MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
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概要
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We grew Si-doped GaAs on GaAs (111)A substrates by molecular beam epitaxy (MBE) with and without growth interruption . Their electric and optical properties were then studied. The amount of acceptor Si that incorporated into GaAs(111)A layer increased by the interruption growth.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
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