段差基板へMBE成長させたGaAs/AlGaAsヘテロ界面発光特性のAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
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概要
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Lateral p-n junctions at GaAS/AlGaAS heterointerfaces were grown by MBE at various As pressures. We obtained the optimum emission intensity at the As pressure of 2.8×10^<-3> Pa by measuring the electroluminescence from patterned substrate of GaAs (111)A with (100) side planes. The emission was from the (111)A surface and depended on the acceptor level.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
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