26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Fabrication of 3C-SiC template was optimized and carried out by a novel jet nozzle operating under ultra high vacuum for c-GaN growth in a MBE system. Uniform nitrogen flux and growth under slightly nitrogen rich condition are crucial to improve the uniformity of c-GaN on 3C-SiC/Si(001) in rf-MBE growth.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 和田 元

  同志社大工

• 大鉢 忠

  同志社大工

• Somintac A.S.

  同志社大工

• 菊池 友

  同志社大工

• 有屋田 修

  アリオス(株)

• Somintac A.

  同志社大工

• 有屋田 修

  Arios Inc.

• 藤井 範章

  同志社大工

• 安田 貴憲

  同志社大工

• 山口 哲

  同志社大工

• 中村 宣隆

  同志社大工

• 宮内 勝久

  同志社大工

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• ソミンタック アルマンド

  Department Of Electrical Engineering Doshisha University

関連論文

• 13aQA-7 負イオン源内 H 輸送のフィルター磁場・ガス圧依存(診断法・計測器 : 領域内横断, 領域 2)
• 29aYJ-12 光脱離法を用いたイオン源引き出し領域での H 輸送の研究
• 28p-G-7 Na_2^-/Na^-の引き出し特性と負イオン生成のメカニズム
• 3族窒化物RF-MBE成長における励起窒素分子の利用 (第46回 同志社大学理工学研究所研究発表会 2007年度 同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
• ICCG-16準備状況・経過(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
• 26aB09 立方晶GaNのrf-MBE成長における窒素フラックス一様性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
• 12aXB-12 真空紫外分光による低圧プラズマ中の水素分子振動励起状態の観測(フラスマ分光 原子過程 : 領域内横断, 領域 2)
• 29aB12 パルスレーザー入射によるイオンビーム減少を利用した光脱離法の研究(プラズマ計画)
• 13p-DD-9 一次元超イオン導電体プリデライトのイオン伝導
• 29p-N-9 一次元イオン導電体Na_Ti_B_O_(B:Ga^,Al^)のNMR
• 26a-W-8 一次元イオン導電体K_xGa_Ti_O_単結晶のNMR
• 17pB01 活性窒素原子フラックスのその場計測・制御を用いたRF-MBE GaN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB10 BP/Si(001)上への立方晶GaNRF-MBE成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
• 26pA13p TEXTOR周辺プラズマ照射によるW/Cツインリミターからの不純物放出シミュレーション(プラズマ基礎/壁相互作用)
• 22aXB-3 銅ハライドの電子状態の圧力依存性(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• rf-MBE法によるSi基板上立方晶GaN成長法の改良 (第42回同志社大学理工学研究所研究発表会,2004年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム講演予稿集)
• 26aB08 3C-SiC/Si上へのrf-MBE成長h-GaNに対する窒素イオンと電子が及ぼす影響(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• 26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• GaAs/AlAsヘテロ構造におけるAlAs層の横方向酸化に関する研究 : エピキタシャル成長I
• 25pB-9 負イオンビームデポジション装置の減速部でのビーム発散
• Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 微小重力環境下における過冷却酢酸ナトリウム三水和物の電流、電圧特性と電気核形成
• 25aB25P TEXTORプラズマに晒されたWおよびTaテストリミターの損耗・再堆積分布のシミュレーション(真空・第一壁・材料,炉設計)
• 28aB05 プラズマ照射による炭素材料とタングステンの損耗・再付着のモデル計算(プラズマ壁相互作用・材料)
• 23pA10p TEXTOR-94におけるタングステン軟X線バンド様スペクトルの観測(トカマク/ST/電源)
• MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• 25pB-10 局所再結合プラズマの分光測定
• 第33回結晶成長討論会(通称:放談会)参加報告(学会活動報告)
• 工業的重要電子材料の結晶成長国際スクール(ISCGTIEM)インド・マイソール参加報告(閑話休題)
• 28aB07 TEXTORのプラズマ対向壁における重水素およびトリチウムの蓄積(プラズマ壁相互作用・材料)
• 4端子MOSFETの横方向磁界による平行・垂直磁気抵抗効果
• 4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性
• 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の磁界依存性
• 銅インジウム空孔欠陥型硫化物スピネルのNMR : ^Cuおよび^Inの線幅変化
• 第33回結晶成長討論会(通称 : 放談会)参加報告
• 準安定立方晶閃亜鉛鉱構造III族窒化物半導体結晶成長 : その将来への期待(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
• 業績賞創設について(学会活動報告)
• 窒素励起モード切換MEEを用いるRF-MBE結晶成長法 (第44回同志社大学理工学研究所研究発表報告会2006年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
• 01aB03 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi(111)基板上のh-GaN膜の性質(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB01 RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 18aA03 Si上への立方晶GaNのMBE成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• 結晶成長国際機構(IOCG)と結晶学国際連合(IUCr)およびその国際交流活動紹介(閑話休題)
• 歴史的人工結晶収集事業(第4章 歴史的結晶の収集,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 齢をかさねて(歴代会長挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 国際協力・学術協力
• GaAs系MBE成長でのRHEEDを用いた高As圧条件における基板上過剰As層 : エピキタシャル成長I
• 段差基板へMBE成長させたGaAs/AlGaAsヘテロ界面発光特性のAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
• MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 総務報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 第11回結晶成長国際夏期スクール(ISSCG-11)報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 19pPSB-54 超イオン導電体AgIを利用したAg細線の作製
• 13aQA-5 H Extraction from a H_2 Plasma Source with a Streaming Neutral Gas Injector
• 24pWE-1 レーザー光脱離法を用いた引き出し領域近傍のH^-密度の測定
• 20aPS-61 マイクロ波 ECR プラズマを用いた CN_x の作製と評価
• 29pA15P TEXTORプラズマ照射によるテストリミターの水素放出過程のシミュレーション(加熱/炉設計)
• 29pA14P TEXTORを用いたブラシ状Wリミターからの不純物X線スペクトル(加熱/炉設計)
• 29pA13P TEXTORを用いたブラシ状Wのプラズマ対向壁試験(加熱/炉設計)
• 30p-XM-1 電子ビームを用いた放電における電位構造に関する研究
• 8p-YK-2 電子ビームプラズマ系の間欠カオスに関する検討
• 27aUC-14 ダスト雲に励起した振動現象(27aUC プラズマ基礎(強結合系),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
• 酢酸ナトリウム三水和物の結晶化における律速過程
• 銅アマルガム電極 : 酢酸ナトリウム三水和物溶液界面のインピーダンスと電気核生成 : 核形成
• 2p-G-1 一次元イオン導電体Na_xTi_Ca_O_のNMR
• 13p-DD-8 一次元イオン導電体Na_Ga_Ti_xO_8のNMR
• 30a-P-4 一次元イオン導電体A_xGa_8Ga_Ti_O_(A=Rb,Cs)のNMR II
• 29a-E-12 一次元イオン導電体K_x[Ga_8Ga_]Ti_O_のイオン伝導
• 2a-R-1 カリウムプリデライトのマイクロ波イオン伝導度
• 2p-TC-6 ホランダイト型構造を持つ一次元超イオン導電体のNMR(IV)
• 29a-K-8 水熱処理をしたカリウムプリデライトの交流複素伝導率
• 2a-K-3 ホーランダイト型構造を持つ一次元超イオン伝導体のNMR
• 2a-K-2 ホランダイト型構造一次元超イオン伝導体の周波数依存イオン伝導率の測定
• 分子線エピタキシャル(MBE)法による高砒素圧・低温条件下のGaAs成長 (第40回同志社大学理工学研究所研究発表会 2002年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
• 27pA23P プラズマシースエリアにおける円筒状ダストの振る舞い(プラズマ基礎・応用)
• GaAs系MBE成長での高As圧条件における基板上As吸着伊層の計測
• Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
• 4a-NE-7 一次元超イオン導電体カリウムプリデライトのマイクロ波イオン伝導率
• 28a-XM-12 小型電界偏向エネルギーアナライザーによる電子の速度分布関数の測定
• 29a-YF-9 高密度電子ビーム・プラズマ系におけるエネルギー分布の再構成
• 31p-WA-13 放電系における電離波動
• パルス電圧印加時におけるシース状態の研究
• 01pC33P プラズマ中の微粒子雲に生じる振動現象に関する研究(プラズマ基礎)
• 28aC12P バケット型イオン源からのHe^+ビーム引き出し特性(加熱・加速、ミラー他)
• 30aB06P 負イオンビームの一時的減少を利用したH^-密度・速度計測(プラズマ計測I)
• 01pC19P 高輝度放電(HID)ランプの照度及び発光分布測定(プラズマ基礎)
• 01pC18P 蛍光灯放電管の電力加速運転試験(プラズマ基礎)
• 3p-TC-6 ECRプラズマカソードの研究
• 28aB28P 磁場中におけるダストプラズマ中の回転運動(プラズマ基礎)
• タイトル無し
• タイトル無し
• 27a-LN-10 一次元超イオン導電体A_x[Ga_8Ga_Ti_O_](A=K,Rb,Cs)のイオン伝導(イオン結晶・光物性)
• 3p-H2-4 He-表面生成型負イオン源の開発(プラズマ物理・核融合(イオン源・シートプラズマ))
• 29p-TD-9 シートプラズマ中のH^-密度分布(29pTD プラズマ物理・核融合(分布測定,アンテナ,マイクロ波源,イオン源))
• 29p-TD-12 Li^-イオンの体積生成(29pTD プラズマ物理・核融合(分布測定,アンテナ,マイクロ波源,イオン源))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク