4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性
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概要
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4端子nチャネルMOSFETは,光照射によって光導電効果を生じ,ドレイン電流I_Dおよびチャネル基板間電流I_CBが照度現に対して飽和特性を示して増加した.また,I_Dは磁界印加によって減少し,その平行磁気相対感度S_RDはドレイン電圧V_Dには依存せず,現に対して飽和特性を示し,磁束密度Bに対して比例する傾向があった.一方,I_CBは光照射時に磁界を印加することで減少し,その垂直磁気相対感度SRTは現に対する依存性はなく,光の照射によって減少した.S_RDの最大値は,V_D=0.5V,B=1.0T,E_L=5610 1xの時で,1.7%/Tとなった.本報告では光照射および磁界印加によるI_D,I_CBの変化,S_RD,S_RTの変化について考察を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
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