、GaAs単一量子井戸およびGaAs/AlGaAs多重量子井戸構造の発光ダイオード、ならびに、絶縁多層膜ブラッグ反射器と共平面型コンタクト構造を有する垂直共振器面発光レーザを試作し、それぞれ、室温での良好な発光特性とシングルモードパルス発振(閾値電流2.3mA、波長942nm、FWHM0.15nm)を確認した。本稿では、これら光電子デバイスの作製と特性について紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-14
著者
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