(111)A GaAs基板上にMBE成長した三角錐成長丘のAs圧力依存性 : エピタキシャル成長III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The height of triangular-pyramidal growth hillocks on GaAs(111)A surfaces grown by MBE were found to depend on the As flux at a constant Ga flux.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
関連論文
- プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
- 23aB3 量子井戸からのフォトルミネッセンスを用いたMBE成長におけるGa付着係数の砒素圧、結晶面方位依存性(エピタキシャル成長I)
- GaAs(111)A,(311)A面段差基板上にMBE成長した横型p-n接合を用いた発光ダイオード
- Influence of grain size on gate voltage swing and threshold voltage of poly-Si thin film transistor (シリコン材料・デバイス)
- GaAs高指数基板上にMBE成長させたAlAs膜の他方向酸化 : エピタキシャル成長III
- Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 22pC9 Ag_2S面心立方相の銀結晶内に於ける平衡形観察(成長界面IV)
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- 銀融液内でのセレン化銀微粒子成長および金属銀と平衡にある平衡形 : 基礎(実験)III
- 26a-F-4 金属銀と平衡にあるα-Ag_2S、α-Ag_2Se粒子の平衡形
- 銀融液固化過程でのセレン化銀粒子の成長とモルフォロジー : モルフォロジーII
- 冷却過程における銀融液中でのセレン化銀粒子の成長 : モルフォロジーII
- 第33回結晶成長討論会(通称:放談会)参加報告(学会活動報告)
- 工業的重要電子材料の結晶成長国際スクール(ISCGTIEM)インド・マイソール参加報告(閑話休題)
- 新物質K_x[Ga_8Ga_Ti_O_」の合成
- 4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性
- 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の磁界依存性
- 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果
- 金拡散4端子MAGFETによる磁気抵抗効果
- 高温相セレン化銀、硫化銀平衡形の銀原子化学ポテンシャル依存性 : 形態形成 I
- 過冷却酢酸ナトリウム3水和物の初期成長過程のその場観察 : 溶液成長のその場観察I
- α-Ag_2S平衡形の表面自由エネルギー密度の温度・蒸気圧依存性 : 成長界面I
- 溶液中の銀イオンがNaCH_3COO・3H_2O濃厚水溶液の電気核形成に及ぼす影響 : 溶液成長I
- 酢酸ナトリウム3水和物濃厚水溶液の電気核形成待ち時間の濃度依存性 : 基礎(実験)III
- 第33回結晶成長討論会(通称 : 放談会)参加報告
- 準安定立方晶閃亜鉛鉱構造III族窒化物半導体結晶成長 : その将来への期待(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 業績賞創設について(学会活動報告)
- 01aB03 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi(111)基板上のh-GaN膜の性質(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- 01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- 01aB01 RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
- 結晶成長国際機構(IOCG)と結晶学国際連合(IUCr)およびその国際交流活動紹介(閑話休題)
- 齢をかさねて(歴代会長挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 国際協力・学術協力
- MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 反応性イオンエッチングによる損傷層をもつAu/P-Siダイオードのアドミタンス特性
- Ag_2Se固相転移時における低温相結晶核の形成および銀原子クラスタ形成
- 銀/硫化銀(固柚/固相)界面平衡条件における硫化銀の平衡形
- 過冷却酢酸ナトリウム三水和物水溶液の結晶化過程 : 水溶液成長
- 酢酸ナトリウム三水和物-水系の結晶成長 : 核生成
- 24pPSA-2 MBE成長GaAs高指数面へのSiドーピングとAs圧依存性
- (111)A GaAs基板上にMBE成長した三角錐成長丘のAs圧力依存性 : エピタキシャル成長III
- 電気核形成待ち時間の理論と実験(「核形成と成長カイネティクス」)
- 炉温降下法によるKTN結晶の育成と電気的性質 : 誘電体
- 22pC8 過冷却酢酸ナトリウム三水和物濃厚水溶液の電気核形成の待ち時間の理論と実験結果(成長界面IV)
- A_Ti_M_O_(A=Na, K, M=Al,Ga)のウイスカーの合成
- 結晶成長の理論と基礎
- 241-B-6 α-Ag_2S平衡形の温度特性
- GaAs系MBE成長での高As圧条件における基板上As吸着伊層の計測
- 高As圧力下でのGaAsMBE成長におけるGa蒸発 : エピタキシャル成長III
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- チオインジゴ優導体の光導電性
- 29aC5 NaCH_3COO・3H_2O水溶液電気核形成活性化過程における表面アマルガム化反応(溶液成長I)
- 29aC4 NaCH_3COO・3H_2O水溶液電気核形成における核形成電位(溶液成長I)
- 飽和蒸気圧下での電子イオン混合超イオン導電体硫化銀,セレン化銀平衡形の温度依存性
- 酢酸ナトリウム3水和物水溶液の電気核形成におよぼす水銀イオンの影響 : 基礎V
- ラフニング転移と表面融解
- 三元化合物M_2S-In_2S_3系(M=Cu,Ag)スピネルの単結晶成長と評価 : 評価
- 硫化物スピネルMin_5S_8(M=Ag,Cu)の水平ブリッジマン法による成長 : 融液成長IV
- ピロロ・ピロール顔料の結晶多形と光導電性
- α-Ag_2S熱平衡形のファセット近傍の観察 : 平衡形
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- タイトル無し
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化