結晶成長国際機構(IOCG)と結晶学国際連合(IUCr)およびその国際交流活動紹介(閑話休題)

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概要

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• 日本結晶成長学会の論文
• 2005-03-31

著者

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 大鉢 忠

  同志社大・理

関連論文

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• MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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• 22pC9 Ag_2S面心立方相の銀結晶内に於ける平衡形観察(成長界面IV)
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• 銀融液内でのセレン化銀微粒子成長および金属銀と平衡にある平衡形 : 基礎(実験)III
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• 新物質K_x[Ga_8Ga_Ti_O_」の合成
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• 窒素励起モード切換MEEを用いるRF-MBE結晶成長法 (第44回同志社大学理工学研究所研究発表報告会2006年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
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• 01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
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• 国際協力・学術協力
• GaAs系MBE成長でのRHEEDを用いた高As圧条件における基板上過剰As層 : エピキタシャル成長I
• 段差基板へMBE成長させたGaAs/AlGaAsヘテロ界面発光特性のAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
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• 19pPSB-54 超イオン導電体AgIを利用したAg細線の作製
• 反応性イオンエッチングによる損傷層をもつAu/P-Siダイオードのアドミタンス特性
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• 過冷却酢酸ナトリウム三水和物水溶液の結晶化過程 : 水溶液成長
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• 22pC8 過冷却酢酸ナトリウム三水和物濃厚水溶液の電気核形成の待ち時間の理論と実験結果(成長界面IV)
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• 結晶成長の理論と基礎
• 分子線エピタキシャル(MBE)法による高砒素圧・低温条件下のGaAs成長 (第40回同志社大学理工学研究所研究発表会 2002年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
• 241-B-6 α-Ag_2S平衡形の温度特性
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• 高As圧力下でのGaAsMBE成長におけるGa蒸発 : エピタキシャル成長III
• Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
• Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
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• チオインジゴ優導体の光導電性
• 29aC5 NaCH_3COO・3H_2O水溶液電気核形成活性化過程における表面アマルガム化反応(溶液成長I)
• 29aC4 NaCH_3COO・3H_2O水溶液電気核形成における核形成電位(溶液成長I)
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• ピロロ・ピロール顔料の結晶多形と光導電性
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• 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• タイトル無し
• 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化

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