第33回結晶成長討論会(通称 : 放談会)参加報告

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文
• 2008-10-31

著者

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 大鉢 忠

  同志社大・理

関連論文

• 3族窒化物RF-MBE成長における励起窒素分子の利用 (第46回 同志社大学理工学研究所研究発表会 2007年度 同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
• ICCG-16準備状況・経過(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
• 26aB09 立方晶GaNのrf-MBE成長における窒素フラックス一様性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
• GaAs(111)A,(311)A面段差基板上にMBE成長した横型p-n接合を用いた発光ダイオード
• Influence of grain size on gate voltage swing and threshold voltage of poly-Si thin film transistor (シリコン材料・デバイス)
• 17pB01 活性窒素原子フラックスのその場計測・制御を用いたRF-MBE GaN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB10 BP/Si(001)上への立方晶GaNRF-MBE成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
• GaAs高指数基板上にMBE成長させたAlAs膜の他方向酸化 : エピタキシャル成長III
• 22aXB-3 銅ハライドの電子状態の圧力依存性(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• rf-MBE法によるSi基板上立方晶GaN成長法の改良 (第42回同志社大学理工学研究所研究発表会,2004年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム講演予稿集)
• 26aB08 3C-SiC/Si上へのrf-MBE成長h-GaNに対する窒素イオンと電子が及ぼす影響(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• 26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• GaAs/AlAsヘテロ構造におけるAlAs層の横方向酸化に関する研究 : エピキタシャル成長I
• Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 22pC9 Ag_2S面心立方相の銀結晶内に於ける平衡形観察(成長界面IV)
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• 銀融液内でのセレン化銀微粒子成長および金属銀と平衡にある平衡形 : 基礎(実験)III
• 26a-F-4 金属銀と平衡にあるα-Ag_2S、α-Ag_2Se粒子の平衡形
• 銀融液固化過程でのセレン化銀粒子の成長とモルフォロジー : モルフォロジーII
• 冷却過程における銀融液中でのセレン化銀粒子の成長 : モルフォロジーII
• 第33回結晶成長討論会(通称:放談会)参加報告(学会活動報告)
• 工業的重要電子材料の結晶成長国際スクール(ISCGTIEM)インド・マイソール参加報告(閑話休題)
• 新物質K_x[Ga_8Ga_Ti_O_」の合成
• 4端子MOSFETの横方向磁界による平行・垂直磁気抵抗効果
• 4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性
• 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の磁界依存性
• 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果
• 金拡散4端子MAGFETによる磁気抵抗効果
• 高温相セレン化銀、硫化銀平衡形の銀原子化学ポテンシャル依存性 : 形態形成 I
• 過冷却酢酸ナトリウム3水和物の初期成長過程のその場観察 : 溶液成長のその場観察I
• α-Ag_2S平衡形の表面自由エネルギー密度の温度・蒸気圧依存性 : 成長界面I
• 溶液中の銀イオンがNaCH_3COO・3H_2O濃厚水溶液の電気核形成に及ぼす影響 : 溶液成長I
• 酢酸ナトリウム3水和物濃厚水溶液の電気核形成待ち時間の濃度依存性 : 基礎(実験)III
• 第33回結晶成長討論会(通称 : 放談会)参加報告
• 準安定立方晶閃亜鉛鉱構造III族窒化物半導体結晶成長 : その将来への期待(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
• 業績賞創設について(学会活動報告)
• 窒素励起モード切換MEEを用いるRF-MBE結晶成長法 (第44回同志社大学理工学研究所研究発表報告会2006年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
• 01aB03 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi(111)基板上のh-GaN膜の性質(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB01 RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 18aA03 Si上への立方晶GaNのMBE成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• 結晶成長国際機構(IOCG)と結晶学国際連合(IUCr)およびその国際交流活動紹介(閑話休題)
• 歴史的人工結晶収集事業(第4章 歴史的結晶の収集,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 齢をかさねて(歴代会長挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• 国際協力・学術協力
• GaAs系MBE成長でのRHEEDを用いた高As圧条件における基板上過剰As層 : エピキタシャル成長I
• 段差基板へMBE成長させたGaAs/AlGaAsヘテロ界面発光特性のAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
• MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MBE成長させたGaAs/AlGaAs横方向p-n接合ダイオード発光特性のAs圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 総務報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 第11回結晶成長国際夏期スクール(ISSCG-11)報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 19pPSB-54 超イオン導電体AgIを利用したAg細線の作製
• 反応性イオンエッチングによる損傷層をもつAu/P-Siダイオードのアドミタンス特性
• Ag_2Se固相転移時における低温相結晶核の形成および銀原子クラスタ形成
• 銀/硫化銀(固柚/固相)界面平衡条件における硫化銀の平衡形
• 過冷却酢酸ナトリウム三水和物水溶液の結晶化過程 : 水溶液成長
• 酢酸ナトリウム三水和物-水系の結晶成長 : 核生成
• 24pPSA-2 MBE成長GaAs高指数面へのSiドーピングとAs圧依存性
• (111)A GaAs基板上にMBE成長した三角錐成長丘のAs圧力依存性 : エピタキシャル成長III
• 電気核形成待ち時間の理論と実験(「核形成と成長カイネティクス」)
• 炉温降下法によるKTN結晶の育成と電気的性質 : 誘電体
• 22pC8 過冷却酢酸ナトリウム三水和物濃厚水溶液の電気核形成の待ち時間の理論と実験結果(成長界面IV)
• A_Ti_M_O_(A=Na, K, M=Al,Ga)のウイスカーの合成
• 結晶成長の理論と基礎
• 分子線エピタキシャル(MBE)法による高砒素圧・低温条件下のGaAs成長 (第40回同志社大学理工学研究所研究発表会 2002年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
• 241-B-6 α-Ag_2S平衡形の温度特性
• GaAs系MBE成長での高As圧条件における基板上As吸着伊層の計測
• 高As圧力下でのGaAsMBE成長におけるGa蒸発 : エピタキシャル成長III
• Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
• Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
• チオインジゴ優導体の光導電性
• 29aC5 NaCH_3COO・3H_2O水溶液電気核形成活性化過程における表面アマルガム化反応(溶液成長I)
• 29aC4 NaCH_3COO・3H_2O水溶液電気核形成における核形成電位(溶液成長I)
• 飽和蒸気圧下での電子イオン混合超イオン導電体硫化銀,セレン化銀平衡形の温度依存性
• 酢酸ナトリウム3水和物水溶液の電気核形成におよぼす水銀イオンの影響 : 基礎V
• ラフニング転移と表面融解
• 三元化合物M_2S-In_2S_3系(M=Cu,Ag)スピネルの単結晶成長と評価 : 評価
• 硫化物スピネルMin_5S_8(M=Ag,Cu)の水平ブリッジマン法による成長 : 融液成長IV
• ピロロ・ピロール顔料の結晶多形と光導電性
• α-Ag_2S熱平衡形のファセット近傍の観察 : 平衡形
• 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• タイトル無し
• 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク