MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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GaAs(111)A段差基板上に斜面の面方位が(311)A面と(100)面の2種類の段差基板を作製し、分子線エピタキシー(MBE)装置を用いてSiドーピングにてGaAs/AlGaAsヘテロ構造横型p-n接合発光ダイオードを作製した。発光強度特性のAs圧依存性において、GaAs(111)A基板で斜面の面方位が(311)A面の段差基板を用いた場合、成長時のAs圧が2.8×10^-3Paである試料において、よい特性が得られた。また、発光が(111)A面上のp-n接合p型領域から起こっており、帯状発光になることをCCDカメラにて観察した。その発光波長が、アクセプタ準位と関係していることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
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