a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)と単結晶シリコン(c-Si)のPINフォトセンサにおいて、光電流の照射強度とintrinsic領域の長さ依存性についてデバイスシミュレータによる解析を行った。c-Siの光電流と比較して、強い光照射の下でa-Si:Hの光電流の減少が見られたのは、n^+とp^+領域の抵抗率によるものと思われる。i層長さが10μm以下と短い場合、a-Si:Hの光電流はc-Siより大きくなった。一方、a-Si:Hのi層が長くなると、結晶欠陥と低移動度のために光電流は減少する。長さの短いi層構造を採用し集積化したa-Si:Hの薄膜フォトセンサは有効的である。
- 2010-04-16
著者
関連論文
- TFTの高性能化と課題
- プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
- GaAs(111)A,(311)A面段差基板上にMBE成長した横型p-n接合を用いた発光ダイオード
- Influence of grain size on gate voltage swing and threshold voltage of poly-Si thin film transistor (シリコン材料・デバイス)
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- GaAs高指数基板上にMBE成長させたAlAs膜の他方向酸化 : エピタキシャル成長III
- Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- シリコンドットTFTメモリー